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FAN7081_GF085 是一款高压侧门极驱动集成电路，适用于 MOSFET 或 IGBT 的高电压和高速驱动，最高运行电压为 600V。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路能够在 VBS = 15V 下实现最高 VS = -5V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。逻辑输入可兼容标准的 CMOS 输出。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。它采用节省空间的 SOIC-8 封装。输出驱动器的最小源汲电流能力分别为 250mA 和 500mA，适用于磁性和压电式喷油器和基于 MOSFET/IGBT 的通用高侧驱动器应用。

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型号：NCP4421P 编号：C3655378

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP4422P 编号：C3655301

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN3229CMX 编号：C903503

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：FAN3229TMX-F085 编号：C903506

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN73932M 编号：C3655515

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN7083M-GF085 编号：C896631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7083_GF085 是带重置输入的高压侧门极驱动集成电路。它适用于最高在 600V 下运行的 MOSFET 或 IGBT 的高压和高速驱动。安森美半导体的高压工艺和共模干扰抑制技术为高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰环境下提供稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -5 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止发生故障。其采用节省空间的 SOIC-8 封装。输出驱动器的最小源、汲电流功能分别为 200mA 和 400mA，适用于磁和压电式喷油器，以及通用的基于 MOSFET/IGBT 的高压侧驱动器应用。

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