英飞凌MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：ISC012N04NM6ATMA1 编号：C3278636

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61240-2-21标准无卤。针对低电压驱动应用进行优化。针对电池供电应用进行优化。针对同步整流进行优化。额定温度175℃

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型号：IRFS7530TRL7PP 编号：C445669

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IRF100S201 编号：C459928

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：BSZ088N03MS G 编号：C534684

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。卓越的热阻。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：ISC028N04NM5ATMA1 编号：C5772492

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电池供电应用。低压电机驱动。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。额定温度175℃

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型号：IPD60R2K0PFD7S 编号：C536817

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS TM PFD7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性

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型号：BSC076N04ND 编号：C534368

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道，正常电平快速开关MOSFET。针对驱动应用优化的技术。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：IRFB7740PBF 编号：C537875

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IRLR3636TRLPBF 编号：C538172

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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型号：ISC010N04NM6ATMA1 编号：C3278638

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对低电压驱动应用进行优化。针对电池供电应用进行优化。针对同步应用进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素。额定温度175°C

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型号：IRF40B207 编号：C459967

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IRFP7537PBF 编号：C537941

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具有完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IRFS7734TRL7PP 编号：C538037

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPT030N12N3G 编号：C2980636

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 100%雪崩测试。针对低压电机驱动应用进行优化。针对电池供电应用进行优化。适用于电池管理开关应用。适用于高频开关和DC/DC转换器。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：ISG0613N04NM6HSCATMA1 编号：C22408300

封装：WHITFN-10

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：对称半桥。针对低电压驱动和电池供电应用进行优化。针对高性能开关电源进行优化。 N沟道。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥22.56
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￥21.74

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型号：ISC017N04NM5ATMA1 编号：C3278642

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电池供电应用。低压电机驱动。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21规定为无卤。额定温度175℃

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￥26.8
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型号：IPTC020N13NM6ATMA1 编号：C22408422

封装：HDSOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。 100%雪崩测试。 175℃工作温度。针对电机驱动和电池供电应用进行优化。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据J-STD-020标准进行MSL 1分类

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￥43.95

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型号：BSC0909NSATMA1 编号：C3288889

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。低开关品质因数（FOM_SW），适用于高频开关电源。 100%经过雪崩测试。改善的开关性能。 N沟道。在栅源电压（VGS）为4.5V时具有极低的导通电阻（RDS(on)）。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。卓越的热阻性能。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥4.02
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￥2.84

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型号：IPB090N06N3 G 编号：C536524

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于同步整流、驱动器和DC/DC开关电源。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。雪崩额定。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥4.93

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型号：IRL100HS121 编号：C538106

封装：PQFN-6-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：更高的功率密度设计。更高的开关频率。使用OptiMOS 5芯片。只要有5V电源，就能减少零件数量。可直接由微控制器驱动（慢速开关）。降低系统成本。应用：无线充电。适配器

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￥8.93
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￥8.71
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￥8.56

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型号：IRF60DM206 编号：C537775

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥10.43
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￥10.17
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￥10

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型号：IRLS3034TRLPBF 编号：C538185

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整表征的电容和雪崩SOA。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。 SMPS中的高效同步整流

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1+
￥16.77
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￥16.42
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￥15.43

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型号：IPB030N08N3 G 编号：C536494

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对电机驱动应用进行了优化。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥17.3
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￥16.9
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￥16.64

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型号：BSO150N03MDG 编号：C3276878

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道，针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、POL）进行优化。低FOM_SW，适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。在VGS = 4.5V时具有非常低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。适用于消费级应用。无铅镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥18.53
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￥15.83
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￥14.15

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型号：IPLK60R600PFD7 编号：C537055

封装：ThinPAK(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolIMOS PFD7是一个优化平台，适用于消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，具有出色的性价比和易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

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￥21.95
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￥18.93
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￥17.14

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型号：BTS244ZE3043AKSA2 编号：C3278869

封装：TO-220-5-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-Channel。增强模式。逻辑电平输入。可进行模拟驱动。高达1 MHz的快速开关。带晶闸管特性的无电位温度传感器。过温保护。绿色产品（符合RoHS标准）。雪崩额定。 AEC认证

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￥28.2
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￥27.53
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￥25.68

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型号：IPB019N08N3GATMA1 编号：C3289289

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对电机驱动应用进行技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。优越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥34.81
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￥34.03
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￥33.51

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型号：IRFS7730TRLPBF 编号：C538036

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。全面表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥35.82
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￥30.53
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￥27.39

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型号：IRLS4030TRLPBF 编号：C538188

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行了优化。在4.5V的VGS下具有非常低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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单价：
￥38.61 / 个

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型号：BSB056N10NN3GXUMA1 编号：C3282058

封装：WDSON-3

品牌：Infineon(英飞凌)

OptiMOS™ 100V 产品是业界领先的功率 MOSFET，适用于实现高功率密度和高能效解决方案。在小尺寸封装下具备超低栅极电荷和输出电荷，以及极低的导通电阻，使 OptiMOS™ 100V 成为太阳能、驱动器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的理想之选。超快开关控制 FET 搭配低 EMI 同步 FET，提供易于设计的解决方案

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