英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF40B207 编号：C459967

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥11.04
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￥9.44
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型号：IRL100HS121 编号：C538106

封装：PQFN-6-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：更高的功率密度设计。更高的开关频率。使用OptiMOS 5芯片。只要有5V电源，就能减少零件数量。可直接由微控制器驱动（慢速开关）。降低系统成本。应用：无线充电。适配器

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型号：ISG0613N04NM6HSCATMA1 编号：C22408300

封装：WHITFN-10

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：对称半桥。针对低电压驱动和电池供电应用进行优化。针对高性能开关电源进行优化。 N沟道。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥22.56
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￥22.06
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型号：IRFB7540PBF 编号：C537872

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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10+
￥3.68415
100+
￥3.5477
200+
￥3.2748
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型号：BSC057N03MS G 编号：C534353

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。低FOM_SW，适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。卓越的热阻。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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10+
￥1.5255
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￥1.469
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型号：IRLS3034TRLPBF 编号：C538185

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整表征的电容和雪崩SOA。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。 SMPS中的高效同步整流

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￥16.77
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型号：IPB090N06N3 G 编号：C536524

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于同步整流、驱动器和DC/DC开关电源。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。雪崩额定。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IQFH36N04NM6ATMA1 编号：C42197920

封装：TSON-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对低电压驱动应用进行优化。针对电池供电应用进行优化。针对同步整流进行优化。极低导通电阻Rps(on)，100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21，无卤，额定温度175℃

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￥34.43
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￥33.55
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型号：IPB019N08N3GATMA1 编号：C3289289

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对电机驱动应用进行技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。优越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥34.81
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￥34.03
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型号：IRFS7730-7PPBF 编号：C3277493

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

1+
￥42.31
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￥41.36
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￥40.72
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￥40.08

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型号：IRF135S203 编号：C116168

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

10+
￥34.847304
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￥30.064341
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￥27.672859

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型号：IRF640NPBF 编号：C2568

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,18A,150mΩ@10V

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￥1.6724
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￥1.3309
150+
￥1.1642
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￥1.0154
2300+
￥0.9746
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型号：IRF540NPBF 编号：C2566

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

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5+
￥2.2396
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￥1.786
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￥1.5733
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￥1.3835
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￥1.3313
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型号：IRF3205PBF 编号：C2561

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选

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