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是一款四路高端栅极驱动器,允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道,每个通道包含一个完全自包含的电荷泵,无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器,用于检测开关电流。当超过预设电流水平时,开关将关闭。开关将关闭一段时间,该时间由外部定时电容器设置,然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在,这个循环将重复进行,直到故障消除,从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计,例如工业和汽车应用,这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。
数据手册
  • 1+

    ¥99.85
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  • 高速、双通道、4 A MOSFET驱动器
    数据手册
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    • 30+

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  • ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器,能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸,同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器,提供两级过温保护,即过温警告和在极端结温下的过温关断功能
    数据手册
    • 1+

      ¥11.54
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      ¥8.75
  • 订货
  • 是一款高端栅极驱动器,允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵,无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时,开关将关闭,并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭,然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在,这个循环将重复,直到故障消除,从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计,如工业和汽车应用,可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。
    数据手册
    • 1+

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      ¥32.47
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      ¥31.92
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  • 高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
    数据手册
    • 100+

      ¥36.41
    • 1000+

      ¥35.417
    是一款四路高端栅极驱动器,允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道,每个通道包含一个完全自包含的电荷泵,无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器,用于检测开关电流。当超过预设电流水平时,开关将关闭。开关将关闭一段时间,该时间由外部定时电容器设置,然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在,这个循环将重复进行,直到故障消除,从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计,例如工业和汽车应用,这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥63.17
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      ¥61.05
  • 订货
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      ¥7.67
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      ¥4.41
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  • 7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器、小尺寸、大电流MOSFET驱动器,理想用于高频开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥8.78
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      ¥17.428644
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      ¥18.24
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  • 带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥18.7164 / 个
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      ¥20.45
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    • 100+

      ¥14.02
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      ¥13.21
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      ¥12.84
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  • LTC4446是一款高频高压栅极驱动器,可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A,下拉输出阻抗为1.2Ω
    数据手册
    • 1+

      ¥20.49
    • 200+

      ¥7.93
    • 500+

      ¥7.65
    • 1000+

      ¥7.52
  • 订货
  • 高速、高电压、高端栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥26.65
    • 30+

      ¥26.21
    • 100+

      ¥25.76
  • 订货
  • LTC7067可驱动两个高端N沟道MOSFET,其电源电压最高可达140V。两个驱动器可采用不同的接地参考,具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。这两个驱动器相互对称且彼此独立,支持互补或非互补开关操作
    • 单价:

      ¥18.252 / 个
    是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA(LTC1981为20μA)。低静态电流和低关断电流(低于1μA)使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V,为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚,驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥58.798872
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      ¥55.532268
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      ¥47.910192
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      ¥44.099154
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      ¥29.59
    • 10+

      ¥25.48
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      ¥23.04
    • 100+

      ¥20.57
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      ¥19.43
    • 1000+

      ¥18.92
  • 订货
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      ¥34.34
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      ¥33.58
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      ¥33.08
    • 100+

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  • 订货
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      ¥27.74
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      ¥23.61
    • 1000+

      ¥23.03
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  • 是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器,可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵,可完全增强外部N沟道MOSFET开关,使其能够无限期导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容,非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.11
    • 10+

      ¥36.29
    • 30+

      ¥35.74
    • 100+

      ¥35.19
  • 订货
    • 1+

      ¥38.37
    • 10+

      ¥33.05
    • 30+

      ¥29.81
    • 100+

      ¥27.09
  • 订货
    • 1+

      ¥38.37
    • 10+

      ¥33.05
    • 30+

      ¥29.81
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