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型号：BL8023KCB6TR 编号：C2895360

封装：SOT-23-6

品牌：BL(上海贝岭)

400mA 双向继电器驱动器 BL8023K 是一款双向继电器驱动电路，用于控制磁保持继电器，具有大输出能力和超低功耗。它可广泛应用于智能电表和其他脉冲、电平控制应用。

数据手册

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￥0.6606
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￥0.532
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￥0.4678
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￥0.4195
3000+
￥0.381
6000+
￥0.3617

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

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￥0.7642
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￥0.6202
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￥0.5482
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￥0.4942
2500+
￥0.451
4000+
￥0.4293

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型号：BDR2L00 编号：C5371998

封装：DFN-8

品牌：巴丁微

是一款驱动双NMOS的栅极驱动器，工作电压范围宽，内部集成自适应死区控制电路，具有欠压保护功能。

数据手册

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￥0.8727
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￥0.6711
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￥0.5847
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￥0.4769
2500+
￥0.4689
4000+
￥0.44

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型号：C8620QP 编号：C51912240

封装：QSOP-24

品牌：chipfountain(芯涛微)

C8620 是一款 8*8 点阵恒流 LED 驱动芯片。每颗 LED 都可以通过 8 位数据 PWM 恒流调光和 256级灰度线性调节。

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￥1.4809
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￥1.2856
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￥1.2019
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￥1.0974
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￥1.0509
1000+
￥1.023

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型号：ZXGD3009E6TA 编号：C156293

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流，以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

数据手册

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￥1.631
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￥1.2837
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￥1.1349
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￥0.9492
3000+
￥0.8666
6000+
￥0.817

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

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￥1.792 ￥2.24
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￥1.384 ￥1.73
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￥1.216 ￥1.52
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￥1.184 ￥1.48
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￥1.088 ￥1.36
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￥1.024 ￥1.28

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型号：UCC27524DR-JSM 编号：C18195049

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道(双反)、四输入 25V 4A/4A SOP-8

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￥2.0624
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￥1.6088
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￥1.4144
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￥1.1719
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￥1.0639
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￥0.999

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型号：HR8833MTE 编号：C128666

封装：ETSSOP-16

品牌：嘉兴禾润

HR8833为玩具、打印机和其它机电一体化应用提供一种集成的双通道电机驱动方案。HR8833有两路H桥驱动器，可以驱动两个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。

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￥2.26
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￥1.27
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￥1.07

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型号：SD6287T 编号：C44606226

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。有TSSOP20和QFN24封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。U3315/EG2133/CS57201

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￥2.3
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￥1.79
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￥1.58
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￥1.31
2500+
￥1.19

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型号：SL27511A 编号：C46061828

封装：SOT-23-6L

品牌：Slkor(萨科微)

是一款4A峰值源电流和8A峰值灌电流驱动的单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET、IGBT和新兴的WBG功率开关。低传播延迟和紧凑的SOT23封装可实现数百kHz的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽VDD工作范围为4.5V至20V，可有效驱动MOSFET或GaN功率开关。集成的欠压锁定（UVLO）保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V至24V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下稳定运行。输入阈值与TTL输入兼容。

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￥2.4124
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￥1.9336
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￥1.7284
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￥1.4724
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￥1.3584
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￥1.2899

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型号：TF0216-USQ 编号：C2683769

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥2.4484
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￥1.9446
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￥1.7287
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￥1.4592

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型号：EG3112 编号：C111908

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

600V，IO+1A/-1.5A，大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC

数据手册

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￥2.6
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￥1.96
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￥1.65
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￥1.32

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型号：TF2101M-TAH 编号：C2683752

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥3.31
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型号：ZXGD3005E6TA 编号：C177098

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器，能够在最高25V的电源电压下，向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns，相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关，以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真

数据手册

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￥3.59
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￥2.92
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￥2.63
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￥1.69
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型号：SCT51240TWBR 编号：C509058

封装：TSOT-23-5L

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT51240是一款宽电源、单通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET、IGBT以及GaN等宽带隙器件。24V电源轨可增强驱动器在功率器件转换期间的输出振铃耐受性。该器件能在低于5V的电源下进行开关操作，因此非常适合低电压阈值功率器件

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￥3.62
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￥2.87
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￥2.55
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￥2.15
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￥1.77
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型号：SLM27211CB-DG 编号：C5374696

封装：SOP-8-EP

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

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￥3.75
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￥2.63
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￥2.26
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￥2.09
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￥1.97

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型号：IX4427NTR 编号：C171845

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动

数据手册

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￥4.19
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￥3.45
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￥3.07
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￥2.7
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￥2.35
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￥2.24

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型号：LM5106SDX/NOPB 编号：C544463

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥4.45
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￥3.99
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￥3.74
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￥3.46
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￥3.33
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￥3.27

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型号：SCT52A40STER 编号：C41521227

封装：ESOP-8L

品牌：SCT(芯洲科技)

是宽电源、高频栅极驱动器，包括高端和低端驱动器，用于半桥、全桥和降压转换器中驱动分立 N 型 MOSFET。4A 峰值源电流和灌电流能力可提高功率转换器的功率效率。具有宽输入迟滞，与 TTL 低压逻辑兼容，能够处理低至-10V 的负输入，增加输入抗噪能力。在 HS 引脚上能够承受最大-18V 的电压，大大扩展了应用灵活性，以处理开关节点噪声。40ns 最小脉冲宽度使其适用于高频功率转换器应用。

1+
￥4.55
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￥3.68
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￥3.25
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￥2.82
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￥2.56
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￥2.43

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型号：IRS2104STRPBF 编号：C151525

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥5.04
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￥4.19
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￥3.77
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￥3.35
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￥2.47
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￥2.34

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型号：NSG2127 编号：C53436467

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.139 ￥5.71
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￥4.221 ￥4.69
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￥3.762 ￥4.18
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￥3.312 ￥3.68
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￥3.042 ￥3.38
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￥2.898 ￥3.22

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型号：FAN7390MX-MNS 编号：C50646515

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流:4A

1+
￥5.68
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￥4.6
30+
￥4.06
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￥3.52
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￥3.2
1000+
￥3.04

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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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1+
￥5.7
10+
￥4.68
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￥4.16
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￥3.65
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￥3.3
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￥3.14

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型号：UCC27424DGNR 编号：C783609

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

数据手册

1+
￥5.83
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￥4.77
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￥4.24
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￥3.72
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￥2.98
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￥2.82

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型号：NSG21851 编号：C53436471

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥6.318 ￥7.02
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￥5.193 ￥5.77
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￥4.626 ￥5.14
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￥4.068 ￥4.52
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￥3.735 ￥4.15
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￥3.564 ￥3.96

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

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