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1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：HIP2211FR8Z-T 编号：C22412213

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：MCP14E5-E/SN 编号：C635886

封装：SOIC-8

MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5器件是一系列4.0A缓冲器/MOSFET驱动器。提供双反相、双同相和互补输出等标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5驱动器能够在4.5V至18V的单电源下工作，并且可以在15 ns（典型值）内轻松对2200 pF的栅极电容进行充放电。它们在导通和关断状态下均提供低阻抗，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使存在大的瞬态信号。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输入可以直接由TTL或CMOS（2.4V至18V）驱动。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，并且内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5双输出4.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其能够在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们可以承受高达1.5A的反向电流回流到其输出端而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4 kV的静电放电（ESD）保护。

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型号：DRV91670TPHPR 编号：C5378671

封装：LQFP-48(7x7)

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型号：MS35774 编号：C3020561

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：杭州瑞盟

内置256细分步进电机驱动，超低噪高压步进电机，速度自适应力矩调整，内置mos

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型号：SLMi335CG-DG 编号：C6332183

封装：SOP-16W

品牌：Sillumin(数明半导体)

隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器，用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流，具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V，带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V，输出侧电源范围为14V至40V

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型号：MPQ6614GDE-AEC1-Z 编号：C26340509

封装：QFN-8(2x3)

品牌：MPS(芯源)

是一种用于驱动可逆电机的H桥电机驱动器。它可以驱动一个直流电机、步进电机的一个绕组或其他负载。H桥由四个N沟道功率MOSFET组成，内部电荷泵产生栅极驱动电压。工作在5V至35V的电机电源电压下，根据散热和PCB条件，可提供高达1.5A的连续输出电流（Iout）

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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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型号：A4992KLPTR-T 编号：C459295

封装：TSSOP-20-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4992是一款灵活的微步进电机驱动器，集成了相电流控制和内置转换器，操作简便。它是一款单芯片解决方案，旨在以高达28 V的电压驱动双极步进电机，支持全步、半步、四分之一步、八分之一步和十六分之一步模式。上电时，A4992配置为通过简单的步进和方向输入驱动大多数小型步进电机。电流调节器采用固定频率PWM工作。它使用自适应混合电流衰减来降低电机可听噪声并提高步进精度。电机各相的电流通过DMOS全桥控制，采用同步整流以改善功耗。内部电路和定时器可防止在高端和低端驱动器之间切换时发生交叉导通和直通。输出具备短路保护功能，还包含低负载电流和转子堵转检测功能。芯片级保护包括热警告、过温关断以及过压和欠压锁定。可使用STEP、DIR和MS输入的可选串行接口模式来配置多个电机控制参数和进行诊断。A4992采用带外露散热焊盘的20引脚TSSOP功率封装（封装类型LP）。该封装无铅（Pb），引脚框架采用100%雾锡电镀。A4992是一款汽车步进电机驱动器，适用于高温应用，如前照灯弯曲和水平调节、节气门控制和气体再循环控制。它还适用于其他低电流步进应用，如空调和通风。它提供了一种通过简单的步进和方向输入控制的灵活微步进电机驱动器。它还可以切换到可选的串行接口模式，通过SPI兼容串行接口进行配置和驱动。两个DMOS全桥能够以高达28 V的电压驱动双极步进电机，支持全步、半步、四分之一步、八分之一步和十六分之一步模式，相电流高达±1.4 A，但受功耗和环境温度限制。对于大多数应用，典型相电流高达±750 mA。步进电机各相的电流由工作在自适应混合衰减模式下的固定频率峰值检测PWM电流控制方案调节。这为广泛的电机和运行条件降低了电机可听噪声并提高了步进精度。输出具备短路保护功能，还包含开路负载和转子堵转检测功能。芯片级保护包括热警告、过温关断以及过压和欠压锁定。

