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首页 > 热门关键词 > 安世驱动芯片
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PNP低VcEsat晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN互补型号:PBSS4240T
数据手册
  • 5+

    ¥2.0039
  • 50+

    ¥1.657
  • 150+

    ¥1.5083
  • 500+

    ¥1.3229
  • 3000+

    ¥1.2403
  • 6000+

    ¥1.1907
  • 有货
    • 5+

      ¥2.0777
    • 50+

      ¥1.638
    • 150+

      ¥1.4496
    • 500+

      ¥1.177968 ¥1.2144
    • 3000+

      ¥1.076506 ¥1.1098
    • 6000+

      ¥1.015493 ¥1.0469
  • 有货
  • 是单正边沿触发 D 型触发器。D 输入处的数据若满足低到高时钟转换时的建立和保持时间要求,将被存储在触发器中,其反相输出将出现在 Q(overline) 输出端。输入可以由 3.3V 或 5V 器件驱动,此特性允许这些器件在混合 3.3V 和 5V 环境中用作转换器。所有输入处的施密特触发器动作使电路能够容忍较慢的输入上升和下降时间。该器件针对使用 I(OFF) 的部分掉电应用进行了全面规定。I(OFF) 电路可禁用输出,防止器件在掉电时产生潜在的破坏性回流电流。该产品符合汽车电子委员会 (AEC) 标准 Q100(1 级),适用于汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0867 ¥2.71
    • 10+

      ¥1.6147 ¥2.41
    • 30+

      ¥1.2996 ¥2.28
    • 100+

      ¥1.2084 ¥2.12
    • 500+

      ¥1.1685 ¥2.05
    • 1000+

      ¥1.1457 ¥2.01
  • 有货
  • 74AVCH1T45 是一款单比特双电源收发器,可实现双向电平转换。74AVCH1T45 具备有源总线保持电路,用于将未使用或浮空的数据输入保持在有效的逻辑电平。这一特性无需使用外部上拉或下拉电阻
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1173
    • 50+

      ¥1.6873
    • 150+

      ¥1.503
    • 500+

      ¥1.24754 ¥1.273
    • 2500+

      ¥1.147286 ¥1.1707
    • 5000+

      ¥1.087016 ¥1.1092
  • 有货
  • 采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。PNP互补型号:MJD45H11A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.196
    • 50+

      ¥1.7323
    • 150+

      ¥1.5336
    • 500+

      ¥1.259986 ¥1.2857
    • 2500+

      ¥1.151794 ¥1.1753
    • 5000+

      ¥1.08682 ¥1.109
  • 有货
  • 采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。互补PNP型:MJD32CA
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2627
    • 50+

      ¥1.8374
    • 150+

      ¥1.6551
    • 500+

      ¥1.4277
    • 2500+

      ¥1.3265
    • 5000+

      ¥1.2657
  • 有货
  • 双高压开关二极管,封装在小型表面贴装器件 (SIMD) 塑料封装中。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2847
    • 50+

      ¥1.8021
    • 150+

      ¥1.5953
    • 500+

      ¥1.270435 ¥1.3373
    • 3000+

      ¥1.16128 ¥1.2224
    • 6000+

      ¥1.09573 ¥1.1534
  • 有货
  • 平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,采用SOD128小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2874
    • 50+

      ¥1.8034
    • 150+

      ¥1.5959
    • 500+

      ¥1.296987 ¥1.3371
    • 3000+

      ¥1.185146 ¥1.2218
    • 6000+

      ¥1.118022 ¥1.1526
  • 有货
  • 是一款具有三态输出的8位D型透明锁存器。该器件具有锁存使能 (LE) 和输出使能 (OE) 输入。当LE为高电平时,输入的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的;每次其对应的D输入发生变化时,锁存器输出都会改变。当LE为低电平时,锁存器存储在LE从高到低转换之前一个建立时间的输入信息。OE为高电平会使输出呈现高阻抗关断状态。OE输入的操作不影响锁存器的状态。输入包括钳位二极管,这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.48
    • 10+

