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首页 > 热门关键词 > 安世驱动芯片
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平面肖特基势垒二极管,带有用于应力保护的集成保护环,采用SOD523(SC-79)超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
数据手册
  • 5+

    ¥2.2175
  • 50+

    ¥1.7832
  • 150+

    ¥1.597
  • 500+

    ¥1.3647
  • 3000+

    ¥1.2256
  • 6000+

    ¥1.1636
  • 有货
  • NPN/NPN 配备电阻的双晶体管 (RET),采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2762
    • 50+

      ¥2.0051
    • 150+

      ¥1.8889
    • 500+

      ¥1.7439
    • 3000+

      ¥1.6794
    • 6000+

      ¥1.6406
  • 有货
  • 完全符合OPEN Alliance 100BASE-T1标准的静电放电(ESD)保护装置,采用小型SOT23表面贴装塑料封装,旨在保护两条汽车车载网络总线免受ESD和其他瞬态损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3411
    • 50+

      ¥1.9127
    • 150+

      ¥1.7292
    • 500+

      ¥1.5001
    • 3000+

      ¥1.3982
    • 6000+

      ¥1.3369
  • 有货
  • 采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的低电容单向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护单条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.468
    • 50+

      ¥1.9963
    • 150+

      ¥1.7941
    • 500+

      ¥1.5419
    • 3000+

      ¥1.4295
    • 6000+

      ¥1.3621
  • 有货
  • 带有电阻的PNP晶体管和两个二极管集成在一个芯片上的LED驱动器,采用SOT457(SC-74)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5236
    • 50+

      ¥2.2212
    • 150+

      ¥2.0916
    • 500+

      ¥1.9299
    • 3000+

      ¥1.8579
    • 6000+

      ¥1.8146
  • 有货
  • 采用SOT23塑料封装的PNP晶体管。与之互补的NPN晶体管型号为:BF820、BF822。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5964
    • 50+

      ¥2.2009
    • 150+

      ¥2.0313
    • 500+

      ¥1.8198
    • 3000+

      ¥1.7257
    • 6000+

      ¥1.6691
  • 有货
  • 平面肖特基势垒整流器,集成保护环用于应力保护,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.65
    • 10+

      ¥2.07
    • 30+

      ¥1.82
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • 低电容单向五通道静电放电(ESD)保护二极管阵列,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护多达五条单向信号线免受ESD及其他瞬态干扰造成的损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.59
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.38
  • 有货
  • 肖特基势垒四二极管,带有用于应力保护的集成保护环。两个电气隔离的双肖特基势垒二极管串联,封装在非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7156
    • 50+

      ¥2.2632
    • 150+

      ¥2.0692
    • 500+

      ¥1.8273
    • 3000+

      ¥1.7196
    • 6000+

      ¥1.6549
  • 有货
  • 是一款双反相器。输入包含钳位二极管,允许使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7586
    • 50+

      ¥2.3806
    • 150+

      ¥2.2186
    • 500+

      ¥2.0165
    • 3000+

      ¥1.9266
    • 6000+

      ¥1.8725
  • 有货
  • PNP高功率双极晶体管,采用功率DPAK、TO-252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号:MJD45H11
    数据手册
    • 1+

      ¥2.85
    • 10+

      ¥2.23
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

      ¥1.64
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 74HC10、74HCT10 是一款三 3 输入与非门。输入包含钳位二极管,允许使用限流电阻将输入连接到高于 VCC 的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.74
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.53
  • 有货
  • 采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装器件(SMD)塑料封装的400 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为瞬态过电压保护而设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥3.0425
    • 50+

      ¥2.6144
    • 150+

      ¥2.4309
    • 500+

      ¥2.2019
    • 3000+

      ¥2.0446
    • 6000+

      ¥1.9834
  • 有货
  • HEF4013B 是一款带置位和复位功能的双 D 型触发器,采用正边沿触发。输入包含钳位二极管,这使得可使用限流电阻将输入连接到高于 VDD 的电压。
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.98
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.74
  • 有货
  • 74HC153、74HCT153是双4输入多路复用器。该器件具有独立的使能输入(nE)和公共数据选择输入(S0和S1)。对于每个多路复用器,选择输入会从四个二进制输入中选择一个,并将其路由至多路复用器输出(nY)
    数据手册
    • 5+

      ¥3.3129
    • 50+

      ¥2.8117
    • 150+

      ¥2.5969
    • 500+

      ¥2.3289
    • 2500+

      ¥2.2096
    • 5000+

      ¥2.138
  • 有货
  • 采用小型SOT143B表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双轨到轨静电放电(ESD)保护二极管。该器件旨在保护两条高速数据线或高频信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。PRTR5V0U2AX集成了两个超低电容轨到轨二极管和一个额外的ESD保护二极管,即使在没有电源电压的情况下也能确保信号线得到保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.57
    • 1000+

