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FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器通过在较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反相驱动器,FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入都保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
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NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件,提供了一个经济高效的方案。 该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出(所有版本)和单独的高电平和低电平(VOH 和 VOL)驱动器输出(仅限 NCV5701C),方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源(以及 NCV5701B 双极偏置电源)电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装,经过 AEC-Q100 认证。
数据手册
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    ¥6.38374
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  • NCD5702 是一款高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,适用于包括太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的大功率应用。该器件不再使用很多外部组件,提供了一个成本高效的方案。器件保护功能有有源米勒箝位、准确的 UVLO、EN 输入、DESAT 保护和有效开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出和单独的高电平和低电平(VOH 和 VOL)驱动器输出,方便系统设计。该驱动器可采用较宽的偏置电源电压范围,包括单极和双极电压。它采用 16 引脚 SOIC 封装。
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    FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN322X 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3223 提供了两个反相驱动器,FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
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  • FAN7171_F085 是单片高端栅极驱动 IC,可以驱动工作电压最高达 +600 V 的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级,且所有NMOS晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。
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  • FAN3226-29 系列双通道 2A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲,驱动低端开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。驱动器可提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态,直到电源电压进入工作范围,从而提供欠压锁定功能。此外,此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟,适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用,如同步整流器。这样可并联两个驱动器,从而有效地使驱动单个 MOSFET 的电流能力增加一倍。
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