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高压侧微功率 MOSFET 驱动器

型号：LTC1154CS8#PBF 编号：C674678

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上，无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行，待机电流为8μA，工作电流为85μA，可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟，以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入，可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出，用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入，用于成组控制多个开关。

数据手册

1+
￥43.01 ￥50.6
10+
￥42.0495 ￥49.47
30+
￥41.412 ￥48.72
100+
￥40.7745 ￥47.97

有货

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快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

型号：LTC7000ARMSE#TRPBF 编号：C3717147

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7000A/LTC7000A - 1是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器能够以极短的转换时间轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在由外部定时电容设定的一段时间后关闭开关。经过一段冷却时间后，LTC7000A/LTC7000A - 1会自动重试。LTC7000A/LTC7000A - 1采用热增强型16引脚MSOP封装。

1+
￥68.191 ￥70.3
10+
￥64.8251 ￥66.83
30+
￥58.9954 ￥60.82
100+
￥53.9126 ￥55.58

有货

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功率输出级自动偏置系统

型号：LT1166CS8#PBF 编号：C662913

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

数据手册

1+
￥76.08
10+
￥66.16
30+
￥60.11

有货

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用于推挽式和全桥式转换器的副端同步驱动器

型号：LTC3901EGN#TRPBF 编号：C687087

封装：SSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

数据手册

1+
￥83.41
10+
￥79.53
30+
￥72.82

有货

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具两线式接口的双通道风扇控制器

型号：LTC1840IGN#PBF 编号：C678808

封装：SSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

是一款风扇控制器，具备两个8位电流输出DAC、两个转速计接口和四个通用I/O (GPIO)引脚。它由2.7V至5.75V的单电源供电。电流输出DAC用于控制外部开关稳压器，从而控制风扇速度。电流输出DAC和转速计可使控制器在风扇速度上形成闭环控制

数据手册

1+
￥26.739 ￥89.13
10+
￥17.03 ￥85.15
30+
￥7.825 ￥78.25
100+
￥7.224 ￥72.24

有货

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快速 150V 高侧 NMOS 静态开关驱动器

型号：LTC7001IMSE#TRPBF 编号：C690094

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

数据手册

1+
￥49.15
10+
￥42.44
30+
￥38.35

有货

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高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

数据手册

1+
￥60.18
10+
￥52.1
30+
￥47.18

有货

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高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

型号：LTC4446EMS8E#PBF 编号：C688589

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4446是一款高频高压栅极驱动器，可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω

数据手册

1+
￥60.59
10+
￥52.22
30+
￥47.12

有货

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高速双通道4A MOSFET驱动器

型号：ADP3654ARHZ 编号：C659219

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥17.134 ￥26.36
10+
￥16.8545 ￥25.93
30+
￥16.6725 ￥25.65
100+
￥15.418 ￥23.72

有货

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高速、双通道、9.5V、4A MOSFET驱动器，具有同相A/B输入引脚

型号：ADP3624ARHZ 编号：C659199

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

数据手册

1+
￥18.8188 ￥20.02
10+
￥18.3582 ￥19.53
30+
￥18.048 ￥19.2
100+
￥17.7378 ￥18.87

有货

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高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

型号：LTC4449EDCB#TRMPBF 编号：C580913

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

数据手册

1+
￥20.44
10+
￥19.97
30+
￥19.65

有货

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高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

型号：LTC4444EMS8E#TRPBF 编号：C688575

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4444是一款高频高压栅极驱动器，可在同步DC/DC转换器中驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4444配置有两个独立电源输入

数据手册

1+
￥28.5515 ￥33.59
10+
￥27.914 ￥32.84
30+
￥27.489 ￥32.34
100+
￥27.0725 ￥31.85

有货

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高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器

型号：LTC1693-1CS8#PBF 编号：C676432

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

数据手册

1+
￥30.9453 ￥34.77
10+
￥30.2244 ￥33.96
30+
￥29.7527 ￥33.43
100+
￥29.2721 ￥32.89

有货

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快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

型号：LTC7001HMSE#PBF 编号：C581061

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合需要快速导通和/或关断时间的高频开关应用或静态开关应用。采用散热增强型 10 引脚 MSOP 封装。

数据手册

1+
￥30.9944 ￥36.04
10+
￥30.2978 ￥35.23
30+
￥29.8248 ￥34.68
100+
￥29.3604 ￥34.14

有货

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高速单/双N沟道MOSFET驱动器

型号：LTC1693-1CS8#TRPBF 编号：C676433

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥38.42
10+
￥33.2
30+
￥30.02

有货

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采用 SOT-23 封装的单通道和双通道微功率高端开关控制器

