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首页 > 热门关键词 > ir驱动芯片
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EG27517单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小。
数据手册
  • 5+

    ¥1.7252
  • 50+

    ¥1.3333
  • 150+

    ¥1.1653
  • 500+

    ¥0.9558
  • 3000+

    ¥0.8624
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 U2103S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥1.764 ¥1.96
    • 10+

      ¥1.539 ¥1.71
    • 30+

      ¥1.44 ¥1.6
    • 100+

      ¥1.314 ¥1.46
    • 500+

      ¥1.296 ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.26 ¥1.4
  • 有货
    • 5+

      ¥1.810396 ¥2.3821
    • 50+

      ¥1.431232 ¥1.8832
    • 150+

      ¥1.268668 ¥1.6693
    • 500+

      ¥1.0659 ¥1.4025
    • 3000+

      ¥0.975612 ¥1.2837
    • 6000+

      ¥0.921424 ¥1.2124
  • 有货
  • 大功率直流电机驱动芯片,应用领域:电子锁、个人护理电器、小家电、机器人、宠物电器等。
    • 5+

      ¥2.0517
    • 50+

      ¥1.5981
    • 150+

      ¥1.4037
    • 500+

      ¥1.1611
    • 2500+

      ¥1.0531
    • 4000+

      ¥0.9883
  • 有货
  • 马达驱动IC,1.5A, motor power: 1.8 ~ 12 V, control power supply: 1.8 ~ 5.5 V,DFN2x2-8,TIM8837
    数据手册
    • 1+

      ¥2.12
    • 10+

      ¥1.64
    • 30+

      ¥1.4
    • 100+

      ¥1.22
    • 500+

      ¥1.08
    • 1000+

      ¥1
  • 有货
  • DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力,输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。
    • 1+

      ¥2.15
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.53
  • 有货
  • 低边驱动 单通道, 低边驱动,大电流,SOT23-6
    • 1+

      ¥2.16
    • 10+

      ¥1.89
    • 30+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • 双通道4A的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点,使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动,同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.16
    • 10+

      ¥1.89
    • 30+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • 带 SD 功能双路驱动芯片
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2404
    • 50+

      ¥1.7505
    • 150+

      ¥1.5406
    • 500+

      ¥1.2786
    • 2500+

      ¥1.0987
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥2.304 ¥2.56
    • 10+

      ¥2.025 ¥2.25
    • 30+

      ¥1.89 ¥2.1
    • 100+

      ¥1.746 ¥1.94
    • 500+

      ¥1.665 ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.629 ¥1.81
  • 有货
  • 1.5A,4.5V-25V,同反相, 双高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.36
    • 50+

      ¥1.82
    • 150+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.29
    • 2500+

      ¥1.16
    • 4000+

      ¥1.08
  • 有货
  • 200V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3911
    • 50+

      ¥1.9036
    • 150+

      ¥1.6946
    • 500+

      ¥1.2423
    • 2500+

      ¥1.1263
  • 有货
    • 1+

      ¥2.4168 ¥3.18
    • 10+

      ¥1.9152 ¥2.52
    • 30+

      ¥1.6948 ¥2.23
    • 100+

      ¥1.4212 ¥1.87
    • 500+

      ¥1.3072 ¥1.72
    • 1000+

      ¥1.2312 ¥1.62
  • 有货
  • 250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片
    • 1+

      ¥2.58
    • 10+

      ¥2.02
    • 30+

      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.47
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.26
  • 有货
  • DRV8838 具有相位/使能控制的 11V、1.8A H 桥电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2
    • 100+

      ¥1.64
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.33
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • 单向桥高低侧同向,高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
    • 1+

      ¥2.975 ¥3.5
    • 10+

      ¥2.2865 ¥2.69
    • 30+

      ¥1.9975 ¥2.35
    • 100+

      ¥1.632 ¥1.92
    • 500+

      ¥1.4705 ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.3685 ¥1.61
  • 有货
  • EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V,低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻,LIN 内建了一个250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-4/4A,采用SOP8 封装。
    • 1+

      ¥3.19
    • 10+

      ¥2.46
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.67
    • 1000+

      ¥1.57
  • 有货
  • EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.28
    • 100+

      ¥1.92
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
    • 1+

      ¥3.28
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.2
    • 100+

      ¥1.79
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 低压三相三路感应电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.28
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.3
    • 100+

      ¥1.97
    • 500+

      ¥1.78
    • 1000+

      ¥1.68
  • 有货
  • 是一系列用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源极和漏极电流能力可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最高25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力,提高了系统的鲁棒性,尤其在嘈杂的工业应用中。超低的传播延迟和两个通道之间出色的匹配度,适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成,允许客户根据应用需求进行选择。广泛的封装支持SOP-8、EMSOP-8和DFN3X3-8,符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源砖中超紧凑型同步整流器的设计。
    • 5+

      ¥3.28
    • 50+

      ¥2.52
    • 150+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.79
    • 2500+

      ¥1.61
  • 有货
  • 三相 250V 栅极驱动器
    • 1+

      ¥3.41
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.44
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • 此款驱动芯片采用ESOP-8封装,采用低导通电阻的MOSFET,有效降低了功耗,提高了能源利用效率,减少了热量产生,适用于对散热要求较高或对能耗敏感的应用场景,能够满足大多数中、小功率直流有刷电机的驱动需求,被广泛用于:工业自动化、消费电子、汽车电子、医疗设备等
    • 1+

      ¥3.4295 ¥3.61
    • 10+

      ¥2.717 ¥2.86
    • 30+

      ¥2.4035 ¥2.53
    • 100+

      ¥2.0235 ¥2.13
    • 500+

      ¥1.8525 ¥1.95
    • 1000+

      ¥1.748 ¥1.84
  • 有货
  • EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
    • 1+

      ¥3.47
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.04
    • 500+

      ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.77
  • 有货
  • FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项: FAN3111C 具有双 CMOS 输入,阈值参考 VDD,用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源,该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入,和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.11
    • 30+

      ¥2.82
    • 100+

      ¥2.47
    • 500+

      ¥2.14
    • 1000+

      ¥2.04
  • 有货
  • FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器,FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.13
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.32
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
  • DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与微控制器(MCU)连接
    数据手册
    • 1+

      ¥4.26
    • 10+

      ¥3.4
    • 30+

      ¥2.97
    • 100+

      ¥2.55
    • 500+

      ¥2.29
    • 1000+

      ¥2.16
  • 有货
  • N沟道,Vin=6V~20V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.8
    • 10+

      ¥3.82
    • 30+

      ¥3.32
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.39
  • 有货
  • FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC,带关断和可编程死区时间控制功能,能驱动MOSFET和IGBT,工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V(典型值),当VBS = 15V时。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81 ¥7.4
    • 10+

      ¥3.696 ¥6.72
    • 30+

      ¥2.8575 ¥6.35
    • 100+

      ¥2.6685 ¥5.93
    • 500+

      ¥2.583 ¥5.74
    • 1000+

      ¥2.547 ¥5.66
  • 有货
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