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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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特性:外延平面芯片结构。 低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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  • 10+

    ¥0.2646
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    ¥0.2121
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    ¥0.1858
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    ¥0.1441
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    ¥0.1204
  • 有货
  • 这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻,同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用,如:小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用
    数据手册
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      ¥0.2668
    • 200+

      ¥0.2162
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      ¥0.1881
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      ¥0.1476
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      ¥0.1397
  • 有货
  • 1对共阴极 肖特基阵列
    数据手册
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      ¥0.2845
    • 200+

      ¥0.2311
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    • 3000+

      ¥0.1653
    • 9000+

      ¥0.1499
    • 21000+

      ¥0.1416
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快速恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 高电流能力。 非常适合自动组装。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3018
    • 100+

      ¥0.2479
    • 300+

      ¥0.2209
    • 1000+

      ¥0.2007
    • 5000+

      ¥0.1767
    • 10000+

      ¥0.1686
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
    数据手册
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      ¥0.428
    • 100+

      ¥0.3497
    • 300+

      ¥0.3106
    • 3000+

      ¥0.2799
    • 6000+

      ¥0.2565
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      ¥0.2447
  • 有货
  • 这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
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      ¥0.4884
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      ¥0.4081
    • 300+

      ¥0.368
    • 3000+

      ¥0.3376
    • 6000+

      ¥0.3135
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      ¥0.3015
  • 有货
  • AS358/358A/358B由两个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成,它们专为单电源供电而设计。也可以采用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5512
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      ¥0.435
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      ¥0.3769
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  • 有货
  • 是一款低压差三端稳压器,针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准,以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻,可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列(包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5))、SOT89 和 SOT223 封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6878
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      ¥0.5645
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      ¥0.4197
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      ¥0.4012
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A,高电流增益保持。应用:DC-DC / DC-AC 模块。 稳压器
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    • 5+

      ¥0.747
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      ¥0.6622
    • 150+

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      ¥0.488
  • 有货
  • PAM8302A是一款2.5W D类单声道音频放大器。其低总谐波失真加噪声(THD+N)特性可实现高质量声音再现。全新的无滤波器架构使该器件能够直接驱动扬声器,而无需使用低通输出滤波器,从而节省了系统成本和PCB面积。在外部元件数量相同的情况下,PAM8302A的效率远高于AB类同类产品。它可以优化电池续航时间,因此非常适合便携式应用。PAM8302A提供MSOP - 8、SO - 8和U - DFN3030 - 8(E型)封装。
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      ¥0.6961
    • 5000+

      ¥0.66
  • 有货
  • P沟道,-20V,-0.46A,0.7Ω@-4.5V
    数据手册
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      ¥0.2552
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      ¥0.1305
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      ¥0.1228
  • 有货
  • 这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
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      ¥0.2817
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      ¥0.1611
  • 有货
  • 74LVC1G07是一款带有漏极开路输出的单缓冲门。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。
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      ¥0.3903
    • 100+

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      ¥0.2637
    • 6000+

      ¥0.2434
    • 9000+

      ¥0.2333
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达500A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子处+260℃/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4315
    • 100+

      ¥0.3502
    • 300+

      ¥0.3095
    • 1000+

      ¥0.279
    • 5000+

      ¥0.2496
    • 10000+

      ¥0.2374
  • 有货
  • P沟道,-30V,-3.8A,70mΩ@-10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4842
    • 100+

      ¥0.3975
    • 300+

      ¥0.3542
    • 3000+

      ¥0.3009
    • 6000+

      ¥0.2749
    • 9000+

      ¥0.2619
  • 有货
  • 这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(on))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5347
    • 50+

      ¥0.4335
    • 150+

      ¥0.3829
    • 500+

      ¥0.3449
    • 2500+

      ¥0.3145
    • 5000+

      ¥0.2911
  • 有货
  • 74LVC1T45是一款单比特、双电源收发器,具有三态输出,适用于在不同电压域之间传输单个逻辑位。A输入/输出引脚设计为跟踪VCCA,而B输入/输出引脚跟踪VCCB。这种配置允许在1.65V至5.5V的任意电压之间进行通用低压转换
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5587
    • 100+

      ¥0.4667
    • 300+

      ¥0.4206
    • 3000+

      ¥0.3592
    • 6000+

      ¥0.3316
    • 9000+

      ¥0.3178
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6233
    • 50+

      ¥0.5048
    • 150+

      ¥0.4456
    • 500+

      ¥0.4012
    • 3000+

      ¥0.3509
    • 6000+

      ¥0.3331
  • 有货
  • N沟道,20V,1A
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6525
    • 50+

