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型号：DRV8824QPWPRQ1 编号：C701796

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8824-Q1 具有电流调节功能和 1/32 微步进的汽车类 47V、1.6A 双极步进电机驱动器

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型号：BD62321HFP-TR 编号：C509720

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

BD62321HFP是一款用于有刷电机应用的全桥驱动器。该IC可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达3A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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型号：DRV8830DRCR 编号：C701798

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8830 具有速度调节和 I2C 控制的 7V、1A H 桥电机驱动器

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型号：MIC4427YMM 编号：C152165

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效能的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压摆幅在正电源或地的25mV范围内。相比之下，同类双极型器件的电压摆幅仅能达到电源电压的1V以内

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型号：DRV8842PWPR 编号：C181609

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8842 具有电流调节功能的 47V、5A H 桥电机驱动器

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型号：MP1907GQ-Z 编号：C91944

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制，且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源供电不足时会强制其输出为低电平

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型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：UCC29002DR 编号：C702439

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC29002 高级 8 引脚负载共享控制器

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型号：1ED3124MU12FXUMA1 编号：C17295974

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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￥17.87
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型号：TC4422AVOA713 编号：C157601

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：DRV8805PWPR 编号：C701793

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8805 具有步进/方向控制功能的 60V、2.3A、四通道低侧电机驱动器

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型号：L298N 编号：C19922

封装：MultiwAtt-15

品牌：ST(意法半导体)

L298 是一款采用 15 引脚 Multiwatt 和 PowerSO20 封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器，设计用于接收标准 TTL 逻辑电平，并驱动继电器、螺线管、直流和步进电机等感性负载。提供两个使能输入，可独立于输入信号启用或禁用该器件。每个桥路的下晶体管发射极连接在一起，相应的外部端子可用于连接外部检测电阻。还提供了一个额外的电源输入，使逻辑电路能在较低电压下工作。

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￥19.87
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型号：MP6538GV-Z 编号：C6306188

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6538是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6538能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6538使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6538有三个霍尔传感器输入。换相逻辑由间隔120°的三个霍尔元件输入确定。PWM、DIR和nBRAKE输入用于控制电机的速度、位置和转矩。MP6538采用带有外露散热焊盘的QFN - 28（4mmx5mm）封装。

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型号：DRV8714SQRHARQ1 编号：C3019560

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

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型号：LM25101CMAX/NOPB 编号：C2869022

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：1ED3124MC12HXUMA1 编号：C17365056

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：DRV8320RSRHAR 编号：C2150620

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320R 具有降压稳压器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：MD1213K6-G 编号：C621434

封装：QFN-12-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MD1213是一款高速双MOSFET驱动器。它旨在驱动高压P沟道和N沟道MOSFET，适用于医疗超声及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用。MD1213的高速输入级可在1.8V至5V的逻辑接口下工作，最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V

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型号：1ED3491MU12M 编号：C530929

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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￥18.3352 ￥22.36

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型号：UCC27212DPRR 编号：C2677326

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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￥29
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￥25.11
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型号：L297/1 编号：C34301

封装：DIP-20

品牌：ST(意法半导体)

L297步进电机控制器IC可为微机控制应用中的两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。该电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组电流进行开关模式控制。该器件的一个特点是仅需时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的，因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。L297采用DIP20和SO20封装，可与L298N或L293E等单片桥式驱动器配合使用，也可与分立晶体管和达林顿管配合使用。

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￥34.87
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型号：1ED3491MC12MXUMA1 编号：C17428940

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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￥33.9756
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型号：DRV8889AQPWPRQ1 编号：C3681122

封装：HTSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

DRV8889-Q1 具有集成式电流检测和失速检测功能的汽车类 50V、1.5A 双极步进电机驱动器

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型号：L6206PD 编号：C2971141

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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￥33.59

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型号：DRV8343SPHPRQ1 编号：C2879411

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥38.77
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￥32.88
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￥29.78

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型号：LMG1210RVRT 编号：C2862667

封装：WQFN-19(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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￥40.53
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￥34.99
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型号：DRV8302DCA 编号：C84672

封装：HTSSOP-56-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8302 具有降压稳压器和电流分流放大器和硬件接口的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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￥40.98
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￥35.22
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型号：LTC7000EMSE-1#TRPBF 编号：C690076

封装：MSOP-12

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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￥45.73
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￥39.73
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￥34.27

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型号：MP6540HGU-Z 编号：C5358239

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以保持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5mmx5mm）封装。

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