型号：LTC1982ES6#TRPBF 编号：C679081

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。

数据手册

1+
￥41.1576 ￥46.77
10+
￥40.2072 ￥45.69
30+
￥39.5736 ￥44.97
100+
￥38.94 ￥44.25

有货

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快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

型号：LTC7001HMSE#TRPBF 编号：C690093

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合需要快速导通和/或关断时间的高频开关应用或静态开关应用。采用热增强型 10 引脚 MSOP 封装。

数据手册

1+
￥41.2845 ￥48.57
10+
￥35.7425 ￥42.05
30+
￥32.368 ￥38.08
100+
￥29.5375 ￥34.75

有货

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快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

型号：LTC7000MPMSE-1#TRPBF 编号：C690090

封装：MSOP-12

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型16引脚MSOP封装。

数据手册

1+
￥43.7664 ￥46.56
10+
￥42.6948 ￥45.42
30+
￥41.9804 ￥44.66
100+
￥41.2754 ￥43.91

有货

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副边同步整流器驱动器

型号：LT8309HS5#TRMPBF 编号：C673702

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

LT8309是一款次级侧同步整流驱动器，在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管，应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值，从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式（DCM）和临界传导模式（CrCM）下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件，实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。

数据手册

1+
￥43.928 ￥51.68
10+
￥42.9505 ￥50.53
30+
￥42.296 ￥49.76
100+
￥41.6415 ￥48.99

有货

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高压侧微功率 MOSFET 驱动器

型号：LTC1154CS8#TRPBF 编号：C674679

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上，无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行，待机电流为8μA，工作电流为85μA，可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟，以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入，可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出，用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入，用于成组控制多个开关。

数据手册

1+
￥44.181 ￥49.09
10+
￥43.146 ￥47.94
30+
￥42.453 ￥47.17
100+
￥41.76 ￥46.4

有货

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高速单/双N沟道MOSFET驱动器

型号：LTC1693-1IS8#PBF 编号：C676434

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥52.3962 ￥56.34
10+
￥44.8818 ￥48.26
30+
￥40.3062 ￥43.34
100+
￥36.4746 ￥39.22

有货

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高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器

型号：LTC1693-2IS8#PBF 编号：C676438

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

数据手册

1+
￥55.81
10+
￥48
30+
￥43.24

有货

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具备智能集成自举开关的100V半桥氮化镓驱动器

型号：LT8418ACBZ-R7 编号：C22450844

封装：WLCSP-12

品牌：ADI(亚德诺)

LT8418是一款100V半桥氮化镓（GaN）驱动器，集成了上下桥驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑，或降压、升压和升降压拓扑。LT8418具备强大的源/灌电流能力，上拉电阻为0.6Ω，下拉电阻为0.2Ω

1+
￥56.97
10+
￥49.32
30+
￥44.66

有货

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快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

型号：LTC7001MPMSE#TRPBF 编号：C690096

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。

数据手册

1+
￥58.28
10+
￥50.46
30+
￥45.7

有货

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快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

型号：LTC7000IMSE#PBF 编号：C581060

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

数据手册

1+
￥59.4384 ￥68.32
10+
￥51.3213 ￥58.99
30+
￥46.3797 ￥53.31
100+
￥42.2385 ￥48.55

有货

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快速150V保护型高端NMOS静态开关驱动器

型号：LTC7000ARMSE#PBF 编号：C3717145

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

1+
￥67.9337 ￥76.33
10+
￥58.4819 ￥65.71
30+
￥52.7325 ￥59.25
100+
￥47.8998 ￥53.82

有货

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半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

型号：LT1158ISW 编号：C18167366

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

1+
￥72.998 ￥76.84
10+
￥70.5185 ￥74.23

有货

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高速双通道4A MOSFET驱动器

型号：ADP3654ARHZ-R7 编号：C659220

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥16.02
10+
￥13.8
30+
￥12.41

有货

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150V半桥驱动器，带浮动接地和可调死区时间

型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

数据手册

1+
￥28.96
10+
￥28.23
30+
￥27.75

有货

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快速、60V 保护、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

型号：LTC7003HMSE#PBF 编号：C690099

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一种快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达60V的输入电压下工作。包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其无限期保持导通。强大的驱动器能够以非常短的转换时间轻松驱动大栅极电容，适用于高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型16引脚MSOP封装。

数据手册

1+
￥36.75
10+
￥35.92
30+
￥35.36

有货

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