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型号：LTC4442EMS8E#PBF 编号：C688566

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥16.0823 ￥18.07
10+
￥15.7085 ￥17.65
30+
￥15.4593 ￥17.37
100+
￥15.2101 ￥17.09

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型号：LTC4444EMS8E#TRPBF 编号：C688575

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4444是一款高频高压栅极驱动器，可在同步DC/DC转换器中驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4444配置有两个独立电源输入

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1+
￥32.29
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￥31.54
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￥31.04
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￥28.106 ￥30.55

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型号：LTC1693-1CS8#PBF 编号：C676432

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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1+
￥33.37
10+
￥32.56
30+
￥32.02
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￥29.5912 ￥31.48

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型号：LTC4440ES6-5#TRMPBF 编号：C580911

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

1+
￥34.89
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￥29.8
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￥26.77

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型号：LTC7001IMSE#PBF 编号：C581062

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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1+
￥48.04
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￥41.32
30+
￥37.23

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

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1+
￥54.35
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￥51.74
30+
￥50.15

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型号：LTC7000HMSE#PBF 编号：C690077

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。经过冷却期后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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1+
￥61.55
10+
￥59.49
100+
￥58.3002 ￥59.49

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型号：LTC7000ARMSE#PBF 编号：C3717145

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

1+
￥68.8479 ￥74.03
10+
￥58.9713 ￥63.41
30+
￥52.9635 ￥56.95
100+
￥47.9136 ￥51.52

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型号：LTC1693-1IS8#TRPBF 编号：C676435

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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1+
￥82.11
100+
￥74.7201 ￥82.11

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型号：LTC7003EMSE#TRPBF 编号：C690098

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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1+
￥24.1912 ￥27.49
10+
￥23.6368 ￥26.86
30+
￥23.2672 ￥26.44
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￥22.8888 ￥26.01

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型号：ADP3650JCPZ-RL 编号：C659215

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP3650 是一款双路高压 MOSFET 驱动器，专为驱动非隔离同步降压电源转换器中的两个 N 沟道 MOSFET（即两个开关）而优化。每个驱动器能够驱动 3000 pF 的负载，传播延迟为 45 ns，转换时间为 25 ns。其中一个驱动器可采用自举方式，并设计用于处理与浮动高端栅极驱动器相关的高电压转换速率

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1+
￥25.21
10+
￥21.6
30+
￥19.45
100+
￥16.2432 ￥17.28
500+
￥15.3032 ￥16.28
1000+
￥14.8802 ￥15.83

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型号：LTC7003HMSE#PBF 编号：C690099

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一种快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达60V的输入电压下工作。包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其无限期保持导通。强大的驱动器能够以非常短的转换时间轻松驱动大栅极电容，适用于高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型16引脚MSOP封装。

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1+
￥27.55
10+
￥26.88
30+
￥26.43
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￥25.4702 ￥25.99

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型号：LTC4440ES6#TRMPBF 编号：C360774

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

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1+
￥30.4
10+
￥29.66
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￥29.17

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型号：LTC1982ES6#TRMPBF 编号：C580471

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。

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1+
￥33.25
10+
￥32.44
30+
￥31.9
100+
￥29.4784 ￥31.36

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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1+
￥34.22
10+
￥29.32
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￥26.41
100+
￥21.5832 ￥23.46
500+
￥20.332 ￥22.1
1000+
￥19.7708 ￥21.49

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型号：LTC4440EMS8E#TRPBF 编号：C688547

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4440是一款高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于输入电压（V₁ₙ）高达80V的应用。LTC4440还能承受100V的V₁ₙ瞬态电压，并在此期间继续正常工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗

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1+
￥37.1757 ￥44.79
10+
￥36.3623 ￥43.81
30+
￥35.8228 ￥43.16
100+
￥35.275 ￥42.5

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型号：LTC1154CS8#PBF 编号：C674678

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上，无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行，待机电流为8μA，工作电流为85μA，可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟，以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入，可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出，用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入，用于成组控制多个开关。

