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首页 > 热门关键词 > maxim驱动芯片
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受保护的四通道高端 MOSFET 驱动器
型号：LT1161ISW#PBF 编号：C579671
封装：SO-20-300mil
品牌：ADI(亚德诺)
是一款四路高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道，每个通道包含一个完全自包含的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器，用于检测开关电流。当超过预设电流水平时，开关将关闭。开关将关闭一段时间，该时间由外部定时电容器设置，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复进行，直到故障消除，从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计，例如工业和汽车应用，这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。
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    高功率优先电源路径控制器
    型号：LTC4421IUHE#PBF 编号：C1235988
    封装：TQFN-36-EP(5x6)
    品牌：ADI(亚德诺)
    大功率优先化PowerPath控制器
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    采用 SOT-23 封装的单通道和双通道微功率高端开关控制器
    型号：LTC1982ES6#TRPBF 编号：C679081
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
    是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。
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      ￥41.308 ￥44.9

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    高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC4446EMS8E#PBF 编号：C688589
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC4446是一款高频高压栅极驱动器，可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω
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      ￥42.3134 ￥50.98

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    通用高压无刷直流电机（BLDC）/永磁同步电机（PMSM）/伺服电机 MOSFET 三相半桥栅极驱动器
    型号：TMC6100-LA 编号：C22425140
    封装：QFN-37(7x7)
    品牌：ADI(亚德诺)
    是用于PMSM伺服或BLDC电机的高功率栅极驱动器。使用六个外部MOSFET，可控制从待机到千瓦级的电机。软件控制的驱动强度可在系统内进行EME优化。可编程的安全特性（如短路检测和过热阈值）以及用于诊断的SPI接口，可实现稳健可靠的设计。只需最少数量的外部组件，即可构建具有全面保护和诊断功能的坚固驱动器。

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    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
    型号：LTC7000MPMSE-1#TRPBF 编号：C690090
    封装：MSOP-12
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型16引脚MSOP封装。
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      ￥43.6982 ￥44.59

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    副边同步整流器驱动器
    型号：LT8309HS5#TRMPBF 编号：C673702
    封装：TSOT-23-5
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT8309是一款次级侧同步整流驱动器，在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管，应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值，从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式（DCM）和临界传导模式（CrCM）下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件，实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
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    快速 60V 高侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器
    型号：LTC7004IMSE#PBF 编号：C470819
    封装：MSOP-10
    品牌：ADI(亚德诺)
    快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
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    采用 SOT-23 封装的 SMBus/I²C扇速控制器
    型号：LTC1695CS5#TRMPBF 编号：C676451
    封装：SOT-23-5
    品牌：ADI(亚德诺)
    采用 SOT-23 封装的 SMBus/I2C扇速控制器
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    高速单/双N沟道MOSFET驱动器
    型号：LTC1693-1IS8#PBF 编号：C676434
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器
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    受保护的四通道高端 MOSFET 驱动器
    型号：LT1161CSW#TRPBF 编号：C662905
    封装：SO-24-300mil
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款四路高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道，每个通道包含一个完全自包含的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器，用于检测开关电流。当超过预设电流水平时，开关将关闭。开关将关闭一段时间，该时间由外部定时电容器设置，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复进行，直到故障消除，从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计，例如工业和汽车应用，这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。
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    半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
    型号：LT1158ISW 编号：C18167366
    封装：SOIC-16
    品牌：ADI(亚德诺)
    一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

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    100V 双路高侧 MOSFET 栅极驱动器
    型号：LTC7062EMSE#TRPBF 编号：C3717113
    封装：MSOP-12-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    驱动两个高压侧N沟道MOSFET，电源电压高达100V。两个驱动器可以使用不同的接地参考，具有出色的抗噪声和瞬态能力。两个驱动器对称且相互独立，允许互补或非互补开关。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。还具备欠压锁定（UVLO）、TTL/CMOS兼容输入和故障指示等功能。

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    带浮地和可调死区的100V半桥驱动器
    型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111
    封装：MSOP-12-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

    • 1+

      ￥33.78

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      ￥33

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    带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112
    封装：MSOP-12-EP-0.65mm
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
    数据手册

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      ￥35.38

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    快速 150V 保护型高侧 N 沟道 MOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7000EMSE#PBF 编号：C690073
    封装：MSOP-16-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
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    快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7001HMSE#TRPBF 编号：C690093
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合需要快速导通和/或关断时间的高频开关应用或静态开关应用。采用热增强型 10 引脚 MSOP 封装。
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      ￥47.16

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    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
    型号：LTC7000HMSE#WTRPBF 编号：C38253076
    封装：MSOP-16
    品牌：ADI(亚德诺)

    • 1+

      ￥47.87

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      ￥36.96
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    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
    型号：LTC7000JMSE-1#PBF 编号：C1016548
    封装：MSOP-12
    品牌：ADI(亚德诺)
    数据手册

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      ￥56.11

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      ￥53.94
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    高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC4444IMS8E#TRPBF 编号：C688583
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    数据手册

    • 1+

      ￥32.28

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      ￥31.53

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    快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7001HMSE#PBF 编号：C581061
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合需要快速导通和/或关断时间的高频开关应用或静态开关应用。采用散热增强型 10 引脚 MSOP 封装。
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    • 1+

      ￥32.59

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    具反向保护功能的有源整流器控制器
    型号：LT8672HDDB#TRMPBF 编号：C7451281
    封装：DFN-10(2x3)
    品牌：ADI(亚德诺)

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      ￥44.12
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    副边同步整流器驱动器
    型号：LT8309IS5#TRMPBF 编号：C673704
    封装：TSOT-23-5
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT8309是一款次级侧同步整流驱动器，在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管，应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值，从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式（DCM）和临界传导模式（CrCM）下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件，实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
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      ￥60.92

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      ￥59
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    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
    型号：LTC7000ARMSE#TRPBF 编号：C3717147
    封装：MSOP-16-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC7000A/LTC7000A - 1是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器能够以极短的转换时间轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在由外部定时电容设定的一段时间后关闭开关。经过一段冷却时间后，LTC7000A/LTC7000A - 1会自动重试。LTC7000A/LTC7000A - 1采用热增强型16引脚MSOP封装。

    • 1+

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    受保护的四通道高端 MOSFET 驱动器
    型号：LT1161IN#PBF 编号：C662906
    封装：PDIP-20
    品牌：ADI(亚德诺)
    数据手册

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    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器，同相A/B输入引脚，9.5V < Vin < 18V
    型号：ADP3634ARDZ 编号：C659209
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器，同相A/B输入引脚，9.5V < Vin < 18V
    数据手册

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      ￥19.2
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    高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC4449EDCB#TRMPBF 编号：C580913
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    数据手册

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    高速双通道4A MOSFET驱动器
    型号：ADP3654ARHZ 编号：C659219
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器
    数据手册

    • 1+

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    LTC7068RMSE#PBF
    型号：LTC7068RMSE#PBF 编号：C39078252
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)

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    带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116
    封装：MSOP-12-EP-0.65mm
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
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