      ¥2.49
  • 有货
  • 是 8 位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该器件具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0 至 D7) 和两个互补串行输出 (Q7 和 Q7)。当并行加载输入 (PL) 为低电平时,数据从 D0 至 D7 异步加载到移位寄存器中。当 PL 为高电平时,数据在 DS 处串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时,数据在 CP 输入的低到高转换时移位。CE 上的高电平将禁用 CP 输入。输入可承受高达 15 V 的过电压,这使该器件可用于高到低电平转换应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.45
    • 30+

      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.7
    • 500+

      ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.36
  • 有货
  • 双单刀四掷模拟开关,适用于4:1模拟或数字多路复用器/解复用器应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.23
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.25
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • 平面型最大效率通用(MEGA)肖特基势垒整流器,集成保护环以提供应力保护,采用无引脚超小型DFN1608D - 2(SOD1608)表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面焊盘可见且可焊接。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

      ¥3.82
    • 30+

      ¥3.46
    • 100+

      ¥3.09
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.77
  • 有货
  • 平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,封装在SOD128小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
    • 1+

      ¥4.94
    • 10+

      ¥4.24
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.56
    • 500+

      ¥3.39
    • 1000+

      ¥3.29
  • 有货
  • 采用表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP中功率晶体管系列。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.12
    • 10+

      ¥4.59
    • 30+

      ¥4.37
    • 100+

      ¥4.08
    • 500+

      ¥3.96
    • 1000+

      ¥3.88
  • 有货
  • NPN低VCEsat小信号突破(BISS)晶体管,采用中功率扁平引脚SOT89(SC-62)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号为PBSS4041PX。
    • 1+

      ¥5.15
    • 10+

      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.57
    • 100+

      ¥3.05
    • 500+

      ¥2.74
    • 1000+

      ¥2.58
  • 有货
  • 平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,封装在SOD128小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.39
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥4
    • 500+

      ¥3.79
    • 1000+

      ¥3.67
  • 有货
  • 采用TrenchMOS™1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。产品供货情况:采用SOT23封装的BSH108。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.48
    • 10+

      ¥4.75
    • 30+

      ¥4.39
    • 100+

      ¥4.03
    • 500+

      ¥3.82
    • 1000+

      ¥3.7
  • 有货
  • P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 1+

      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.58
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.63
    • 500+

      ¥3.35
    • 1000+

      ¥3.2
  • 有货
  • 采用最新沟槽 9 低欧姆超结技术的汽车级 N 沟道 MOSFET,封装于坚固的 LFPAK56 封装中。该产品经过全面设计和认证,符合 AEC-Q101 要求,具有高性能和耐用性。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.33
    • 10+

      ¥6.82
    • 30+

      ¥5.99
    • 100+

      ¥5.06
    • 500+

      ¥4.64
    • 1500+

      ¥4.45
  • 有货
    • 1+

      ¥9.68
    • 10+

      ¥7.99
    • 30+

      ¥7.06
    • 100+

      ¥6.01
    • 500+

      ¥5.55
    • 1500+

      ¥5.34
  • 有货
  • 采用先进的TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK56封装的240A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.97
    • 10+

      ¥11.55
    • 30+

      ¥10.78
    • 100+

      ¥9.9
    • 500+

      ¥9.51
    • 1500+

      ¥9.34
  • 有货
  • 低功耗电压调节二极管,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24的±1%、±2%和大约±5%公差范围。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压从2.4 V到75 V。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.65
    • 10+

      ¥11.45
    • 30+

      ¥10.07
    • 100+

      ¥8.66
    • 500+

      ¥8.02
    • 1000+

      ¥7.75
  • 有货
  • 是一款 4 位双电源收发器,可实现双向电平转换。该器件可用作两个 2 位收发器或一个 4 位收发器。它具有四个 2 位输入输出端口(nAn 和 nBn)、一个方向控制输入(nDIR)、一个输出使能输入(nOE)和双电源引脚(VCC(A) 和 VCC(B))。VCC(A) 和 VCC(B) 均可在 0.8V 至 3.6V 之间的任何电压下供电,使该器件适用于任何低压节点(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V 和 3.3V)之间的转换。引脚 nAn、nOE 和 nDIR 参考 VCC(A),引脚 nBn 参考 VCC(B)。nDIR 为高电平时允许从 nAn 传输到 nBn,nDIR 为低电平时允许从 nBn 传输到 nAn
    数据手册
    • 1+

      ¥20.3
    • 10+

      ¥17.34
    • 30+

      ¥15.49
    • 100+

      ¥13.59
    • 500+

      ¥12.74
    • 1000+

      ¥12.36
  • 有货
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