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型号：TC1427CPA 编号：C640724

封装：PDIP-8

TC1426/TC1427/TC1428 是一系列 1.2A 双路高速驱动器。采用 CMOS 制造工艺，实现低功耗和高效率。这些器件采用外延层制造，可有效短路导致 CMOS 闩锁的固有寄生晶体管。它们还采用了许多其他设计和工艺改进措施，以提高长期可靠性。TC1426 与双极型 DS0026 兼容，但静态电流仅为其 1/5。TC1426/TC1427/TC1428 也与 TC426/TC427/TC428 兼容，但峰值输出电流为 1.2A，而 TC426/TC427/TC428 器件为 1.5A。其他兼容的驱动器有 TC4426/TC4427/TC4428 和 TC4426A/TC4427A/TC4428A。TC4426/TC4427/TC4428 增加了输入可通过二极管保护电路承受高达 5V 负电压的特性。TC4426A/TC4427A/TC4428A 的输入到输出上升沿和下降沿延迟 t↑01 和 tD2 相匹配，适用于处理 25 纳秒范围内的短脉冲。上述所有驱动器引脚兼容。高输入阻抗的 TC1426/TC1427/TC1428 驱动器与 CMOS/TTL 输入兼容，无需双极型器件所需的加速电路，且可由大多数 PWM 集成电路直接驱动。该系列器件有反相和同相版本。规格经过优化，以实现低成本、高性能的器件，非常适合大批量制造商。

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型号：DRV3201AQPAPRQ1 编号：C22396839

封装：HTQFP-64(10x10)

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型号：A4915METTR-T 编号：C136637

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

设计用于三相无刷直流电机的脉宽调制 (PWM) 电流控制。能够为 6 个全 N 沟道功率 MOSFET 提供高电流栅极驱动。内部电荷泵确保在低至 7V 的电源下提供栅极驱动，并在低至 5V 时提供有限的栅极驱动。使用自举电容为 N 沟道 MOSFET 产生高于高端 MOSFET 源极电压的电源电压

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型号：A3941KLPTR-T 编号：C83516

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3941是一款全桥控制器，可与外部N沟道功率MOSFET配合使用，专门为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机。独特的电荷泵稳压器可为低至7 V的电池电压提供全幅（>10 V）栅极驱动，并允许A3941在低至5.5 V的降低栅极驱动电压下工作。

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型号：DRV8889QPWPRQ1 编号：C701813

封装：HTSSOP-24-EP

DRV8889-Q1 具有集成式电流检测和失速检测功能的汽车类 50V、1.5A 双极步进电机驱动器

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型号：1ED3321MC12NXUMA1 编号：C17453854

封装：SOIC-16

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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型号：TC4422AVOA 编号：C37183

封装：SOIC-8

用于超大负载线路的线路驱动器；脉冲发生器；驱动大功率的MOSFET和IGBT；本地电源开关；电机和螺线管驱动器；LF起动器。这些器件是强电流缓冲器／驱动器，能够驱动大功率MOSFET或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。除具有匹配的输出上升和下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。还具有极低的交叉导通电流，可以降低器件的总功耗。这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况下都不会闭锁。当接地端的地弹反射小于等于5V的情况下，这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。另外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4kV的静态放电。输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢上升或下降的波形来驱动器件。采用表面贴装和过孔封装形式，并且具有宽的工作温度范围，适合于大多数需要很高的门／线路容性驱动的应用。

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型号：MPQ6528GVE-AEC1-Z 编号：C6097576

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

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￥26.2568
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￥21.5355
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型号：VNH7040AYTR 编号：C2969764

封装：BFSOP-36-Power

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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￥28.89
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￥24.58
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￥22.02

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型号：TC4421AVAT 编号：C641432

封装：TO-220-5

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：L6206PD 编号：C2971141

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：LT1910ES8#TRPBF 编号：C579923

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：L6470PDTR 编号：C526277

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

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型号：UC2625DWTR 编号：C2150731

封装：SOIC-28-300mil