电机驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.4916
50+
￥1.3026
150+
￥1.2216
500+
￥1.1205
2500+
￥1.0755

有货

立即购买

型号：GC3901 编号：C16197197

封装：DFN-10

品牌：SX(芯麦)

GC3901 是一款低压 5V 全桥驱动芯片，可驱动两个独立的直流电机，或者一个步进电机。每个通道能提供高达 1.1A 的持续输出电流；可以工作在 2~6V 的电源电压，封装采用3mmx3mm的DFN10。具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护功能。其H桥导通阻抗为480mΩ，拥有低功耗睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持

5+
￥1.56
50+
￥1.35
150+
￥1.26
500+
￥1.14
2500+
￥1.09

有货

立即购买

型号：UCC27324DR(UMW) 编号：C20623189

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27324DR 是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。UMW UCC27324DR 在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力

5+
￥1.6491
50+
￥1.2506
150+
￥1.0799
500+
￥0.8668
2500+
￥0.772
5000+
￥0.715

有货

立即购买

型号：HP3000-AA000-SP08R 编号：C22394786

封装：SOP-8L

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

5+
￥1.6531
50+
￥1.3003
150+
￥1.1491
500+
￥0.9605
2500+
￥0.8765

有货

立即购买

型号：EG27517 编号：C2987449

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小。

数据手册

5+
￥1.7252
50+
￥1.3333
150+
￥1.1653
500+
￥0.9558

有货

立即购买

型号：EG2011 编号：C48580019

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2011是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

5+
￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

有货

立即购买

型号：GBI7254NMCR 编号：C6152383

封装：DFN-8

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器，供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A

1+
￥1.7976
10+
￥1.3733
30+
￥1.1915
100+
￥0.9646
500+
￥0.8636
1000+
￥0.803

有货

立即购买

型号：SL2003 编号：C20539709

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
10+
￥1.63
30+
￥1.53
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.31

有货

立即购买

型号：SL2103 编号：C20539711

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
10+
￥1.63
30+
￥1.53
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.31

有货

立即购买

型号：HX8833-S 编号：C49339813

封装：TSSOP-16

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

适用于玩具、打印机和机电一体化设备。采用H桥配置中的N沟道功率MOSFET为两个直流有刷电机、一个双极步进电机、螺线管或感性负载供电，内置电流调节功能。具备过流、短路和过热保护等安全功能，可通过内部关断和故障输出引脚实现。具有低功耗睡眠模式，可提高能源效率。采用带散热焊盘技术的16引脚TSSOP封装。

5+
￥1.9731
50+
￥1.5598
150+
￥1.3827
500+
￥1.1617

有货

立即购买

型号：DRV8210DSGR 编号：C3681199

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8210 具有自动睡眠模式的 12V、1.76A H 桥电机驱动器

数据手册

5+
￥2.0341
50+
￥1.5899
150+
￥1.3995
500+
￥1.1619

有货

立即购买

型号：SLM2106BCA-13GTR 编号：C883214

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

数据手册

5+
￥2.0442
50+
￥1.6057
150+
￥1.4178
500+
￥1.1849

有货

立即购买

型号：AT8549 编号：C2901460

封装：SSOP-10-150mil

品牌：杭州中科微

AT8549为玩具、打印机和其它机电一体化应用提供一种双通道电机驱动方案。AT8549内置两路H桥驱动，可以驱动两个直流有刷电机，或者通过输出并接驱动一个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。

数据手册

5+
￥2.0814
50+
￥1.6162
150+
￥1.4168
500+
￥1.1557
2500+
￥1.0449
4000+
￥0.9784

有货

立即购买

型号：IR4427STRPBF-HX 编号：C50345553

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR4427STRPBF-HX系列为双路低端MOSFET驱动器，效率高、可靠性强，将TTL/CMOS输入转换为接近电源或地的输出电平。提供反相、同相及混合三种配置，适用于驱动功率MOSFET、重载时钟线、同轴电缆及压电换能器等高峰值电流和快速切换场合

5+
￥2.1175
50+
￥1.6739
150+
￥1.4839
500+
￥1.2467

有货

立即购买

型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高速功率MOSFET驱动器

1+
￥2.184 ￥2.73
10+
￥1.936 ￥2.42
30+
￥1.816 ￥2.27
100+
￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

有货

立即购买

型号：SLM2186CA-DG 编号：C2759831

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.17

有货

立即购买

型号：G2063Q 编号：C49449773

封装：QFN-24(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

1+
￥2.91
10+
￥2.3
30+
￥2.04
100+
￥1.72
500+
￥1.57
1000+
￥1.48

有货

立即购买

型号：ZXGD3006E6TA 编号：C526792

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流，以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流

数据手册

1+
￥2.99
10+
￥2.33
30+
￥2.05
100+
￥1.7
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

有货

立即购买

型号：GC4939 编号：C16197201

封装：QFN-28

品牌：SX(芯麦)

GC4939是一款三相无刷直流电机预驱动芯片。芯片可以驱动NMOS，可在7.5~36V电源电压，10A的持续电流下工作，芯片工作温度在-40~110℃。封装形式采用 5mmx5mm的QFN28脚，底部有散热片。芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流；堵转保护时间可调；内置霍尔元件；过温保护，过压监测，同步整流等等。提供STM32参考例程及原厂技术支持

1+
￥3.36
10+
￥2.96
30+
￥2.76
100+
￥2.57
500+
￥2.45
1000+
￥2.39

有货

立即购买

型号：MS2018 编号：C50385417

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2018是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景RZ2018。

1+
￥3.41
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.12
500+
￥1.92

有货

立即购买

型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压