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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
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  • 1+

    ¥6.85
  • 10+

    ¥5.68
  • 25+

    ¥4.12
  • 100+

    ¥3.53
  • 400+

    ¥3.18
  • 800+

    ¥3
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,105mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5442
    • 50+

      ¥2.0663
    • 150+

      ¥1.8615
    • 500+

      ¥1.4569
    • 2000+

      ¥1.3431
    • 4000+

      ¥1.2748
  • 有货
  • N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1883
    • 50+

      ¥1.0253
    • 150+

      ¥0.9437
    • 500+

      ¥0.8826
    • 3000+

      ¥0.7245
    • 6000+

      ¥0.7
  • 有货
  • N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3975
    • 50+

      ¥1.1345
    • 150+

      ¥1.0218
    • 500+

      ¥0.8811
    • 3000+

      ¥0.7047
    • 6000+

      ¥0.6671
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8372
    • 50+

      ¥1.4588
    • 150+

      ¥1.2966
    • 500+

      ¥1.0942
    • 2000+

      ¥1.0041
    • 5000+

      ¥0.95
  • 有货
  • P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.79
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.66
    • 10+

      ¥7.29
    • 50+

      ¥5.85
    • 100+

      ¥5
    • 600+

      ¥4.62
    • 900+

      ¥4.45
  • 有货
  • 特性:N 沟道,标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥9.89
    • 10+

      ¥8.18
    • 30+

      ¥7.25
  • 有货
  • P沟道,60V,170mA,8Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3852
    • 100+

      ¥0.3123
    • 300+

      ¥0.2759
    • 3000+

      ¥0.2013
    • 6000+

      ¥0.1795
    • 9000+

      ¥0.1685
  • 有货
  • N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.207
    • 50+

      ¥1.5587
    • 150+

      ¥1.3806
    • 500+

      ¥1.1584
    • 2000+

      ¥1.0594
    • 5000+

      ¥1
  • 有货
  • N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.93
    • 50+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.19
    • 100+

      ¥3.72
    • 500+

      ¥3.45
    • 800+

      ¥3.3
  • 有货
  • N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.72
    • 10+

      ¥5.6
    • 25+

      ¥4.24
    • 100+

      ¥3.68
    • 400+

      ¥3.35
    • 800+

      ¥3.18
  • 有货
  • N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.61
    • 10+

      ¥7.19
    • 30+

      ¥6.4
    • 100+

      ¥5.51
    • 500+

      ¥4.53
    • 1000+

      ¥4.35
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4938
    • 50+

      ¥0.4026
    • 150+

      ¥0.357
    • 1500+

      ¥0.2662
    • 3000+

      ¥0.2388
    • 4500+

      ¥0.2251
  • 有货
  • P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0068
    • 50+

      ¥0.7869
    • 150+

      ¥0.6927
    • 500+

      ¥0.5752
    • 3000+

      ¥0.5229
    • 6000+

      ¥0.4915
  • 有货
  • N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.37
    • 30+

      ¥2.12
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.55
    • 30+

      ¥3.19
    • 100+

      ¥2.83
    • 500+

      ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.21
  • 有货
  • N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.89
    • 50+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.31
    • 1200+

      ¥2.17
  • 有货
  • 数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术,以实现每个硅面积的低导通电阻。此外,栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化,以改善D类音频放大器的关键性能因素,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起,使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.85
    • 10+

      ¥4.07
    • 50+

      ¥3.36
    • 100+

      ¥2.97
    • 500+

      ¥2.74
    • 1000+

      ¥2.62
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥4.57
    • 30+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.55
    • 500+

      ¥2.85
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥9.45
    • 10+

      ¥7.8
    • 30+

      ¥6.89
    • 100+

      ¥5.87
    • 500+

      ¥5.41
    • 1000+

      ¥5.2
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
    • 1+

      ¥17.43
    • 10+

      ¥15
    • 30+

      ¥13.48
    • 100+

      ¥11.92
    • 500+

      ¥11.22
    • 1000+

      ¥10.92
  • 有货
  • 特性:N 通道增强模式。 逻辑电平(额定 4.5V)。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅;符合 RoHS 标准,无卤素
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4551
    • 100+

      ¥0.3672
    • 300+

      ¥0.3233
    • 3000+

      ¥0.2904
    • 6000+

      ¥0.264
    • 9000+

      ¥0.2508
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1052
    • 50+

      ¥1.689
    • 150+

      ¥1.5106
    • 500+

      ¥1.16
    • 2000+

      ¥1.0609
    • 4000+

      ¥1.0014
  • 有货
  • N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥2.72
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.19
    • 500+

      ¥2.06
    • 1000+

      ¥1.99
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.24
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.25
  • 有货
  • P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.27
    • 10+

      ¥4.74
    • 50+

      ¥4.45
    • 100+

      ¥4.12
    • 500+

      ¥3.97
    • 1000+

      ¥3.9
  • 有货
  • N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.58
    • 50+

      ¥4.04
    • 100+

      ¥3.51
    • 500+

      ¥3.19
    • 1000+

      ¥3.02
  • 有货
  • 这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量(EpuLsE)额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.44
    • 10+

      ¥5.28
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥3.94
    • 500+

      ¥3.62
    • 800+

      ¥3.48
  • 有货
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