      ¥1.96
    • 30+

      ¥1.73
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      ¥1.4065 ¥1.45
    • 500+

      ¥1.2901 ¥1.33
    • 1000+

      ¥1.2125 ¥1.25
  • 有货
  • 74LVC2T45、74LVCH2T45 是具有三态输出的双位、双电源转换收发器,可实现双向电平转换。它们具有两个 2 位输入输出端口(nA 和 nB)、一个方向控制输入(DIR)和双电源引脚(VCC(A) 和 VCC(B))。VCC(A) 和 VCC(B) 均可在 1.2 V 至 5.5 V 之间的任意电压下供电,使该器件适用于任何低压节点(1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V 和 5.0 V)之间的转换
    数据手册
    • 5+

      ¥2.544
    • 50+

      ¥1.9896
    • 150+

      ¥1.752
    • 500+

      ¥1.4556
    • 3000+

      ¥1.3236
    • 6000+

      ¥1.2444
  • 有货
  • HEF4049B提供六个具有高电流输出能力的反相缓冲器,适用于驱动TTL负载或高容性负载。由于允许输入电压超过缓冲器的电源电压,因此这些缓冲器还可用于将高达15 V的逻辑电平转换为标准TTL电平。它的推荐VDD电源电压范围为相对于VSS(通常为地)的3 V至15 V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.06
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 平面肖特基势垒整流器,集成保护环用于应力保护,封装在SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.63
    • 500+

      ¥1.48
    • 1000+

      ¥1.38
  • 有货
  • 74HC237是一款3线至8线解码器/多路分配器,其三路地址输入(An)处带有锁存器。74HC237本质上是将3线至8线解码功能与一个3位存储锁存器相结合。当锁存器使能(LE(overline)=低电平)时,74HC237作为一个低电平有效3线至8线解码器工作
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.52
    • 1000+

      ¥1.43
  • 有货
  • 极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2(SOD962 - 2)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装,旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥3.2702
    • 50+

      ¥2.8035
    • 150+

      ¥2.6035
    • 500+

      ¥2.354
    • 2500+

      ¥2.2428
    • 5000+

      ¥2.1761
  • 有货
  • IP4220CZ6旨在保护对电容负载敏感的I/O线路(如USB 2.0、以太网、数字视频接口(DVI)等)免受静电放电(ESD)损坏。它集成了四对超低电容轨到轨ESD保护二极管以及一个齐纳二极管,可为信号和电源组件提供保护,使其能承受高达±8 kV接触放电的ESD电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥3.3301
    • 50+

      ¥2.8588
    • 150+

      ¥2.6569
    • 500+

      ¥2.4049
    • 3000+

      ¥2.2927
    • 6000+

      ¥2.2253
  • 有货
  • 采用SOT457(SC 74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的五通道静电放电(ESD)保护二极管阵列,旨在保护多达五条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.94
    • 30+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.43
    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • 74LVT245B是一款具有三态输出的8位收发器。该器件具备输出使能(OE)和发送/接收(DIR)引脚,用于方向控制
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥3.04
    • 100+

      ¥2.6068 ¥2.66
    • 500+

      ¥2.3814 ¥2.43
    • 1000+

      ¥2.2736 ¥2.32
  • 有货
  • 74ABT244是一款具有三态输出的8位缓冲器/线路驱动器。该器件可用作两个4位缓冲器或一个8位缓冲器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.6656 ¥2.72
    • 500+

      ¥2.4402 ¥2.49
    • 1000+

      ¥2.3226 ¥2.37
  • 有货
  • 74HC374、74HCT374 是一款具有三态输出的 8 位正边沿触发 D 型触发器。该器件设有时钟(CP)和输出使能(OE)输入。在时钟(CP)由低电平向高电平转换时,触发器将存储满足建立时间和保持时间要求的各个 D 输入的状态
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.95
    • 30+

