maxim驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

数据手册

1+
￥56.0032 ￥65.12
10+
￥55.2636 ￥64.26
30+
￥53.9736 ￥62.76
100+
￥52.847 ￥61.45

有货

立即购买

型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥5.67 ￥7.56
10+
￥5.5575 ￥7.41
30+
￥5.49 ￥7.32
100+
￥5.415 ￥7.22

有货

立即购买

型号：LTC7000EMSE#TRPBF 编号：C690074

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

数据手册

1+
￥49
10+
￥42.43
30+
￥38.42

有货

立即购买

型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

数据手册

1+
￥90.93
10+
￥86.77
30+
￥79.58

有货

立即购买

型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

数据手册

1+
￥28.1588 ￥34.34
10+
￥24.3786 ￥29.73
30+
￥22.1318 ￥26.99
100+
￥19.8604 ￥24.22
500+
￥18.8108 ￥22.94
1000+
￥18.3352 ￥22.36

有货

立即购买

型号：LTC7000EMSE-1#TRPBF 编号：C690076

封装：MSOP-12

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

数据手册

1+
￥45.73
10+
￥39.73
30+
￥34.27

有货

立即购买

型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

数据手册

1+
￥35.64
10+
￥30.68
30+
￥27.73

有货

立即购买

型号：LT1910IS8#TRPBF 编号：C579924

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

数据手册

1+
￥51.1012 ￥59.42
10+
￥44.161 ￥51.35
30+
￥39.9212 ￥46.42
100+
￥36.378 ￥42.3

有货

立即购买

型号：LT1166CN8#PBF 编号：C662912

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

数据手册

1+
￥65.223 ￥72.47
10+
￥56.097 ￥62.33
30+
￥50.535 ￥56.15
100+
￥45.882 ￥50.98

有货

立即购买

型号：ADP3654ARDZ-R7 编号：C143882

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥6.92
10+
￥6.78
30+
￥6.68

有货

立即购买

型号：LTC4442EMS8E#PBF 编号：C688566

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥16.5528 ￥18.81
10+
￥16.1832 ￥18.39
30+
￥15.928 ￥18.1
100+
￥15.6816 ￥17.82

有货

立即购买

型号：LTC4440ES6-5#TRPBF 编号：C688551

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

数据手册

1+
￥34.11
10+
￥29.26
30+
￥26.38

有货

立即购买

型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

1+
￥34.68
10+
￥29.85
30+
￥26.98

有货

立即购买

型号：LTC4440ES6-5#TRMPBF 编号：C580911

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

1+
￥35.15
10+
￥30.26
30+
￥27.35

有货

立即购买

型号：LTC4440EMS8E#TRPBF 编号：C688547

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4440是一款高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于输入电压（V₁ₙ）高达80V的应用。LTC4440还能承受100V的V₁ₙ瞬态电压，并在此期间继续正常工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗

数据手册

1+
￥38.1218 ￥46.49
10+
￥37.3182 ￥45.51
30+
￥36.7852 ￥44.86
100+
￥36.244 ￥44.2

有货

立即购买

型号：LTC7000IMSE#TRPBF 编号：C690081

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

数据手册

1+
￥50.55
10+
￥44.03
30+
￥37.23

有货

立即购买

型号：LTC7004IMSE#PBF 编号：C470819

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

数据手册

1+
￥63.24
10+
￥54.71
30+
￥49.51

有货

立即购买

型号：LTC1982ES6#TRMPBF 编号：C580471

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。

数据手册

1+
￥30.8448 ￥32.13
10+
￥30.0672 ￥31.32
30+
￥29.5488 ￥30.78
100+
￥29.0304 ￥30.24

有货

立即购买

型号：LTC7003EMSE#PBF 编号：C690097

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

数据手册

1+
￥32.2575 ￥37.95
10+
￥27.931 ￥32.86
30+
￥25.296 ￥29.76
100+
￥23.0945 ￥27.17

有货

立即购买

型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

数据手册

1+
￥32.9846 ￥35.09
10+
￥32.1762 ￥34.23
37+
￥31.6404 ￥33.66
111+
￥31.0952 ￥33.08

有货

立即购买

型号：LT1910ES8#PBF 编号：C579922

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

数据手册

1+
￥34.62
10+
￥33.83
30+
￥33.3

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示