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首页 > 热门关键词 > maxim驱动芯片
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快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
型号：LTC7004IMSE#TRPBF 编号：C690109
封装：MSOP-10-EP
品牌：ADI(亚德诺)
是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达60V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合需要快速开启和/或关闭时间的高频开关应用或静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。
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  • 1+

    ￥46.21

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    ￥35.73
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    快速 60V 高侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器
    型号：LTC7004EMSE#PBF 编号：C690105
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
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    • 1+

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    快速 150V 保护型高侧 N 沟道 MOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7000EMSE#PBF 编号：C690073
    封装：MSOP-16-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
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      ￥50.22

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      ￥39.31
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    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
    型号：LTC7000HMSE#WTRPBF 编号：C38253076
    封装：MSOP-16
    品牌：ADI(亚德诺)

    • 1+

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    高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC1693-1IS8#TRPBF 编号：C676435
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。
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    • 单价：

      ￥70.98 / 个
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    100V 双路高侧 MOSFET 栅极驱动器
    型号：LTC7062EMSE#TRPBF 编号：C3717113
    封装：MSOP-12-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    驱动两个高压侧N沟道MOSFET，电源电压高达100V。两个驱动器可以使用不同的接地参考，具有出色的抗噪声和瞬态能力。两个驱动器对称且相互独立，允许互补或非互补开关。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。还具备欠压锁定（UVLO）、TTL/CMOS兼容输入和故障指示等功能。

    • 1+

      ￥23.98

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      ￥23.36

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      ￥22.96
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    LTC7068RMSE#PBF
    型号：LTC7068RMSE#PBF 编号：C39078252
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)

    • 1+

      ￥28.6

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      ￥27.93

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      ￥27.49
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    带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112
    封装：MSOP-12-EP-0.65mm
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
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    • 1+

      ￥34.43

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      ￥32.98
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    快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7004HMSE#PBF 编号：C690107
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。采用热增强型 10 引脚 MSOP 封装。
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    • 1+

      ￥55.76

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    • 30+

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    带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114
    封装：MSOP-12-EP-0.65mm
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
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    • 1+

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    高速单路 P 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC1693-5CMS8#PBF 编号：C676442
    封装：MSOP-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    驱动功率P沟道MOSFET高速运行。1.5A的峰值输出电流可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。是一款带有输出极性选择引脚的单驱动器。MOSFET驱动器提供与VCC无关的CMOS输入阈值，典型迟滞为1.2V。它可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部MOSFET的轨到轨VCC驱动。包含一个欠压锁定电路和一个热关断电路，若激活，将禁用外部P沟道MOSFET栅极驱动。采用8引脚MSOP封装。
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      ￥40

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    副边同步整流器驱动器
    型号：LT8309IS5#TRMPBF 编号：C673704
    封装：TSOT-23-5
    品牌：ADI(亚德诺)
    LT8309是一款次级侧同步整流驱动器，在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管，应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值，从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式（DCM）和临界传导模式（CrCM）下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件，实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
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    快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
    型号：LTC7000HMSE#PBF 编号：C690077
    封装：MSOP-16-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。经过冷却期后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。
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    受保护的四通道高端 MOSFET 驱动器
    型号：LT1161IN#PBF 编号：C662906
    封装：PDIP-20
    品牌：ADI(亚德诺)
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    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器，同相A/B输入引脚，9.5V < Vin < 18V
    型号：ADP3634ARDZ 编号：C659209
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器，同相A/B输入引脚，9.5V < Vin < 18V
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      ￥20.99

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      ￥20.46

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    双通道自举式12 V MOSFET驱动器，内置输出禁用功能
    型号：ADP3650JCPZ-RL 编号：C659215
    封装：LFCSP-8(3x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADP3650 是一款双路高压 MOSFET 驱动器，专为驱动非隔离同步降压电源转换器中的两个 N 沟道 MOSFET（即两个开关）而优化。每个驱动器能够驱动 3000 pF 的负载，传播延迟为 45 ns，转换时间为 25 ns。其中一个驱动器可采用自举方式，并设计用于处理与浮动高端栅极驱动器相关的高电压转换速率
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    • 1+

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      ￥20.13
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    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器，具有反相A/B输入引脚，4.5V
    型号：ADP3623ARDZ-RL 编号：C659197
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能
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    • 1+

      ￥26.35

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    带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116
    封装：MSOP-12-EP-0.65mm
    品牌：ADI(亚德诺)
    LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
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    • 1+

      ￥28.92

    • 10+

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    • 30+

      ￥27.82
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    高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC4444IMS8E#TRPBF 编号：C688583
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
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    • 1+

      ￥33.58

    • 10+

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    • 30+

      ￥32.33
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    带浮地和可调死区的100V半桥驱动器
    型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111
    封装：MSOP-12-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

    • 1+

      ￥35.14

    • 10+

      ￥34.36

    • 30+

      ￥33.84
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    高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC4444MPMS8E#PBF 编号：C580912
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
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      ￥36.5

    • 10+

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    • 30+

      ￥35.14
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    高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    型号：LTC4449IDCB#TRPBF 编号：C688595
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：ADI(亚德诺)
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      ￥39.76

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      ￥34.41

    • 30+

      ￥31.15
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    采用 SOT-23 封装的 SMBus/I²C扇速控制器
    型号：LTC1695CS5#TRMPBF 编号：C676451
    封装：SOT-23-5
    品牌：ADI(亚德诺)
    采用 SOT-23 封装的 SMBus/I2C扇速控制器
    数据手册

    • 1+

      ￥54.04

    • 10+

      ￥46.62

    • 30+

      ￥42.09
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    快速、60V 保护、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7003EMSE#TRPBF 编号：C690098
    封装：MSOP-16-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。
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    • 1+

      ￥21.75

    • 20+

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      ￥19.488
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    受保护的高端 MOSFET 驱动器
    型号：LT1910ES8#TRPBF 编号：C579923
    封装：SO-8
    品牌：ADI(亚德诺)
    数据手册

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      ￥53.849743

    • 10+

      ￥50.858092

    • 100+

      ￥43.877568

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      ￥40.387307
    我要订货
    高速、高压高端栅极驱动器
    型号：LTC4440ES6#TRMPBF 编号：C360774
    封装：TSOT-23-6L
    品牌：ADI(亚德诺)
    高速、高电压、高端栅极驱动器
    数据手册

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      ￥32.95

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    • 100+

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    双通道、24V 高压侧 MOSFET 驱动器
    型号：LTC1255CS8#PBF 编号：C674814
    封装：SOIC-8
    品牌：ADI(亚德诺)
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      ￥81.84

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      ￥79.608
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    高速、高电压、高端栅极驱动器
    型号：LTC4440AHMS8E-5#PBF 编号：C688540
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    是一个高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达80V的应用中。能够承受100V的瞬态电压并继续工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗，上拉峰值输出电流为1.1A，下拉输出阻抗为1.85Ω。具有与电源无关的TTL/CMOS兼容输入阈值，滞后为350mV，输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地95V的电压下工作。针对驱动（5V）逻辑电平FET进行了优化，并包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。采用热增强型8引脚MSOP封装。
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      ￥62.36

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    快速 150V 高侧 NMOS 静态开关驱动器
    型号：LTC7001IMSE#PBF 编号：C581062
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥46.46

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    高速双通道4A MOSFET驱动器
    型号：ADP3654ARHZ-RL 编号：C659221
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：ADI(亚德诺)
    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器
    数据手册

    • 30+

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