驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TF2118-TAH 编号：C20616230

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高边高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.03
10+
￥5.43
30+
￥5.1
100+
￥4.73

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型号：FT8132Q 编号：C5126659

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FT8132 是一款三相内置 Pre-driver 直流无刷马达驱动 IC。芯片高度集成，外围元器件少，电机噪声低，转矩脉动小。GUI 可配置客户电机参数、启动和调速方式，并储存在内置的 EEPROM。调速接口可选择模拟电压、PWM、I2C、CLOCK 调节电机转速。集成转速指示功能，可通过 FG 引脚或 I2C 接口实时读取电机转速。控制方式可选择恒转速、恒电流、恒功率和电压环控制。集成过流、欠压、过压、堵转、缺相、Hall 异常等多种保护模式，睡眠电流约 50μA。

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￥6.09
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￥4.95
30+
￥4.38
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￥3.82
490+
￥3.48

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型号：NSG21276 编号：C41414526

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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￥6.12
10+
￥4.93
30+
￥4.33
100+
￥3.74
500+
￥3.39
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￥3.21

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型号：IR2128STRPBF-JSM 编号：C18194994

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电机控制和驱动，电动汽车快速充电。

1+
￥6.14
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￥5.06
30+
￥4.47
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￥3.8

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型号：IR21814STRPBF-JSM 编号：C7498987

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥8.19
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￥5.4 ￥6.75
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￥4.768 ￥5.96
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￥4.048 ￥5.06
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￥3.728 ￥4.66
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￥3.584 ￥4.48

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型号：IR2108STRPBF 编号：C2964

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥6.74
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￥5.64
30+
￥5.04
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￥4.36

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型号：NCV57200DR2G 编号：C904655

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电

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￥6.75
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￥6.06
30+
￥5.68
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￥5.25
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￥5.06
1000+
￥4.98

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型号：L6498DTR 编号：C500658

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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1+
￥6.78
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￥5.78
30+
￥5.27
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￥4.78

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型号：TF21834M-TR 编号：C17701722

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.002 ￥7.78
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￥5.769 ￥6.41
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￥5.094 ￥5.66
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￥4.329 ￥4.81
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￥3.987 ￥4.43
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￥3.834 ￥4.26

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型号：DRV8300DRGER 编号：C3655801

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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￥7.02
10+
￥5.8
30+
￥5.13
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￥4.37
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￥4.04

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型号：IRS21834STRPBF-JSM 编号：C17701723

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥7.488 ￥8.32
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￥6.192 ￥6.88
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￥5.481 ￥6.09
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￥4.68 ￥5.2
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￥4.32 ￥4.8
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￥4.158 ￥4.62

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型号：UCC27624DGNR 编号：C6581862

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率开关。UCC27624 的典型峰值驱动能力为 5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为 17 ns）可优化系统的死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和瞬态性能，从而提高功率级效率

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￥7.49
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￥6.21
30+
￥5.51
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￥4.71

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型号：FS256AQ 编号：C2875459

封装：QFN-17L(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FS256AQ是一款高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置2个600V/5A快恢复功率MOS管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。FS256AQ内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。FS256AQ采用QFN-7*7封装，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机以及紧凑安装的场合。

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1+
￥7.51
10+
￥6.26
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￥5.58
250+
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￥4.47
1000+
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型号：2EDL05N06PF-JSM 编号：C7466372

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.686 ￥8.54
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￥6.39 ￥7.1
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￥5.679 ￥6.31
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￥4.869 ￥5.41
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￥4.518 ￥5.02
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￥4.356 ￥4.84

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型号：TMI8140 编号：C5288768

封装：DFN-15L(5x6)

品牌：TMI(拓尔微)

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￥7.71
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￥6.27
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￥4.18
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￥4

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型号：HIP2211FR8Z-T 编号：C22412213

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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￥7.94
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￥7.25
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￥6.82
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￥6.38
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￥6.18

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型号：LV8760T-TLM-E 编号：C903090

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LV8760T是一款H桥驱动器，可控制电机的四种运行模式（正转、反转、制动和待机）。这款集成电路导通电阻低、待机电流为零且效率高，非常适合用于驱动办公设备中的有刷直流电机。

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￥8.1795 ￥14.35
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￥6.2087 ￥13.21
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￥4.625 ￥12.5
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￥4.3549 ￥11.77
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￥4.2328 ￥11.44
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￥4.181 ￥11.3

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型号：DRV2605YZFR 编号：C81079

封装：DSBGA-9

品牌：TI(德州仪器)

DRV2605 具有波形库和自动谐振跟踪功能的 ERM/LRA 触觉驱动器

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￥8.31
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￥7.37
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￥6.49
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￥5.83

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型号：LV8549MC-AH 编号：C79895

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

步进电机驱动器，低饱和电压，12V

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￥8.64
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￥6.76
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￥5.21
1000+
￥5.02

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型号：TB6559FG(O,8,EL) 编号：C845531

封装：HSOP-16-EP-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6559FG是一款带有LDMOS输出晶体管的全桥直流电机驱动IC。可通过IN1和IN2选择四种操作模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短制动和停止。

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1+
￥8.65
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￥7.08
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￥6.22
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￥5.25
500+
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型号：COS4422SR 编号：C5175411

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能

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￥8.67
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￥7.05
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￥6.16
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￥5.15
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￥4.71
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￥4.5

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型号：UCC27536DBVR 编号：C2677321

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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1+
￥8.78
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￥7.76
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￥7.04
100+
￥6.38

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型号：DRV10975PWPR 编号：C701766

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV10975 12V 标称电压、2A 峰值无传感器正弦控制三相 BLDC 电机驱动器

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￥8.84
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￥8.12
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￥7.67
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￥6.93

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型号：UCC27614DR 编号：C5218775

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

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￥9.04
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￥7.6
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￥6.81
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￥5.91

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型号：FU6812L2 编号：C5126647

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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￥9.07
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￥7.57
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￥6.75
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￥5.82
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￥5.4

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型号：UCC37322DR 编号：C2677181

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有分离输出、25ns 传播延迟和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70

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￥9.75
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￥7.23
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￥6.22

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型号：TC4420EPA 编号：C640742

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是6A（峰值）、单输出MOSFET驱动器，其中一款为反相驱动器，另一款为同相驱动器。采用CMOS制造，与双极驱动器相比，功耗更低，运行更高效。输入与TTL/CMOS兼容，输入电压可高至VDD + 0.3V或低至-5V，不会对器件造成干扰或损坏，无需外部电平转换电路，节省成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭时序期间。传播延迟时间仅为55 ns（典型值），在整个可用电源范围内，2500 pF负载下的输出上升和下降时间仅为25 ns（典型值）。与其他驱动器不同，几乎不会发生闩锁效应。可替代三个或更多分立元件，节省PCB面积和元件数量，提高整体系统可靠性。

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