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首页 > 热门关键词 > TIMOS驱动
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待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD内建了一个500K上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3/0.6A,采用SOP8封装。
数据手册
  • 5+

    ¥1.1825
  • 50+

    ¥1.0313
  • 150+

    ¥0.9665
  • 500+

    ¥0.8856
  • 有货
  • 双通道(反/同)、拉/灌电流:2/2A,输入耐受低至-10V
    • 5+

      ¥1.38434 ¥1.4572
    • 50+

      ¥1.08699 ¥1.1442
    • 150+

      ¥0.959595 ¥1.0101
    • 500+

      ¥0.80066 ¥0.8428
    • 2500+

      ¥0.72979 ¥0.7682
    • 4000+

      ¥0.687325 ¥0.7235
  • 有货
  • EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/-0.6/1.0A,采用SOP8封装。
    • 5+

      ¥1.3921
    • 50+

      ¥1.2031
    • 150+

      ¥1.1221
    • 500+

      ¥1.0211
  • 有货
  • FD2607S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2607S内置VCC欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。FD2607S内置防直通保护和死区时间,防止功率管发生直通,有效防止半桥功率器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6109
    • 50+

      ¥1.277
    • 150+

      ¥1.1339
    • 500+

      ¥0.9554
  • 有货
  • 特性:电源电压:4.0V~18V。 输出电流:+1.2A/-1.3A。 3.3V/5V输入逻辑兼容。 VCC欠压保护(UVLO)。 输出与输入同相。 SOT23-6封装。应用:开关电源。 高效MOSFET开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6799
    • 50+

      ¥1.3317
    • 150+

      ¥1.1825
    • 500+

      ¥0.9963
  • 有货
  • 最大额定持续电流 4A,峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作(最高 1MHz)。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6962
    • 50+

      ¥1.3182
    • 150+

      ¥1.1562
    • 500+

      ¥0.9541
    • 2500+

      ¥0.8641
    • 4000+

      ¥0.81
  • 有货
  • SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,且传播延迟极小,典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时,SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A
    • 5+

      ¥1.8135
    • 50+

      ¥1.4057
    • 150+

      ¥1.231
    • 500+

      ¥1.102
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI正LI负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8543
    • 50+

      ¥1.4259
    • 150+

      ¥1.2423
    • 500+

      ¥1.0133
  • 有货
  • HX4426/4427/4428系列双低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。这与双极型器件不同,双极型器件只能在电源的1V范围内摆动
    • 5+

      ¥2.03211 ¥2.2579
    • 50+

      ¥1.5831 ¥1.759
    • 150+

      ¥1.39059 ¥1.5451
    • 500+

      ¥1.15047 ¥1.2783
    • 2500+

      ¥1.04355 ¥1.1595
    • 5000+

      ¥0.97947 ¥1.0883
  • 有货
  • 250V,死区时间:100ns,电机驱动
    • 1+

      ¥2.04
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.92
  • 有货
  • SL2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥2.104 ¥2.63
    • 10+

      ¥1.656 ¥2.07
    • 30+

      ¥1.464 ¥1.83
    • 100+

      ¥1.216 ¥1.52
    • 500+

      ¥1.112 ¥1.39
    • 1000+

      ¥1.048 ¥1.31
  • 有货
  • 单向桥高低侧同向驱动配置 LM5109A是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
    • 5+

      ¥2.1344
    • 50+

      ¥1.6808
    • 150+

      ¥1.4864
    • 500+

      ¥1.1539
    • 2500+

      ¥1.0459
    • 4000+

      ¥0.981
  • 有货
  • 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
    数据手册
    • 1+

      ¥2.17
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.54
  • 有货
  • 单相桥驱动,高同低反,逻辑输出电平。
    • 5+

      ¥2.296
    • 50+

      ¥1.8029
    • 150+

      ¥1.5915
    • 500+

      ¥1.3278
    • 2500+

      ¥1.2104
    • 4000+

      ¥1.14
  • 有货
  • APR346 是一款用于同步整流的次级侧 MOSFET 驱动器,支持连续导通模式(CCM)、不连续导通模式(DCM)和准谐振反激拓扑。同步整流可有效降低次级侧整流器的功耗,并提供高性能解决方案。通过检测初级 MOSFET 的栅源电压,APR346 只需较少的外部元件即可输出理想的驱动信号
    • 1+

      ¥2.3
    • 10+

      ¥2.03
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • HX33151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥2.385 ¥2.65
    • 10+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 30+

      ¥1.98 ¥2.2
    • 100+

      ¥1.845 ¥2.05
    • 500+

      ¥1.764 ¥1.96
    • 1000+

      ¥1.728 ¥1.92
  • 有货
  • HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
    • 1+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 10+

      ¥2.25 ¥2.5
    • 30+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 100+

      ¥1.971 ¥2.19
    • 500+

      ¥1.881 ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.845 ¥2.05
  • 有货
  • HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
    • 1+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 10+

      ¥2.25 ¥2.5
    • 30+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 100+

      ¥1.971 ¥2.19
    • 500+

      ¥1.881 ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.845 ¥2.05
  • 有货
  • 双通道超高速功率开关驱动器,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.43
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.64
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.56
  • 有货
  • SDH2103U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2103U采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.84
    • 100+

      ¥1.52
  • 有货
  • 单相, 内置自举二极管,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.67
    • 30+

      ¥2.63
    • 100+

      ¥2.59
  • 有货
  • 双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置:双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号,提供改进的电气性能和耐用性
    • 1+

      ¥2.79 ¥3.1
    • 10+

      ¥2.196 ¥2.44
    • 50+

      ¥1.935 ¥2.15
    • 100+

      ¥1.62 ¥1.8
    • 500+

      ¥1.476 ¥1.64
    • 1000+

      ¥1.386 ¥1.54
  • 有货
  • 低边高速栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.73
  • 有货
  • NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器,适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载,传播延迟为 30 ns,转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内,可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压,以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平,可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时,两个驱动器输出都为低电平,而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.95
    • 10+

      ¥2.32
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.71
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET,支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和氮化镓(GaN)功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.67
  • 有货
  • 双通道4A的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点,使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动,同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.01
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.48
  • 有货
  • 此栅极驱动集成电路广泛适用于4.5V至25V电压平台,峰值输出电流达2A,确保快速精准的信号放大。其承受-5V最大输入负压的特性,增强了电路的稳定性和适应性,是实现高效能电子开关和信号控制的杰出搭档。
    • 1+

      ¥3.01
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.09
    • 100+

      ¥1.74
    • 500+

      ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • HX4423/4424/4425系列是一款高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器,在改进功能的同时,提供了比HX4426/4427/4428更高的输出电流版本。这些系列引脚兼容,HX4423/4424/4425驱动器专门设计用于要求更苛刻的电气环境,在额定功率和电压范围内的任何条件下都能提供可靠的服务。无论极性如何,它们都能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰
    • 1+

      ¥3.087 ¥3.43
    • 10+

      ¥2.484 ¥2.76
    • 50+

      ¥2.187 ¥2.43
    • 100+

      ¥1.89 ¥2.1
    • 500+

      ¥1.71 ¥1.9
    • 1000+

      ¥1.62 ¥1.8
  • 有货
  • 单相, 内置自举二极管,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥3.12
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥3
    • 100+

      ¥2.96
  • 有货
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