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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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特性:针对电机驱动和电池供电应用进行优化。 针对顶部散热进行优化。 高电流能力。 额定温度 175℃。 100% 雪崩测试。 卓越的热性能。 N 沟道。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
  • 1+

    ¥51.45
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    ¥44.25
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    ¥39.86
  • 有货
  • 特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、POL)进行优化。 高频开关电源(SMPS)具有低FOM_SW。 100%经过雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 具有出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 具有优越的热阻。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥2.21
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      ¥2.12
    • 100+

      ¥2.09
  • 有货
  • 特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 卓越的热阻。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
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      ¥2.5
  • 有货
  • CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。最新的 CoolMOS™ PFD7 是一个经过优化的平台,专门针对消费市场中对成本敏感的应用,如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势,同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平
    数据手册
    • 1+

      ¥2.98
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      ¥2.92
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      ¥2.87
  • 有货
  • 特性:电池供电应用。 低压电机驱动。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 额定温度175℃
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.74
    • 30+

      ¥3.67
  • 有货
  • 特性:电池供电应用。 低压电机驱动。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 额定温度175°C
    • 1+

      ¥4.88
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      ¥3.94
    • 30+

      ¥3.47
  • 有货
  • 特性:电池供电应用。 低压电机驱动。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 额定温度175°C
    • 1+

      ¥5.77
    • 10+

      ¥4.63
    • 30+

      ¥4.06
  • 有货
  • 特性:双N沟道,正常电平快速开关MOSFET。 针对驱动应用优化的技术。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.98
    • 10+

      ¥5.85
    • 30+

      ¥5.76
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全面表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥7.77
    • 10+

      ¥6.58
    • 50+

      ¥5.93
    • 100+

      ¥5.19
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥7.9
    • 10+

      ¥7.73
    • 30+

      ¥7.61
  • 有货
  • 特性:针对低电压驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 针对同步应用进行优化。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21规定为无卤产品。 额定温度175℃
    • 1+

      ¥13.26
    • 10+

      ¥12.93
    • 30+

      ¥12.71
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具有完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥16.08
    • 10+

      ¥13.48
    • 25+

      ¥11.85
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥16.72
    • 10+

      ¥16.33
    • 30+

      ¥16.07
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积(FOM)。 100%雪崩测试。 针对低压电机驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 适用于电池管理开关应用。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥20.26
    • 10+

      ¥19.79
    • 30+

      ¥19.47
  • 有货
  • 特性:电池供电应用。 低压电机驱动。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21规定为无卤。 额定温度175℃
    • 1+

      ¥26.8
    • 10+

      ¥23.12
    • 30+

      ¥20.93
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 100%雪崩测试。 175℃工作温度。 针对电机驱动和电池供电应用进行优化。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
    • 1+

      ¥45.61
    • 10+

      ¥44.61
    • 30+

      ¥43.95
  • 有货
  • 特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 低开关品质因数(FOM_SW),适用于高频开关电源。 100%经过雪崩测试。 改善的开关性能。 N沟道。 在栅源电压(VGS)为4.5V时具有极低的导通电阻(RDS(on))。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻性能。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥4.02
    • 10+

      ¥3.23
    • 30+

      ¥2.84
  • 有货
  • 特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 低FOM_SW,适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥8.77
    • 10+

      ¥7.2
    • 30+

      ¥6.34
  • 有货
  • 特性:N沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61240-2-21标准无卤。 针对低电压驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 针对同步整流进行优化。 额定温度175℃
    • 1+

      ¥9.04
    • 10+

      ¥8.81
    • 30+

      ¥8.66
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.43
    • 10+

      ¥10.17
    • 30+

      ¥10
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对电机驱动应用进行了优化。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥17.3
    • 10+

      ¥16.9
    • 30+

      ¥16.64
  • 有货
  • 特性:双N沟道,针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、POL)进行优化。 低FOM_SW,适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时具有非常低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 适用于消费级应用。 无铅镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥18.53
    • 10+

      ¥15.83
    • 30+

      ¥14.15
  • 有货
  • CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolIMOS PFD7是一个优化平台,适用于消费市场中对成本敏感的应用,如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,具有出色的性价比和易用性。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现非常纤薄的设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.95
    • 10+

      ¥18.93
    • 30+

      ¥17.14
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
    • 1+

      ¥27.94
    • 10+

      ¥24.1
    • 30+

      ¥21.81
  • 有货
  • 特性:N-Channel。 增强模式。 逻辑电平输入。 可进行模拟驱动。 高达1 MHz的快速开关。 带晶闸管特性的无电位温度传感器。 过温保护。 绿色产品(符合RoHS标准)。 雪崩额定。 AEC认证
    • 1+

      ¥28.2
    • 10+

      ¥27.53
    • 30+

      ¥25.68
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 全面表征了电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥35.82
    • 10+

      ¥30.53
    • 30+

      ¥27.39
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行了优化。 在4.5V的VGS下具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册
    • 单价:

      ¥38.61 / 个
  • 有货
  • OptiMOS™ 100V 产品是业界领先的功率 MOSFET,适用于实现高功率密度和高能效解决方案。在小尺寸封装下具备超低栅极电荷和输出电荷,以及极低的导通电阻,使 OptiMOS™ 100V 成为太阳能、驱动器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的理想之选。超快开关控制 FET 搭配低 EMI 同步 FET,提供易于设计的解决方案
    • 1+

      ¥49.53
    • 10+

      ¥42.97
    • 30+

      ¥38.97
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩 SOA。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥23.93
    • 10+

      ¥20.64
    • 30+

      ¥18.69
  • 有货
  • 特性:针对低电压驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素。 额定温度175°C
    • 1+

      ¥10.283
    • 50+

      ¥9.492
    • 100+

      ¥9.3338
    • 500+

      ¥9.0174
    • 1000+

      ¥8.8592
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