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首页 > 热门关键词 > maxim驱动芯片
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  • 1+

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    ¥28.15
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    ¥27.7
  • 有货
    • 1+

      ¥35.09
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      ¥34.27
    • 30+

      ¥33.73
  • 有货
  • 是一款高端栅极驱动器,允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵,无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时,开关将关闭,并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭,然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在,这个循环将重复,直到故障消除,从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计,如工业和汽车应用,可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥29.916 / 个
    高速、高电压、高端栅极驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥25.974 / 个
    LT8418是一款100V半桥氮化镓(GaN)驱动器,集成了上下桥驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑,或降压、升压和升降压拓扑。LT8418具备强大的源/灌电流能力,上拉电阻为0.6Ω,下拉电阻为0.2Ω
    • 单价:

      ¥18.414 / 个
    高速、双通道、4 A MOSFET驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥8.5428 / 个
    是一款高端栅极驱动器,允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵,无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时,开关将关闭,并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭,然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在,这个循环将重复,直到故障消除,从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计,如工业和汽车应用,可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥32.7672 / 个
    是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器,可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵,可完全增强外部N沟道MOSFET开关,使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容,非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.91
    • 10+

      ¥38.94
    • 30+

      ¥38.28
    • 100+

      ¥37.63
  • 订货
  • 是一种偏置生成系统,用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时,该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件,因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决,因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置,并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压,因此可以在任何电源电压下工作。
    数据手册
    • 10+

      ¥48
    • 1000+

      ¥41.04
    高速、高电压、高端栅极驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥28.9332 / 个
    具 900mA 升压型转换器的双路全桥式压电驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥36.2664 / 个
    • 1+

      ¥23.85
    • 200+

      ¥9.23
    • 500+

      ¥8.91
    • 1000+

      ¥8.75
  • 订货
  • 高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥24.1056 / 个
    快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥27.1728 / 个
    LTC7067可驱动两个高端N沟道MOSFET,其电源电压最高可达140V。两个驱动器可采用不同的接地参考,具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。这两个驱动器相互对称且彼此独立,支持互补或非互补开关操作
    • 单价:

      ¥14.688 / 个
    具升压型稳压器的半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥43.9452 / 个
    7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器、小尺寸、大电流MOSFET驱动器,理想用于高频开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥8.78
    • 10+

      ¥8.6
    • 30+

      ¥8.48
    • 100+

      ¥8.36
  • 订货
  • 带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥15.012 / 个
    LTC4446是一款高频高压栅极驱动器,可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A,下拉输出阻抗为1.2Ω
    数据手册
    • 1+

      ¥20.49
    • 200+

      ¥7.93
    • 500+

      ¥7.65
    • 1000+

      ¥7.52
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