美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSS84-7-F 编号：C85202

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

20+
￥0.2328
200+
￥0.1826
600+
￥0.1546
3000+
￥0.1379
9000+
￥0.1233
21000+
￥0.1155

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型号：2N7002DW-7-F 编号：C83571

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.2877
100+
￥0.2303
300+
￥0.2016
3000+
￥0.1801
6000+
￥0.1629
9000+
￥0.1543

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型号：B240A-13-F 编号：C92506

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

10+
￥0.3577
100+
￥0.2825
300+
￥0.2449
1000+
￥0.2167
5000+
￥0.1896
10000+
￥0.1783

有货

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型号：DMG2305UX-13 编号：C144153

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.4997
50+
￥0.4016
150+
￥0.3526
500+
￥0.3158
2500+
￥0.2864
5000+
￥0.2637

有货

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型号：DFLS240L-7 编号：C74179

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。高浪涌能力。高电流能力和低正向压降。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.711
50+
￥0.5774
150+
￥0.5106
500+
￥0.4606
3000+
￥0.3674
6000+
￥0.3473

有货

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型号：AP2210K-3.3TRG1 编号：C176959

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA的超低压差线性稳压器（ULDO），提供极低的噪声、超低的压差（在300mA时典型值为250mV）、极低的待机电流（最大1μA）和出色的电源纹波抑制比（在100Hz时PSRR为75dB）。该器件用于电池供电的应用，如手机和个人数字助理（PDA）；以及对噪声敏感的应用，如射频（RF）电子设备。还具有独立的逻辑兼容使能/关断控制输入、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护和反向电流保护。有2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.0V、5.0V和可调版本。采用节省空间的SOT-23-3和SOT-23-5封装。

数据手册

5+
￥0.7156
50+
￥0.562
150+
￥0.4852
500+
￥0.4276
3000+
￥0.3815
6000+
￥0.3584

有货

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型号：D1213A-02SOL-7 编号：C460585

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 2通道ESD保护。低通道输入电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9087
50+
￥0.7247
150+
￥0.6327
500+
￥0.5637
3000+
￥0.5085
6000+
￥0.4809

有货

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型号：APX823-26W5G-7 编号：C156283

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

APX823/APX824/APX825A系列监控器提供电路初始化和时序监控功能，主要用于基于DSP和处理器的系统。上电期间，当电源电压VCC高于1.1V时，RESET信号有效。此后，电源电压监控器会监测VCC，只要VCC保持在阈值电压VTH以下，就会使RESET信号保持有效

数据手册

5+
￥0.936
50+
￥0.7319
150+
￥0.6445
500+
￥0.5354
3000+
￥0.4782
6000+
￥0.449

有货

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型号：PAM8302AADCR 编号：C112137

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

PAM8302A是一款2.5W D类单声道音频放大器。其低总谐波失真加噪声（THD+N）特性可实现高质量声音再现。全新的无滤波器架构使该器件能够直接驱动扬声器，而无需使用低通输出滤波器，从而节省了系统成本和PCB面积。在外部元件数量相同的情况下，PAM8302A的效率远高于AB类同类产品。它可以优化电池续航时间，因此非常适合便携式应用。PAM8302A提供MSOP - 8、SO - 8和U - DFN3030 - 8（E型）封装。

数据手册

5+
￥1.3569
50+
￥1.0847
150+
￥0.9681
500+
￥0.8225
2500+
￥0.6791
5000+
￥0.6402

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型号：PDS5100-13 编号：C124201

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：Guard Ring Die Construction for Transient Protection。高浪涌电流能力。低泄漏电流。低正向压降。高正向浪涌电流能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.5589
50+
￥1.2515
150+
￥1.1197
500+
￥0.9554
2500+
￥0.8369
5000+
￥0.7929

有货

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型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

数据手册

5+
￥1.6649
50+
￥1.3198
150+
￥1.1719
500+
￥0.9874
3000+
￥0.9052
6000+
￥0.8559

有货

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型号：PAM8406DR 编号：C86270

封装：SOIC-16

品牌：DIODES(美台)

PAM8406是一款5W音频放大器，具备D类和AB类输出可选功能，使其非常适用于兼顾效率与电磁干扰（EMI）的应用场景。PAM8406的低总谐波失真加噪声（THD+N）和高信噪比（SNR）特性，使其能够实现高品质的声音再现。该器件采用全新无滤波架构（D类模式）的全差分输出，可直接驱动扬声器，无需低通输出滤波器和直流阻隔电容，从而节省了系统成本和印刷电路板（PCB）面积。该器件的效率高达90%，可延长电池续航时间，非常适合便携式应用。它具备完善的故障保护功能，包括短路保护和热保护。PAM8406提供SOP - 16L/SOP - 16(EP)封装。

数据手册

1+
￥2.49
10+
￥1.93
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.25
1000+
￥1.17

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型号：PAM2863ECR 编号：C80312

封装：SOIC-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款连续模式电感降压转换器，设计用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联连接的LED。该器件的输入电源电压范围为4.5V至40V，可提供高达2A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件的不同，可提供高达30瓦的输出功率。包含输出开关和高端输出电流检测电路，使用外部电阻设置标称平均输出电流。可通过向VSET引脚施加外部控制信号将输出电流调整到设定值以下。VSET引脚可接受直流电压或PWM波形。可使用从VSET引脚到地的外部电容器来增加软启动时间。向VSET引脚施加0.2V或更低的电压可关闭输出，并将器件切换到低电流待机状态。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.11
30+
￥1.86
100+
￥1.55
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

