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首页 > 热门关键词 > 英飞凌MOS驱动
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1个N沟道 耐压:60V 电流:130A
型号：IPI040N06N3 G 编号：C536962
封装：TO-262-3
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：适用于同步整流、驱动器和直流/直流开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 雪崩额定。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
数据手册

  • 1+

    ￥6.201 ￥9.54

  • 10+

    ￥5.1315 ￥9.33

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    ￥4.14 ￥9.2

  • 100+

    ￥4.077 ￥9.06
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:320A
    型号：IRFS7434TRLPBF 编号：C538030
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥14.23

    • 10+

      ￥11.97

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      ￥10.55

    • 100+

      ￥9.1
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:39A
    型号：BSZ100N03MSGATMA1 编号：C3279284
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOMQsw。 100%雪崩测试。 N沟道。 在Vgs = 4V时极低的导通电阻Rds(on)。 出色的栅极电荷xRds(on)乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 优越的热阻。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥3.55

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      ￥2.11
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    2个N沟道 耐压:30V
    型号：BSO150N03MD G 编号：C534536
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道，针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 低开关品质因数（FOM_SW），适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 符合消费级应用标准。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥3.799 ￥6.55

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      ￥2.5632 ￥5.34

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      ￥1.7974 ￥4.73

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      ￥1.5694 ￥4.13

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      ￥1.3604 ￥3.58
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:183A
    型号：IRFB7734PBF 编号：C537874
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥4

    • 10+

      ￥3.29

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      ￥2.93

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      ￥2.57
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
    型号：IRFS7540TRLPBF 编号：C538035
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥22.7848 ￥29.98

    • 10+

      ￥17.0676 ￥25.86

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      ￥11.7208 ￥20.93

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      ￥10.7968 ￥19.28
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:109A
    型号：BSC030N03MSGATMA1 编号：C672125
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 高频开关电源具有低FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥9.0729 ￥17.79

    • 10+

      ￥6.232 ￥15.2

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      ￥3.3666 ￥10.86
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：BSO040N03MS G 编号：C534531
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对5V驱动应用进行优化（笔记本电脑、VGA、负载点）。 低开关品质因数（FOM_SW），适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。 符合消费级应用标准。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥12.993 ￥21.3

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      ￥5.6129 ￥13.69
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:240A
    型号：IRFS7534TRL7PP 编号：C538032
    封装：D2PAK-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥23.5972 ￥38.06

    • 10+

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      ￥10.5504 ￥25.12

    • 800+

      ￥10.2774 ￥24.47
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:233A
    型号：ISG0614N06NM5HATMA1 编号：C25397922
    封装：PGVITFN-10
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：对称半桥。 针对低电压驱动和电池供电应用进行优化。 针对高性能开关电源进行优化。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥42.95

    • 10+

      ￥36.71

    • 30+

      ￥32.91
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:12.5A
    型号：IRL80HS120 编号：C538143
    封装：TSDSON-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：更高的功率密度设计。 更高的开关频率。 使用OptiMOS 5芯片。 在有5V电源的地方减少零件数量。 可直接由微控制器驱动（慢速开关）。 降低系统成本。应用：无线充电。 适配器
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    • 1+

      ￥6.02

    • 10+

      ￥4.86

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      ￥4.28

    • 100+

      ￥3.71
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:246A
    型号：IRFB7730PBF 编号：C495807
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 全面表征了电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥10.54

    • 10+

      ￥8.84

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      ￥7.92

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      ￥6.4

    • 1000+

      ￥6.19
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:68A
    型号：IRFH7787TRPBF 编号：C537897
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥10.6932 ￥18.76

    • 10+

      ￥7.5341 ￥16.03

    • 30+

      ￥5.3021 ￥14.33

    • 100+

      ￥4.6546 ￥12.58

    • 500+

      ￥4.3623 ￥11.79

    • 1000+

      ￥4.2365 ￥11.45
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:114A
    型号：IRF7580MTRPBF 编号：C537819
    封装：MG-WDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥17.1545 ￥31.19

    • 10+

      ￥12.105 ￥26.9

    • 30+

      ￥8.526 ￥24.36

    • 100+

      ￥7.623 ￥21.78

    • 500+

      ￥7.2065 ￥20.59

    • 1000+

      ￥7.0175 ￥20.05
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:586A
    型号：IRL40T209 编号：C538128
    封装：HSOF-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极和雪崩坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 改进的 ID 额定值。 无铅；符合 RoHS 标准；无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥21.24

    • 10+

      ￥18.06

    • 30+

      ￥16.16
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:135V 电流:160A
    型号：IRF135SA204 编号：C459937
    封装：TO-263-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 无铅、符合RoHS标准、无卤。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥21.6723 ￥55.57

    • 10+

      ￥13.9838 ￥48.22

    • 30+

      ￥8.3087 ￥43.73

    • 100+

      ￥7.5943 ￥39.97
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:399A
    型号：IST011N06NM5 编号：C2944065
    封装：STOLL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对低压电机驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 支持自动光学焊接检测。 100%雪崩测试。 N沟道。 额定温度175℃。 无铅镀铅，符合RoHS标准
    数据手册

    • 1+

      ￥23.44

    • 10+

      ￥20.26

    • 30+

      ￥18.36
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:34V 电流:36A
    型号：BSZ0909NS 编号：C534692
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对 5V 驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 高频开关电源的低品质因数（FOM_SW）。 100% 雪崩测试。 改善的开关特性。 N 沟道。 在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 卓越的热阻。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥1.21

    • 10+

      ￥1.18

    • 30+

      ￥1.16
  • 有货
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    双N沟道MOSFET,电流:7.7A,耐压:30V
    型号：BSO220N03MDGXUMA1 编号：C3278510
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道。 针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）。 适用于消费级应用。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥3.13

    • 10+

      ￥2.49

    • 30+

      ￥2.21
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
    型号：IPN60R1K5PFD7SATMA1 编号：C3288799
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolIMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolIMOS PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而量身定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。

    • 1+

      ￥3.95

    • 10+

      ￥3.22

    • 30+

      ￥2.86
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:77A,耐压:40V
    型号：ISC046N04NM5ATMA1 编号：C3288849
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：电池供电应用。 低压电机驱动。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 额定温度175°C

    • 1+

      ￥5.08

    • 10+

      ￥4.04

    • 30+

      ￥3.53

    • 100+

      ￥3.01
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
    型号：IPP040N06N3GXKSA1 编号：C513209
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于同步整流、驱动器和直流/直流开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 雪崩额定。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥7.21

    • 10+

      ￥5.98

    • 50+

      ￥5.3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:75A
    型号：IRFB7546PBF 编号：C537873
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥10.29

    • 10+

      ￥7.67

    • 30+

      ￥6.02
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:295A
    型号：IRFB7530PBF 编号：C537869
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全面表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:1.9A
    型号：IPD60R2K0PFD7S 编号：C536817
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMos TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS TM PFD7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:85A
    型号：IRFH7545TRPBF 编号：C537896
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：IRFSL7440PBF 编号：C481264
    封装：TO-262-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
    型号：IRFU7440PBF 编号：C538068
    封装：IPAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强了体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅，符合RoHS标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:475A
    型号：IST006N04NM6AUMA1 编号：C6968808
    封装：HSOF-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对低压电机驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热性能。 N沟道。 无铅镀铅：符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 额定温度175℃

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    HEXFET功率MOSFET
    型号：IRL60B216 编号：C538132
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 具备完整的电容和雪崩 SOA 特性。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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