英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF135S203 编号：C116168

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

1+
￥20.83
10+
￥17.83
30+
￥16.05

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型号：IRF60B217 编号：C459972

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥23.93
10+
￥20.64
30+
￥18.69

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型号：ISC015N04NM5ATMA1 编号：C3278640

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于电池供电应用。适用于低压电机驱动。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。额定温度175℃

1+
￥10.283
50+
￥9.492
100+
￥9.0965
500+
￥8.8592
1000+
￥8.701

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型号：IRFB7540PBF 编号：C537872

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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2000+
￥3.01484
4000+
￥2.96286
6000+
￥2.8589

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型号：IQFH36N04NM6ATMA1 编号：C42197920

封装：TSON-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对低电压驱动应用进行优化。针对电池供电应用进行优化。针对同步整流进行优化。极低导通电阻Rps(on)，100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21，无卤，额定温度175℃

1+
￥34.43
10+
￥33.55
30+
￥32.96
100+
￥32.37

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型号：IRFSL7440PBF 编号：C481264

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥6.81
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￥5.69
50+
￥5.08
100+
￥4.39
500+
￥4.08
1000+
￥3.94

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型号：BSC057N03MS G 编号：C534353

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。低FOM_SW，适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。卓越的热阻。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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10+
￥1.5255
100+
￥1.469
200+
￥1.356
1000+
￥1.2995
2000+
￥1.243

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型号：IRFH7545TRPBF 编号：C537896

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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10+
￥4.2714
100+
￥4.1132
200+
￥3.7968
1000+
￥3.6386
2000+
￥3.4804

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型号：IRF40B207 编号：C459967

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥11.04
10+
￥9.44
50+
￥8.43

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型号：IRFS7730-7PPBF 编号：C3277493

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

1+
￥42.31
10+
￥41.36
50+
￥40.72
100+
￥40.08

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型号：BSS169H6327 编号：C83053

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中，“XTSA1”那是原厂的内部型号。

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5+
￥0.6182
50+
￥0.4913
150+
￥0.4261
500+
￥0.361131 ￥0.3723
3000+
￥0.342992 ￥0.3536
6000+
￥0.330673 ￥0.3409

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型号：IRF640NPBF 编号：C2568

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,18A,150mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.5059
50+
￥1.1634
150+
￥0.9962
500+
￥0.82159 ￥0.847
2300+
￥0.78182 ￥0.806
4600+
￥0.757958 ￥0.7814

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型号：IPT015N10N5 编号：C108964

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.15
10+
￥7.2
30+
￥5.58
100+
￥4.8118 ￥4.91
500+
￥4.5472 ￥4.64
1000+
￥4.41 ￥4.5

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型号：IRF9540NPBF 编号：C2575

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.7216
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￥1.2722
150+
￥1.0874
500+
￥0.90405 ￥0.9225
2500+
￥0.859656 ￥0.8772
5000+
￥0.833 ￥0.85

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型号：BSC0702LS 编号：C501503

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤。适用于标准等级应用

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1+
￥3.33
10+
￥2.77
30+
￥2.38
100+
￥1.957 ￥2.06
500+
￥1.9285 ￥2.03
1000+
￥1.8715 ￥1.97

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型号：IRFB3607PBF 编号：C2647

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

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5+
￥1.9857
50+
￥1.5
150+
￥1.2812
500+
￥1.064182 ￥1.0859
2000+
￥1.011556 ￥1.0322
5000+
￥0.98 ￥1

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型号：IRF4905PBF 编号：C2564

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.63
50+
￥2.32
100+
￥1.919 ￥2.02
500+
￥1.824 ￥1.92
1000+
￥1.767 ￥1.86

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型号：IRF540NPBF 编号：C2566

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.8815
50+
￥1.5043
150+
￥1.3273
500+
￥1.1694
2000+
￥1.1261
5000+
￥1.1

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型号：IRF4905STRLPBF 编号：C2620

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V

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1+
￥6.06
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￥5.21
30+
￥4.62
100+
￥3.9235 ￥4.13
500+
￥3.154 ￥3.32
800+
￥3.059 ￥3.22

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型号：IRF7416TRPBF 编号：C3000

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V

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5+
￥2.2104
50+
￥1.7327
150+
￥1.4995
500+
￥1.18818 ￥1.2915
2500+
￥1.135648 ￥1.2344
4000+
￥1.104 ￥1.2

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型号：IRF3205PBF 编号：C2561

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选

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