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首页 > 热门关键词 > ir驱动芯片
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AMT49406是一款三相无传感器无刷直流(BLDC)电机驱动器(栅极驱动器),工作电压范围为5.5至50 V。该器件完全集成了磁场定向控制(FOC)算法,以实现最佳效率和声学噪声性能。它能优化电机在静止状态、风车状态甚至逆风风车状态下的启动性能
数据手册
  • 1+

    ¥12.69
  • 10+

    ¥10.65
  • 30+

    ¥9.37
  • 100+

    ¥8.05
  • 500+

    ¥7.46
  • 有货
  • DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.96
    • 10+

      ¥9.78
    • 30+

      ¥8.41
    • 100+

      ¥7.02
  • 有货
    • 1+

      ¥12.38
    • 10+

      ¥12.09
    • 30+

      ¥11.9
    • 100+

      ¥11.466 ¥11.7
  • 有货
  • BD62321HFP是一款用于有刷电机应用的全桥驱动器。该IC可在较宽的电源电压范围(6V至32V)内工作,输出电流最高可达3A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速
    • 1+

      ¥12.47
    • 10+

      ¥10.48
    • 30+

      ¥9.24
    • 100+

      ¥7.97
    • 500+

      ¥7.39
  • 有货
    • 1+

      ¥16.83
    • 10+

      ¥14.28
    • 30+

      ¥12.69
    • 100+

      ¥11.06
  • 有货
    • 1+

      ¥19.75
    • 10+

      ¥18.68
    • 30+

      ¥18.04
    • 100+

      ¥17.4
    • 500+

      ¥17.1
  • 有货
  • 设计用于三相无刷直流电机的脉宽调制 (PWM) 电流控制。能够为 6 个全 N 沟道功率 MOSFET 提供高电流栅极驱动。内部电荷泵确保在低至 7V 的电源下提供栅极驱动,并在低至 5V 时提供有限的栅极驱动。使用自举电容为 N 沟道 MOSFET 产生高于高端 MOSFET 源极电压的电源电压
    数据手册
    • 1+

      ¥20.37
    • 10+

      ¥17.02
    • 30+

      ¥15.02
    • 100+

      ¥14.61
  • 有货
  • TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器,能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配,前沿和后沿传播延迟时间也相匹配
    数据手册
    • 1+

      ¥20.62
    • 10+

      ¥17.81
    • 30+

      ¥16.13
    • 100+

      ¥14.44
  • 有货
  • 这些驱动器采用CMOS制造,与双极型驱动器相比,功耗更低,运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入,可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V,而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨,确保更好的驱动电压裕量,特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同,这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件,节省了PCB面积和元件数量,并提高了整个系统的可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.76
    • 10+

      ¥22
    • 60+

      ¥19.77
  • 有货
  • 该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容,提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入,用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管,具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度,优化电磁干扰和效率
    • 1+

      ¥29.82
    • 10+

      ¥25.8
    • 30+

      ¥23.41
    • 100+

      ¥19.5
  • 有货
  • LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥31.73
    • 10+

      ¥26.92
    • 30+

      ¥24.05
    • 100+

      ¥21.16
  • 有货
  • MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信(Micrel)的双极/CMOS/DMOS(BCD)工艺制造,工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联,可在 MOSFET 的米勒区提供大电流,使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流,并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电,同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动
    数据手册
    • 1+

      ¥39.36
    • 10+

      ¥34.09
    • 30+

      ¥30.88
  • 有货
  • DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元
    数据手册
    • 1+

      ¥54.08
    • 10+

      ¥46.13
    • 30+

      ¥41.29
    • 100+

      ¥37.23
  • 有货
  • 高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平,直到施加足够的电源电压(IXD_630版本为12.5V,IXD_630M版本为9V)。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器,IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥58.01
    • 10+

      ¥49.59
    • 30+

      ¥44.46
    • 100+

      ¥40.16
  • 有货
  • DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥62.14
    • 10+

      ¥52.88
    • 30+

      ¥47.24
    • 100+

      ¥42.52
  • 有货
  • 集成式半桥 GaN FET 和驱动器,具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化,便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平,栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟(典型值 33ns)和匹配(典型值 2ns),内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动,具备电源轨欠压锁定保护,低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热,大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口,提升了分立式 GaN FET 的优势,是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。
    数据手册
    • 1+

      ¥97.05
    • 10+

      ¥92.3
    • 30+

      ¥84.07
  • 有货
  • 低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17(连接器引脚长度为3.1mm,适用于2mm厚的PCB;增强了EMI能力;实现了SSD;无铅)/2SC0108T2G0C-17(采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本),将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块,最高可达600A/1200V或450A/1700V。
    数据手册
    • 1+

      ¥163.85
    • 30+

      ¥155.16
  • 有货
  • XYC-IR333C-L4 是一款低功耗,插件式外型封装的二极管, 它具有发射功率强、受光角度均匀等优点。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3396
    • 100+