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1+
￥42.812 ￥48.65
10+
￥41.8176 ￥47.52
30+
￥41.1576 ￥46.77
100+
￥40.4976 ￥46.02

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型号：LTC7000IMSE#TRPBF 编号：C690081

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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1+
￥48.85
10+
￥42.34
30+
￥35.54

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

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1+
￥58.24
10+
￥50.16
30+
￥45.24

有货

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型号：LTC7000IMSE#PBF 编号：C581060

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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1+
￥66.3
10+
￥56.97
30+
￥51.29
100+
￥42.3423 ￥46.53

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型号：ADP3624ARHZ 编号：C659199

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

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1+
￥18.7866 ￥19.17
10+
￥18.3064 ￥18.68
30+
￥17.983 ￥18.35
100+
￥17.6596 ￥18.02

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型号：ADP3623ARDZ-RL 编号：C659197

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

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1+
￥25.33
10+
￥24.74
30+
￥24.35
100+
￥21.3244 ￥23.96

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型号：LTC1840IGN#PBF 编号：C678808

封装：SSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

是一款风扇控制器，具备两个8位电流输出DAC、两个转速计接口和四个通用I/O (GPIO)引脚。它由2.7V至5.75V的单电源供电。电流输出DAC用于控制外部开关稳压器，从而控制风扇速度。电流输出DAC和转速计可使控制器在风扇速度上形成闭环控制

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1+
￥26.739 ￥89.13
10+
￥17.03 ￥85.15
30+
￥7.825 ￥78.25
100+
￥7.224 ￥72.24

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型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

1+
￥30.4
10+
￥25.96
30+
￥23.32

有货

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型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

数据手册

1+
￥32.5858 ￥39.26
10+
￥31.872 ￥38.4
37+
￥31.3989 ￥37.83
111+
￥30.9175 ￥37.25

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型号：LTC1981ES5#TRPBF 编号：C679080

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。

数据手册

1+
￥37.13
10+
￥36.25
30+
￥35.67
100+
￥31.9228 ￥35.08

有货

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型号：LTC1693-5CMS8#PBF 编号：C676442

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率P沟道MOSFET高速运行。1.5A的峰值输出电流可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。是一款带有输出极性选择引脚的单驱动器。MOSFET驱动器提供与VCC无关的CMOS输入阈值，典型迟滞为1.2V。它可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部MOSFET的轨到轨VCC驱动。包含一个欠压锁定电路和一个热关断电路，若激活，将禁用外部P沟道MOSFET栅极驱动。采用8引脚MSOP封装。

数据手册

1+
￥38.31
10+
￥37.33
30+
￥36.67
100+
￥35.6598 ￥36.02

有货

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型号：LTC7004IMSE#TRPBF 编号：C690109

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达60V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合需要快速开启和/或关闭时间的高频开关应用或静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。

数据手册

1+
￥44.8
10+
￥38.29
30+
￥34.31

有货

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型号：LTC1154CS8#TRPBF 编号：C674679

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上，无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行，待机电流为8μA，工作电流为85μA，可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟，以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入，可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出，用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入，用于成组控制多个开关。

数据手册

1+
￥47.09
10+
￥45.94
30+
￥45.17
100+
￥42.18 ￥44.4

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型号：LTC4421IG#PBF 编号：C1235987

封装：SSOP-36

品牌：ADI(亚德诺)

连接两个输入电源之一到公共输出，基于用户定义的优先级和有效性。外部电阻分压器设置欠压和过压阈值，界定有效电压窗口。强大的栅极驱动器可快速切换大型外部 N 沟道 MOSFET。快速切换电路可在切换通道时最大程度减少输出压降，同时防止反向和交叉传导。快速比较器可检测输入短路并迅速关闭 N 沟道 MOSFET，以最大程度减少干扰。外部检测电阻设置最大浪涌和限流电流。在限流期间，控制 N 沟道 MOSFET 栅极，使检测电阻两端的电压稳定在 25mV。当检测电阻电压在用户可设置的时间内稳定在 25mV 时，断开通道并设置故障。

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1+
￥85.47
10+
￥82.61
100+
￥78.4795 ￥82.61

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