      ¥3.54
    • 100+

      ¥3.0048 ¥3.13
    • 500+

      ¥2.7744 ¥2.89
    • 1000+

      ¥2.6496 ¥2.76
  • 有货
  • N-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 1+

      ¥5.54
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥4.05
    • 100+

      ¥3.382 ¥3.56
    • 500+

      ¥3.097 ¥3.26
    • 1000+

      ¥2.9545 ¥3.11
  • 有货
  • 沟槽式最高效率通用型(MEGA)肖特基势垒整流器,采用CFP15(SOT1289)功率扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.82
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.27
    • 100+

      ¥3.75
    • 500+

      ¥3.04
    • 1500+

      ¥2.88
  • 有货
  • 解码器,多路复用器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.98
    • 10+

      ¥6.01
    • 30+

      ¥5.53
    • 100+

      ¥5.05
    • 500+

      ¥4.76
    • 1000+

      ¥4.59
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车载网络总线线路免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。
    • 1+

      ¥8.06
    • 10+

      ¥7.09
    • 30+

      ¥6.6
    • 100+

      ¥6.11
    • 500+

      ¥5.82
    • 1000+

      ¥5.68
  • 有货
    • 1+

      ¥10.33
    • 10+

      ¥9.49
    • 30+

      ¥8.96
    • 100+

      ¥8.1674 ¥8.42
    • 500+

      ¥7.9249 ¥8.17
    • 1500+

      ¥7.8279 ¥8.07
  • 有货
  • 采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,封装在坚固的LFPAK56封装中。该产品经过全面设计和认证,符合AEC-Q101要求,具有高性能和耐用性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.2
    • 10+

      ¥9.52
    • 30+

      ¥8.47
    • 100+

      ¥7.1683 ¥7.39
    • 500+

      ¥6.7027 ¥6.91
    • 1500+

      ¥6.499 ¥6.7
  • 有货
  • SuperSOA N 沟道增强型 MOSFET,采用 D2PAK 封装,可在 175℃ 下工作。具备低 RDSon 和很强的线性模式(SOA)性能,可与最新的“热插拔”控制器配合使用,能够承受开启时的大量浪涌电流,低 RDSon 可将 I²R 损耗降至最低,并在完全导通时提供最佳效率。
    • 1+

      ¥13.75
    • 10+

      ¥13.08
    • 30+

      ¥12.68
    • 100+

      ¥11.9019 ¥12.27
    • 500+

      ¥11.7273 ¥12.09
    • 800+

      ¥11.64 ¥12
  • 有货
  • 平面肖特基势垒双二极管,封装在SOT883无引脚超小塑料封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.16
    • 10+

      ¥14
    • 30+

      ¥13.28
    • 100+

      ¥12.2892 ¥12.54
    • 500+

      ¥11.956 ¥12.2
    • 1000+

      ¥11.8188 ¥12.06
  • 有货
  • 采用D2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。与最新的“热插拔”控制器配合使用,该控制器足够坚固,能够承受开启时的大量浪涌电流,同时具有低RDS(ON)特性,可在持续使用中降低温度并提高效率。非常适合基于48 V背板/电源轨的电信系统
    数据手册
    • 1+

      ¥53.37
    • 10+

      ¥48.62
    • 30+

      ¥45.8
    • 100+

      ¥42.95
    • 500+

      ¥41.64
    • 800+

      ¥41.04
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1912
    • 200+

      ¥0.1517
    • 600+

      ¥0.1297
    • 2000+

      ¥0.113005 ¥0.1165
    • 10000+

      ¥0.101947 ¥0.1051
    • 20000+

      ¥0.095933 ¥0.0989
  • 有货
  • 外延、中速开关、采用小型SOT23塑料贴片封装的双二极管。二极管为共阴极配置。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2544
    • 100+

      ¥0.2049
    • 300+

      ¥0.1801
    • 3000+

      ¥0.156752 ¥0.1616
    • 6000+

      ¥0.142299 ¥0.1467
    • 9000+

      ¥0.135121 ¥0.1393
  • 有货
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