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首页 > 热门关键词 > 安世驱动芯片
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  • 采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V
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  • 平面肖特基势垒二极管,集成保护环以提供应力保护,采用超小型扁平引脚 SOD523(SC - 79)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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  • 74LVC1G57是一款带施密特触发器输入的可配置多功能门电路。该器件可通过3位输入配置成以下任意逻辑功能:与门、或门、与非门、或非门、同或门、反相器和缓冲器
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  • 8KV接触, 15KV空隙放电
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  • 采用SOD962无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装的低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。
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  • N-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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  • 单正边沿触发D型触发器。D输入的数据在时钟从低到高转换时满足建立和保持时间要求,将被存储在触发器中,其反码将出现在Q输出端。输入可以由3.3V或5V设备驱动,此特性允许这些设备在混合3.3V和5V环境中用作转换器。所有输入的施密特触发器动作使电路能够容忍较慢的输入上升和下降时间。该器件针对使用I_OFF的部分掉电应用进行了全面规定。I_OFF电路可禁用输出,防止器件掉电时通过器件产生潜在的破坏性回流电流。
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  • 采用SOT323(SC - 70)超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP开关晶体管。互补NPN型晶体管为PMST3904。
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  • 低功耗通用稳压二极管,采用非常小的SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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  • 74LVC1G04是一款单反相器。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动。这一特性使得这些器件可在3.3 V和5 V混合环境中用作电平转换器
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  • 74LVC1G97 是一种具有施密特触发器输入的可配置多功能门电路。该器件可以通过3位输入配置为以下任何逻辑功能:MUX、与门、或门、与非门、或非门、反相器和缓冲器。所有输入可以连接到VCC或GND。输入可以从3.3 V或5 V设备驱动,允许这些设备在混合3.3 V和5 V环境中用作电平转换器。该器件完全支持使用IOFF的部分断电应用。IOFF电路会禁用输出,防止在器件断电时通过器件产生损坏性的反向电流。
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  • 有货
  • 采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V
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  • NPN低VCEsat晶体管,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号:PBSS5350T-Q
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      ¥0.9054
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      ¥0.7278
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      ¥0.5191
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      ¥0.4924
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  • 是单路 2 输入或门。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。
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  • 有货
  • 是一款单正沿触发 D 型触发器,具有独立的数据 (D)、时钟 (CP)、置位 (SD) 和复位 (RD) 输入,以及互补的 Q 和 Q 输出。D 输入上满足建立和保持时间要求的数据,将在时钟从低到高转换时存储在触发器中,并出现在 Q 输出端。输入可以由 3.3V 或 5V 器件驱动,此特性允许该器件在混合 3.3V 和 5V 环境中用作转换器。所有输入均具有施密特触发功能,使电路能够容忍较慢的输入上升和下降时间。该器件针对使用 I_OFF 的部分掉电应用进行了全面规范。I_OFF 电路可禁用输出,防止器件掉电时产生潜在的破坏性回流电流。
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    • 1+

      ¥0.917 ¥2.62
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      ¥0.291 ¥1.94
    • 1000+

      ¥0.2835 ¥1.89
  • 有货
  • 采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的极低电容单向四通道静电放电(ESD)保护二极管阵列,旨在保护多达四条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9195
    • 50+

      ¥0.754538 ¥0.8027
    • 150+

      ¥0.632184 ¥0.7526
    • 500+

      ¥0.579684 ¥0.6901
    • 2500+

      ¥0.556332 ¥0.6623
    • 4000+

      ¥0.542304 ¥0.6456
  • 有货
  • N沟道,60V,0.27A,2.8Ω@10V
    数据手册
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      ¥0.9354
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      ¥0.7251
    • 150+

      ¥0.6349
    • 500+

      ¥0.5225
    • 3000+

      ¥0.4724
    • 6000+

      ¥0.4424
  • 有货
  • 74AUP1G08 是一款单路 2 输入与门。所有输入均具备施密特触发功能,使该电路能耐受较慢的输入上升和下降时间
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9556
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      ¥0.7528
    • 150+

      ¥0.6658
    • 500+

      ¥0.5574
    • 3000+

      ¥0.5091
    • 6000+

      ¥0.4801
  • 有货
  • 外延中速开关二极管,采用小型 SOT23 塑料贴片封装,漏电流低。
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.7658
    • 150+

      ¥0.6779
    • 500+

      ¥0.5682
    • 3000+

      ¥0.5193
    • 6000+

      ¥0.49
  • 有货
  • 通用齐纳二极管,采用SOD523 (SC-79)超小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.994
    • 50+

      ¥0.7845
    • 150+

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      ¥0.5827
    • 3000+

      ¥0.5287
    • 6000+

      ¥0.4988
  • 有货
  • 双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装封装 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0303
    • 50+

      ¥0.8123
    • 150+

      ¥0.7188
    • 500+

      ¥0.6022
    • 3000+

      ¥0.5503
    • 6000+

      ¥0.5192
  • 有货
  • 通用齐纳二极管,采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0669
    • 50+

      ¥0.9229
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.7969
    • 3000+

      ¥0.7357
    • 6000+

      ¥0.714
  • 有货
  • 15V 830mW
    数据手册
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    • 6000+

      ¥0.5829
  • 有货
  • 74LVC2G02 是一款双 2 输入或非门。其输入可由 3.3 V 或 5 V 器件驱动
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

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    • 150+

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    • 2500+

      ¥0.5709
    • 5000+

      ¥0.537
  • 有货
  • 平面最大效率通用(MEGA)肖特基势垒整流器,集成保护环用于应力保护,采用DSN0603 - 2(SDD962 - 2)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1396
    • 50+

      ¥0.9669
    • 150+

      ¥0.8805
    • 500+

      ¥0.8157
    • 2500+

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