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首页 > 热门关键词 > ir驱动芯片
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EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/-0.6/1.0A,采用SOP8封装。
  • 5+

    ¥1.3921
  • 50+

    ¥1.2031
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    ¥1.1221
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    ¥1.0211
  • 有货
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      ¥1.4943
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      ¥1.1813
    • 150+

      ¥1.0471
    • 500+

      ¥0.8798
    • 2500+

      ¥0.8053
    • 4000+

      ¥0.7605
  • 有货
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      ¥1.5057
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      ¥1.1927
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      ¥1.0585
    • 500+

      ¥0.8912
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      ¥0.8167
  • 有货
  • 650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.6/1.0A
    • 5+

      ¥1.5064
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      ¥1.1876
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      ¥1.051
    • 500+

      ¥0.8805
    • 2500+

      ¥0.8046
  • 有货
  • 栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单反相, 高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器
    • 5+

      ¥1.5323
    • 50+

      ¥1.2039
    • 150+

      ¥1.0632
    • 500+

      ¥0.8876
    • 3000+

      ¥0.8094
    • 6000+

      ¥0.7624
  • 有货
  • TMI8120器件是一款双H桥电机驱动器,适用于低输入电压系统。两组逻辑输入控制H桥驱动器,可驱动双极步进电机或两台直流电机。TMI8120能够驱动峰值电流高达2A的电机
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      ¥1.564
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      ¥1.2364
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      ¥1.096
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      ¥0.9209
    • 500+

      ¥0.8429
    • 1000+

      ¥0.7961
  • 有货
  • 双通道、四输入(INA.B+&INA.B-)、拉/灌电流:4/4A
    • 5+

      ¥1.601
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      ¥1.3981
    • 150+

      ¥1.3112
    • 500+

      ¥1.2027
    • 2500+

      ¥1.1544
  • 有货
    • 5+

      ¥1.624576 ¥2.1376
    • 50+

      ¥1.27604 ¥1.679
    • 150+

      ¥1.126624 ¥1.4824
    • 500+

      ¥0.940272 ¥1.2372
    • 3000+

      ¥0.85728 ¥1.128
    • 6000+

      ¥0.8075 ¥1.0625
  • 有货
  • HX4423/4424/4425系列是一款高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器,在改进功能的同时,提供了比HX4426/4427/4428更高的输出电流版本。这些系列引脚兼容,HX4423/4424/4425驱动器专门设计用于要求更苛刻的电气环境,在额定功率和电压范围内的任何条件下都能提供可靠的服务。无论极性如何,它们都能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰
    • 1+

      ¥1.647 ¥1.83
    • 10+

      ¥1.44 ¥1.6
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      ¥1.35 ¥1.5
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      ¥1.233 ¥1.37
    • 500+

      ¥1.188 ¥1.32
    • 1000+

      ¥1.161 ¥1.29
  • 有货
  • 最大额定持续电流 4A,峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作(最高 1MHz)。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7487
    • 50+

      ¥1.3707
    • 150+

      ¥1.2087
    • 500+

      ¥1.0066
    • 2500+

      ¥0.9166
    • 4000+

      ¥0.8625
  • 有货
  • 单通道12V全桥驱动,低至1.8V工作电压,sleep管脚控制
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7694
    • 50+

      ¥1.4166
    • 150+

      ¥1.2654
    • 500+

      ¥1.0767
    • 3000+

      ¥0.8858
    • 6000+

      ¥0.8354
  • 有货
  • 250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管
    • 1+

      ¥1.83
    • 10+

      ¥1.6
    • 30+

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      ¥1.38
    • 500+

      ¥1.32
    • 1000+

      ¥1.29
  • 有货
  • SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 5+

      ¥1.96783 ¥2.0714
    • 50+

      ¥1.53691 ¥1.6178
    • 150+

      ¥1.35223 ¥1.4234
    • 500+

      ¥1.121855 ¥1.1809
    • 2500+

      ¥1.019255 ¥1.0729
    • 4000+

      ¥0.9576 ¥1.008
  • 有货
  • 600V半桥,不带互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA, MT:30ns
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0159
    • 50+

      ¥1.5775
    • 150+

      ¥1.3896
    • 500+

      ¥1.1566
  • 有货
  • EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    • 5+

      ¥2.0174
    • 50+

      ¥1.5638
    • 150+

      ¥1.3694
    • 500+

      ¥1.1269
  • 有货
  • 单相桥驱动,高同低反,逻辑输出电平。
    • 5+

      ¥2.0268 ¥2.252
    • 50+

      ¥1.58292 ¥1.7588
    • 150+

      ¥1.39275 ¥1.5475
    • 500+

      ¥1.15542 ¥1.2838
    • 2500+

      ¥1.04976 ¥1.1664
    • 4000+

      ¥0.98631 ¥1.0959
  • 有货
  • CJDR5958是一款三相无刷直流电机驱动集成电路。它提供了无传感器速度控制方案,采用正弦波信号驱动模式,能更好地降低电机驱动电路运行时产生的噪声。CJDR5958内部集成了启动电路、反电动势换相控制、脉冲宽度调制(PWM)速度控制、锁定保护和热关断电路
    • 1+

