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型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥6.82
10+
￥5.57
30+
￥4.94
100+
￥4.25
500+
￥3.88
1000+
￥3.69

有货

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型号：IR2184STRPBF-JSM 编号：C7466369

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

1+
￥5.472 ￥5.76
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￥4.9495 ￥5.21
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￥4.655 ￥4.9
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￥4.332 ￥4.56
500+
￥4.18 ￥4.4
1000+
￥4.1135 ￥4.33

有货

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型号：DRV8818PWPR 编号：C99045

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8818 具有电流调节功能和 1/8 微步进的 35V、2.5A 双极步进电机驱动器

数据手册

1+
￥7.67
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￥6.35
30+
￥5.69
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￥5.03
500+
￥4.28
1000+
￥4.08

有货

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型号：DRV8860PWPR 编号：C133079

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8860 具有串行控制的 38V、0.3A、8 路低侧电机驱动器

数据手册

1+
￥8.59
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￥7.33
30+
￥6.63
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￥5.85
500+
￥5.5
1000+
￥5.35

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型号：1ED020I12-F2 编号：C2441209

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

数据手册

1+
￥17.72
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￥15.09
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￥13.45
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￥11.77
500+
￥11.01
1000+
￥10.68

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型号：TMC2130-LA-T 编号：C915795

封装：QFN-36-EP(5x6)

品牌：TRINAMIC

TMC2130是一款用于两相步进电机的高性能驱动IC。标准SPI和STEP/DIR接口简化了通信。TRINAMIC先进的StealthChop斩波器可确保无噪音运行，同时实现最高效率和最佳电机扭矩。CoolStep功能可将能耗降低多达75%。DcStep能在无失步的情况下尽可能快速驱动高负载。集成功率MOSFET可处理每相绕组高达1.2A RMS（QFN封装）/1.4A RMS（TQFP封装）的电机电流，或每相绕组2.5A的短时峰值电流。保护和诊断功能支持稳定可靠的运行。该行业最先进的步进电机驱动器可实现小型化设计，减少外部元件数量，从而提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

数据手册

1+
￥32.14
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￥27.24
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￥24.32
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￥21.38
500+
￥20.02
1000+
￥19.4

有货

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型号：TMC2240ATJ+T 编号：C7429724

封装：TQFN-32(5x5)

品牌：TRINAMIC

TMC2240是一款智能高性能步进电机驱动IC，具备串行通信接口（SPI、UART）和强大的诊断功能。它集成了业界最先进的步进电机驱动器，基于256微步内置分度器和两个完全集成的36V、3.0A MAX H桥，以及无耗散集成电流感应（ICS）技术。 TRINAMIC的stealthChop2TM斩波器确保电机在运行时完全静音，同时实现最高效率和最佳电机扭矩。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够实现小型化和可扩展性，在提供一流性能的同时实现经济高效的解决方案。 H桥FET具有极低的阻抗，从而实现高驱动效率和最小的热量产生。典型的总导通电阻（高端 + 低端）为0.23Ω。每个H桥的最大输出电流为1MAX = 5.0A MAX，受过流保护（OCP）限制。假设使用四层PCB，每个H桥在室温下的最大RMS电流为IRMS = 2.1A RMS。每个H桥的最大满量程电流为1FS = 3.0A，可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。无耗散ICS技术消除了笨重的外部功率电阻，与基于外部检测电阻的主流应用相比，显著节省了空间和功耗。 TMC2240具备丰富的诊断和保护功能，如短路保护/OCP、热关断、欠压锁定。在热关断和欠压锁定事件期间，驱动器将被禁用。此外，TMC2240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC2240提供小型TQFN32 5x5mm封装和具有散热优化的TSSOP38 9.7×4.4mm外露焊盘封装。

1+
￥33.54
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￥28.85
30+
￥26.06
100+
￥23.24
500+
￥21.94
1000+
￥21.35

有货

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型号：IR26-51C/L110/TR8 编号：C55975

封装：SMD,3x2.6mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥0.4359
50+
￥0.3398
150+
￥0.2917
500+
￥0.2556
2000+
￥0.2268
4000+
￥0.2124

有货

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型号：SM16206S 编号：C121618

封装：QSOP-24

品牌：明微

SM16206是LED恒流驱动芯片，内建CMOS移位寄存器与锁存功能，可以将串行的输入数据转换成并行输出数据格式。 SM16206工作电压为3.3V—5.0V，提供16个电流源，可以在每个输出端口提供1mA—32mA的恒定电流；且单颗IC片内输出电流差异小于±2.5%；多颗IC间的输出电流差异小于±3.5%；通道输出电流不随着输出端电压（数据手册

10+
￥0.4737
100+
￥0.3825
300+
￥0.3369
1000+
￥0.3027
4000+
￥0.2429
8000+
￥0.2293

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型号：XJNG2103 编号：C2887735

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥0.8253
50+
￥0.6381
150+
￥0.5445
500+
￥0.4743
2500+
￥0.4181
4000+
￥0.39

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型号：COS4427SR 编号：C2685358

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双同相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.36
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￥1.82
150+
￥1.58
500+
￥1.29
2500+
￥1.16
4000+
￥1.08

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型号：MHT130ZVRCT 编号：C2962093

封装：0402

品牌：MEIHUA(美华)

0402 规格封装顶部发光胶体颜色：透明发光颜色：红外晶片材质：GaAs。

数据手册

1+
￥2.832 ￥3.54
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￥2.496 ￥3.12
30+
￥2.336 ￥2.92
100+
￥2.168 ￥2.71
500+
￥1.992 ￥2.49
1000+
￥1.936 ￥2.42

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型号：SL4139 编号：C5375302

封装：SOT-23-5

品牌：Slkor(萨科微)

SL4139是一款DC/DC升压转换器，可为多个LED提供恒定精确的驱动电流。当固定开关频率为1MHz时，SL4139可以配套小值的外部陶瓷电容和电感。通过由外部电阻R1设置的可调电流，SL4139可以驱动串联连接的多个LED。

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.4
30+
￥2.12
100+
￥1.77
500+
￥1.61
1000+
￥1.52

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型号：UCC27517ADBVR 编号：C2653784

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.75
30+
￥2.49
100+
￥2.16
500+
￥1.81

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型号：IX4424NTR-JSM 编号：C7498964

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

1+
￥3.825 ￥4.25
10+
￥3.051 ￥3.39
30+
￥2.655 ￥2.95
100+
￥2.268 ￥2.52
500+
￥2.043 ￥2.27
1000+
￥1.926 ￥2.14

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型号：DRV8833PWPR 编号：C50506

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833 具有电流调节功能的 10.8V、2A、双通道 H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥4.05
30+
￥3.45
100+
￥2.95
500+
￥2.9
1000+
￥2.8

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型号：IRS21867STRPBF 编号：C52290

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

数据手册

1+
￥6.78
10+
￥5.7
30+
￥5.1
100+
￥4.43
500+
￥3.47
1000+
￥3.33

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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

1+
￥7.73
10+
￥6.55
30+
￥5.91
100+
￥5.18
500+
￥4.85
1000+
￥4.7

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型号：MCT8314Z0HRRWR 编号：C34748847

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

为要驱动12V至24V有刷直流电机的客户提供了一种单芯片无代码含传感器梯形换向器件。集成了三个1/2H桥，具有40V的绝对最大电压和575mΩ的低RDS(ON)（高侧和低侧相结合），可提供大功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或肩负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。集成的5V LDO可为器件生成必要的电压轨并为外部电路供电

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