      ¥0.5325
    • 150+

      ¥0.4725
    • 500+

      ¥0.4275
    • 3000+

      ¥0.3781
    • 6000+

      ¥0.36
  • 有货
  • 这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(on))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7081
    • 50+

      ¥0.5737
    • 150+

      ¥0.5065
    • 500+

      ¥0.4561
    • 3000+

      ¥0.4158
    • 6000+

      ¥0.3956
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.2A,52mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8538
    • 50+

      ¥0.7095
    • 150+

      ¥0.6374
    • 500+

      ¥0.5833
    • 3000+

      ¥0.4921
    • 6000+

      ¥0.4704
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层;符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9051
    • 50+

      ¥0.7274
    • 150+

      ¥0.6385
    • 500+

      ¥0.5719
    • 3000+

      ¥0.508
    • 6000+

      ¥0.4813
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗,高效率。 浪涌过载额定值达125A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9495
    • 50+

      ¥0.7807
    • 150+

      ¥0.6963
    • 500+

      ¥0.633
    • 3000+

      ¥0.5588
    • 6000+

      ¥0.5335
  • 有货
  • 是一款采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差、低噪声、限流和超低静态电流等特点,适用于各种USB和便携式设备。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT-23-5、SOT-89和PSOP-8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0874
    • 50+

      ¥0.8974
    • 150+

      ¥0.8024
    • 500+

      ¥0.7311
    • 3000+

      ¥0.6037
    • 6000+

      ¥0.5752
  • 有货
  • PAM8302A是一款2.5W D类单声道音频放大器。其低总谐波失真加噪声(THD+N)特性可实现高质量声音再现。全新的无滤波器架构使该器件能够直接驱动扬声器,而无需使用低通输出滤波器,从而节省了系统成本和PCB面积。在外部元件数量相同的情况下,PAM8302A的效率远高于AB类同类产品。它可以优化电池续航时间,因此非常适合便携式应用。PAM8302A提供MSOP - 8、SO - 8和U - DFN3030 - 8(E型)封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3157
    • 50+

      ¥1.0436
    • 150+

      ¥0.9269
    • 500+

      ¥0.7814
    • 2500+

      ¥0.6379
    • 5000+

      ¥0.599
  • 有货
  • 是一种迟滞模式的DC-DC降压转换器,用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联的LED。该设备可以在4.5V至40V的输入电源下工作,TSOT25封装可提供高达1A的外部可调输出电流,SOT89-5和MSOP-8EP封装可提供高达1.5A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件,该转换器可提供高达40W的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流检测电路,使用外部电阻设置标称平均输出电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6041
    • 50+

      ¥1.2922
    • 150+

      ¥1.1586
    • 500+

      ¥0.9919
    • 2500+

      ¥0.8467
    • 5000+

      ¥0.8022
  • 有货
  • 特性:超低正向压降。 专利超势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 150℃工作结温。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 是一种迟滞模式的 DC-DC 降压转换器,用于从高于 LED 电压的电压源高效驱动单个或多个串联 LED。可在 4.5V 至 40V 的输入电源下工作,并提供高达 3A 的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件,该转换器可提供高达 60W 的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流检测电路,使用外部电阻设置标称平均输出电流。可通过向 CTRL 引脚施加外部控制信号实现调光,CTRL 引脚可接受直流电压信号或 PWM 信号。软启动时间可通过从 CTRL 引脚到地的外部电容进行调节,向 CTRL 引脚施加 0.3V 或更低的电压将关闭功率开关。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7758
    • 50+

      ¥2.297
    • 150+

      ¥2.0918
    • 500+

      ¥1.6603
    • 2500+

      ¥1.5463
    • 5000+

      ¥1.4779
  • 有货
  • 是一款连续模式电感降压转换器,设计用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联连接的LED。该器件的输入电源电压范围为4.5V至40V,可提供高达2A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件的不同,可提供高达30瓦的输出功率。包含输出开关和高端输出电流检测电路,使用外部电阻设置标称平均输出电流。可通过向VSET引脚施加外部控制信号将输出电流调整到设定值以下。VSET引脚可接受直流电压或PWM波形。可使用从VSET引脚到地的外部电容器来增加软启动时间。向VSET引脚施加0.2V或更低的电压可关闭输出,并将器件切换到低电流待机状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.51
    • 1000+

      ¥1.42
  • 有货
  • AP64350是一款3.5A同步降压转换器,输入电压范围为3.8V至40V,具有高效率的降压DC-DC转换功能。该器件集成了75mΩ高侧和45mΩ低侧功率MOSFET,采用峰值电流模式控制,具有电磁干扰(EMI)减少功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.05
    • 10+

      ¥4.99
    • 30+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥3.93
    • 500+

      ¥3.62
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      ¥3.46
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