      ¥2.03
    • 10+

      ¥1.76
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • GC1262R是单线圈无刷直流电机的电机驱动器,可在3~18V电源电压,1.55A的峰值电流下工作,芯片工作温度在-40~105℃。封装形式采用 5mmx4mm的SSOP16-EP。内置霍尔偏置与PWM风扇调速,集成了最低速度限制模式、可调速度斜率控制模式、软启动模式、风扇转速计增加其使用性与泛用性。内部还集成了锁保护、自动重启、TSD、OCP 和噪声控制模式,噪声控制模式可实现低噪声,低振动,增强了其电路安全性保障。提供STM32参考例程及原厂技术支持
    • 1+

      ¥2.07
    • 10+

      ¥1.8
    • 30+

      ¥1.68
    • 100+

      ¥1.54
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.43
  • 有货
  • SL2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥2.104 ¥2.63
    • 10+

      ¥1.656 ¥2.07
    • 30+

      ¥1.464 ¥1.83
    • 100+

      ¥1.216 ¥1.52
    • 500+

      ¥1.112 ¥1.39
    • 1000+

      ¥1.048 ¥1.31
  • 有货
  • HX4426/4427/4428系列双低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。这与双极型器件不同,双极型器件只能在电源的1V范围内摆动
    • 5+

      ¥2.14389 ¥2.3821
    • 50+

      ¥1.69488 ¥1.8832
    • 150+

      ¥1.50237 ¥1.6693
    • 500+

      ¥1.26225 ¥1.4025
    • 2500+

      ¥1.15533 ¥1.2837
    • 5000+

      ¥1.09116 ¥1.2124
  • 有货
  • EG2153是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器,形成一款多功能,更加安全的功率驱动芯片。CT管脚具有保护关断功能,可以用一个电压信号使驱动器停止输出。VDD上电低于开启电压时,输出低电平,超过开启阈值,驱动器就能稳定的频率振荡。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2138
    • 50+

      ¥1.7149
    • 150+

      ¥1.501
    • 500+

      ¥1.2342
  • 有货
  • 特性:封装尺寸3.5×3.5×2.85mm。 采用高可靠性封装,能量稳定。 采用陶瓷基板封装。 符合RoHS标准。 体积小、功耗低、指向性好。应用:摄像头(视频拍摄)、数位摄影、监控、美容、治疗皮肤病。 楼寓对讲、防盗报警、红外防水、非视觉光源
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2192 ¥2.336
    • 50+

      ¥1.78828 ¥1.8824
    • 150+

      ¥1.6036 ¥1.688
    • 1000+

      ¥1.277845 ¥1.3451
    • 2000+

      ¥1.175245 ¥1.2371
    • 5000+

      ¥1.11359 ¥1.1722
  • 有货
  • 低边高速栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥2.336 ¥2.92
    • 10+

      ¥1.848 ¥2.31
    • 30+

      ¥1.64 ¥2.05
    • 100+

      ¥1.384 ¥1.73
    • 500+

      ¥1.264 ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.2 ¥1.5
  • 有货
  • 双通道4A的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点,使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动,同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.352 ¥2.94
    • 10+

      ¥1.832 ¥2.29
    • 30+

      ¥1.608 ¥2.01
    • 100+

      ¥1.328 ¥1.66
    • 500+

      ¥1.2 ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.128 ¥1.41
  • 有货
  • MIC4425YM-HX 为高可靠 BiCMOS/DMOS 缓冲/驱动/MOSFET 驱动器,具高峰值电流、低功耗和快速开关能力,耐地线±5V噪声。适合驱动功率 MOSFET 及电容、电感等负载,易用稳定,适用于严苛电气环境
    • 1+

      ¥2.385 ¥2.65
    • 10+

      ¥1.89 ¥2.1
    • 30+

      ¥1.674 ¥1.86
    • 100+

      ¥1.404 ¥1.56
    • 500+

      ¥1.287 ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.215 ¥1.35
  • 有货
  • HX34152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥2.385 ¥2.65
    • 10+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 30+

      ¥1.98 ¥2.2
    • 100+

      ¥1.845 ¥2.05
    • 500+

      ¥1.764 ¥1.96
    • 1000+

      ¥1.728 ¥1.92
  • 有货
  • HX33151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥2.385 ¥2.65
    • 10+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 30+

      ¥1.98 ¥2.2
    • 100+

      ¥1.845 ¥2.05
    • 500+

      ¥1.764 ¥1.96
    • 1000+

      ¥1.728 ¥1.92
  • 有货
  • 是一种高性能闭环速度控制适配器,通常与无刷直流电机控制器配合使用,无需磁性或光学转速计即可建立全闭环速度控制系统。它包含三个带迟滞的输入缓冲器、三个数字边缘检测器、一个可编程单稳态和一个内部并联稳压器,还包括一个反相器输出,用于需要转换传感器相位的系统。在霍尔效应传感器的每个正或负过渡时,会产生一个具有固定导通时间的脉冲,输出信号可以被滤波以获得与电机速度成正比的电压。
    • 1+

      ¥2.42
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥2
    • 100+

      ¥1.86
    • 1000+

      ¥1.82
  • 有货
  • HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
    • 1+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 10+

      ¥2.25 ¥2.5
    • 30+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 100+

      ¥1.971 ¥2.19
    • 500+

      ¥1.881 ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.845 ¥2.05
  • 有货
  • 一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器,适合于12V,24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动,同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO,简化了整个供电系统。内置比较电路,可用于电流过流检测,简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑,集成防穿通死区时间为200ns,驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作,并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。
    • 1+

      ¥2.54
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.35
  • 有货
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