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型号：AP64350SP-13 编号：C2071691

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64350是一款3.5A同步降压转换器,输入电压范围为3.8V至40V,具有高效率的降压DC-DC转换功能。该器件集成了75mΩ高侧和45mΩ低侧功率MOSFET,采用峰值电流模式控制,具有电磁干扰(EMI)减少功能。

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1+
￥5.46
10+
￥4.43
30+
￥3.92
100+
￥3.41
500+
￥3.1
1000+
￥2.94

有货

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型号：AP64500SP-13 编号：C2070920

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64500是一款5A同步降压转换器,具有3.8V至40V的宽输入电压范围。该器件集成了45mΩ高侧和20mΩ低侧功率MOSFET,提供高效能的降压DC-DC转换。采用峰值电流模式控制,减少外部组件数量,优化EMI性能。

数据手册

1+
￥9.52
10+
￥7.8
30+
￥6.85
100+
￥5.78
500+
￥5.3
1000+
￥5.09

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型号：FMMT417TD 编号：C508216

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速沿的大电流脉冲。

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1+
￥50.96
10+
￥44.68
30+
￥38.6
100+
￥35.4

有货

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型号：BAT54-7-F 编号：C106920

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，可实现瞬态和静电放电（ESD）保护，完全采用无铅表面处理，符合RoHS标准，是“绿色”器件。

数据手册

20+
￥0.1564
200+
￥0.1253
600+
￥0.108
3000+
￥0.0976
9000+
￥0.0886
21000+
￥0.0838

有货

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型号：BZT52C15-7-F 编号：C177014

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2052
200+
￥0.1617
600+
￥0.1375
3000+
￥0.1194
9000+
￥0.1068

有货

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型号：1N5711WS-7-F 编号：C151442

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。快速开关速度。低电容。表面贴装封装，非常适合自动插入。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.2511
200+
￥0.1994
600+
￥0.1707
3000+
￥0.1465
9000+
￥0.1315
21000+
￥0.1235

有货

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型号：D5V0L1B2S9-7 编号：C508181

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

10+
￥0.3217
100+
￥0.2581
300+
￥0.2262
1000+
￥0.2024
5000+
￥0.1791
10000+
￥0.1695

有货

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型号：B130LAW-7-F 编号：C129191

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。极低正向压降。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.42
100+
￥0.3295
300+
￥0.2842
3000+
￥0.2502
6000+
￥0.2231
9000+
￥0.2095

有货

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型号：DMP4065S-7 编号：C182476

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4749
100+
￥0.3798
300+
￥0.3323
3000+
￥0.2884
6000+
￥0.2599
9000+
￥0.2456

有货

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型号：S3MB-13-F 编号：C70426

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6526
50+
￥0.5131
150+
￥0.4434
500+
￥0.3911
3000+
￥0.341
6000+
￥0.32

有货

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型号：SMAJ5.0A-13-F 编号：C87074

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6864
50+
￥0.5491
150+
￥0.4805
500+
￥0.429
2500+
￥0.3366
5000+
￥0.316

有货

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型号：AP2210N-3.3TRG1 编号：C155508

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA的超低压差线性稳压器（ULDO），提供极低的噪声、超低的压差（在300mA时典型值为250mV）、极低的待机电流（最大1μA）和出色的电源纹波抑制比（在100Hz时PSRR为75dB）。该器件用于电池供电的应用，如手机和个人数字助理（PDA）；以及对噪声敏感的应用，如射频（RF）电子设备。还具有独立的逻辑兼容使能/关断控制输入、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护和反向电流保护。有2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.0V、5.0V和可调版本。采用节省空间的SOT-23-3和SOT-23-5封装。

数据手册

5+
￥0.7051
50+
￥0.5642
150+
￥0.4938
500+
￥0.441
3000+
￥0.3439
6000+
￥0.3228

有货

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型号：SMAJ15A-13-F 编号：C110520

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.815
50+
￥0.6592
150+
￥0.5813
500+
￥0.5229
2500+
￥0.4762
5000+
￥0.4528

有货

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型号：B340AE-13 编号：C168859

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

该肖特基整流器具有低正向压降（VF），且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。

数据手册

5+
￥0.8211
50+
￥0.6688
150+
￥0.5926
500+
￥0.5355
2500+
￥0.4645
5000+
￥0.4416

有货

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型号：AZ1117D-3.3TRE1 编号：C362112

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

是一系列低压差三端稳压器，在1A输出电流下压差为1.15V。提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调的带隙基准，以确保1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和可调版本的输出电压精度在1%以内，1.2V版本的输出电压精度在2%以内。限流经过微调，以确保指定的输出电流和受控的短路电流。片上热关断功能可防止任何过载和环境温度组合导致的结温过高。有一个可调版本，仅需2个外部电阻即可提供1.25V至12V的输出电压。采用行业标准SOT223、SOT89、TO220-3、TO252-23、TO252-24、TO252-25和TO263电源封装。

数据手册

5+
￥0.8442
50+
￥0.6726
150+
￥0.5868
500+
￥0.5225
2500+
￥0.4082
5000+
￥0.3825

有货

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型号：ZXTP2012ZTA 编号：C122574

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -4.3A，高连续电流。 RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

5+
￥1.9702
50+
￥1.5846
150+
￥1.4194
1000+
￥1.1414
2000+
￥1.0496
5000+
￥0.9945

有货

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型号：AP64060WU-7 编号：C6500862

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP64060是一款600mA同步降压转换器，输入电压范围宽，为4.5V至40V。该器件完全集成了一个600mΩ的高端功率MOSFET和一个300mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC - DC转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP64060最大限度地减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

5+
￥1.978
50+
￥1.5748
150+
￥1.402
500+
￥1.1864
3000+
￥1.0904
6000+
￥1.0328

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