      ¥0.2748
    • 300+

      ¥0.2424
    • 1000+

      ¥0.1878
    • 5000+

      ¥0.1684
    • 10000+

      ¥0.1587
  • 有货
  • USB2.0 B母90度黑胶铁壳,BF90°-DIP-弯脚
    • 5+

      ¥0.36993 ¥0.3894
    • 50+

      ¥0.361665 ¥0.3807
    • 200+

      ¥0.35625 ¥0.375
    • 500+

      ¥0.35074 ¥0.3692
  • 有货
  • LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路,芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组,可同时驱动两个MOS/IGBT 器件,其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升,最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计,最高耐压 +300V,可承受瞬时负压,芯片电源供电范围 10~25V,有欠压保护功能,输入电平3.3/5/15V 兼容,双通道延时匹配。
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.378 / 个
  • 有货
  • XYC-IR26C-LX4 贴片LED, 它具有体积小巧发射功率强、发光角度均匀、散热快等优点,该款器件适用于可视门铃,安防监控等其应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4595
    • 100+

      ¥0.3731
    • 300+

      ¥0.3299
    • 2000+

      ¥0.2975
    • 4000+

      ¥0.247
    • 10000+

      ¥0.234
  • 有货
  • 是一款高压大功率 MOS 管/IGBT管栅极驱动专用芯片,应用领域:电动工具、移动电源高压快充开关电源、变频水泵控制器、电动车控制、无刷电机驱动器等。
    • 5+

      ¥0.5267
    • 50+

      ¥0.4187
    • 150+

      ¥0.3647
    • 500+

      ¥0.3242
    • 2500+

      ¥0.2918
  • 有货
  • QK1301B 是一款针对低压 LED 灯的专用芯片,具有完整的充电功能和完善的电池保护功能, 特性  低静态待机电流(<10uA)  充电电流 0.5A,输出电流最大 1A  欠压保护功能  过温保护功能(芯片内部温度)  直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电  4.2V 预设充电电压  完善的 LED 工作指示功能  支持 0V 充电  低于 2.7V 涓流充电  电池防反接保护  SOT23-6 封装 应用范围  手提灯、手电筒、头灯、低压球泡灯
    • 5+

      ¥0.5867
    • 50+

      ¥0.4667
    • 150+

      ¥0.4067
    • 500+

      ¥0.3617
  • 有货
  • BL8023D是一款双向继电器驱动电路,用于控制磁保持继电器,具有大输出能力和超低功耗的特点。它可广泛应用于智能电表及其他脉冲、电平控制应用中。BL8023D可提供300mA的典型驱动电流,该电流会根据继电器线圈电阻的不同而有所变化
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6012
    • 50+

      ¥0.4692
    • 150+

      ¥0.4032
    • 500+

      ¥0.3537
    • 3000+

      ¥0.3141
    • 6000+

      ¥0.2943
  • 有货
  • U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.5089
    • 150+

      ¥0.4369
    • 500+

      ¥0.3829
    • 2500+

      ¥0.3397
  • 有货
  • 940nm 侧贴红外发射管
    • 5+

      ¥0.7077
    • 50+

      ¥0.5637
    • 150+

      ¥0.4917
    • 500+

      ¥0.4377
    • 2000+

      ¥0.3945
  • 有货
  • 低压直流马达驱动芯片
    • 5+

      ¥0.76475 ¥0.805
    • 50+

      ¥0.60059 ¥0.6322
    • 150+

      ¥0.51851 ¥0.5458
    • 500+

      ¥0.45695 ¥0.481
    • 2500+

      ¥0.40774 ¥0.4292
    • 4000+

      ¥0.38304 ¥0.4032
  • 有货
  • U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低
    • 5+

      ¥0.7912
    • 50+

      ¥0.6232
    • 150+

      ¥0.5391
    • 500+

      ¥0.4761
    • 2500+

      ¥0.4257
  • 有货
  • 是一款三相高速功率MOSFET驱动器,具有6个通道,最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑输入。此外,采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压,为了简化PCB设计,集成了一个5V/40mA的LDO,用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑,还集成了热关闭保护。
    • 5+

      ¥0.879415 ¥0.9257
    • 50+

      ¥0.76494 ¥0.8052
    • 150+

      ¥0.715825 ¥0.7535
    • 500+

      ¥0.65455 ¥0.689
    • 2500+

      ¥0.627285 ¥0.6603
    • 5000+

      ¥0.610945 ¥0.6431
  • 有货
  • MT771XH是一款工作于电感电流临界导通模式(CRM,Critical Conduction Mode)的高精度LED恒流驱动芯片,主要应用于非隔离降型LED电源系统。适用于85Vac~265Vac全电压输入范围应用,具有可调OVP,且OVP引脚具有使能控制功能,可满足开关调色以及感应灯应用。芯片内置500V高压功率MOS管,采用创新的高压片内供电方案,无需VCC电容及启动电阻,外围电路简单,系统成本低。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.897288 ¥1.0682
    • 50+

      ¥0.69412 ¥0.938
    • 150+

      ¥0.564608 ¥0.8822
    • 500+

      ¥0.520064 ¥0.8126
    • 2500+

      ¥0.500224 ¥0.7816
    • 4000+

      ¥0.48832 ¥0.763
  • 有货
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