TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.1175
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￥1.6739
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￥1.4839
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￥1.2467
2500+
￥1.1411

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型号：HX293D-S 编号：C49339804

封装：SOP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该设备是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平。它能够驱动电感负载，如继电器、螺线管、直流电机和步进电机，以及开关功率晶体管。为方便在两个桥接配置中使用，每对通道都配备了一个使能输入。此外，逻辑电路有单独的电源输入，允许在较低电压下工作。还内置了钳位二极管以提高性能。该设备适用于频率高达5kHz的开关操作。

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￥2.169 ￥2.41
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.521 ￥1.69
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￥1.278 ￥1.42
2000+
￥1.17 ￥1.3
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￥1.107 ￥1.23

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型号：FAN7380MX-JSM 编号：C17701710

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 FAN7380是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.184 ￥2.73
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￥1.936 ￥2.42
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￥1.816 ￥2.27
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￥1.688 ￥2.11
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￥1.616 ￥2.02
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￥1.584 ￥1.98

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型号：COS1416R 编号：C7190315

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥2.37
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￥1.87
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￥1.65
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￥1.38
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￥1.26
6000+
￥1.19

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型号：EG3112 编号：C111908

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

600V，IO+1A/-1.5A，大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC

数据手册

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￥2.6
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￥1.96
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￥1.65

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型号：HTC4427AEOA713 编号：C22449575

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能栅极驱动IC，宽泛的工作电压区间4.5V至25V，搭配2A峰值输出电流能力，为各类电路提供强大驱动力。其-5V的最大输入负压承受能力，提升了系统兼容性和鲁棒性，是实现精密控制与高效能转换的优选组件。

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￥2.8072 ￥3.19
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￥2.2352 ￥2.54
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￥1.98 ￥2.25
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￥1.672 ￥1.9
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￥1.54 ￥1.75
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￥1.4608 ￥1.66

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型号：NSG6021 编号：C53436456

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.808 ￥3.12
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￥2.259 ￥2.51
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￥2.016 ￥2.24
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.593 ￥1.77
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￥1.512 ￥1.68

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型号：SL27524A 编号：C46061829

封装：SOIC-8

品牌：Slkor(萨科微)

是5A双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET和IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOIC-8封装使MOSFET能够以数百kHz的频率开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。该驱动器能够将两个通道并联以增加输出驱动电流

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￥3.04
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￥2.44
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￥2.18
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￥1.86
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￥1.71
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￥1.62

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型号：SL27624MS 编号：C20539705

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为20ns。在12V VDD电源供电时，SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流

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￥3.192 ￥3.99
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￥2.576 ￥3.22
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￥2.264 ￥2.83
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￥1.952 ￥2.44
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￥1.768 ￥2.21
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￥1.672 ￥2.09

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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￥3.23
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￥2.51
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￥2.2
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￥1.81
500+
￥1.64

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型号：NSG2184 编号：C7421059

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A

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￥3.32
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￥2.94
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￥2.76
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￥2.46
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￥2.4

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型号：SLM7888MD 编号：C785010

封装：TSSOP-20

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

数据手册

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￥3.34
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￥2.64
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￥2.29
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￥1.94
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￥1.74

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型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

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￥3.61
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￥2.88
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￥2.52
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￥2.15
500+
￥1.94
1000+
￥1.83

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型号：TC4427VPA-JSM 编号：C20616627

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 TC4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。TC4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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￥3.753 ￥4.17
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￥3.06 ￥3.4
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￥2.547 ￥2.83
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￥2.196 ￥2.44
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￥1.881 ￥2.09

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型号：TC4427AVPA-JSM 编号：C20616628

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 TC4427A是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。TC4427A在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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￥3.848 ￥4.81
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￥3.152 ￥3.94
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￥2.152 ￥2.69

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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥4.066 ￥4.28
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￥3.2395 ￥3.41
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￥2.831 ￥2.98
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￥2.4225 ￥2.55
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￥2.337 ￥2.46
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￥2.204 ￥2.32

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型号：XJNG2153D 编号：C53190623

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥4.44
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￥3.6
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￥3.18
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￥2.76
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￥2.51
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￥2.38

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型号：IR2113PBF-HX 编号：C52191356

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2113PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，支持3.3V逻辑输入，高边驱动可达600V，延时匹配适用于高频应用

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￥4.5 ￥5
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￥3.645 ￥4.05
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￥3.213 ￥3.57
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￥2.79 ￥3.1
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￥2.538 ￥2.82
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￥2.403 ￥2.67

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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

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￥4.55
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￥3.68
25+
￥3.25
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￥2.82
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￥2.56
1000+
￥2.43

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型号：LTC7001IMSE-JSM 编号：C44606290

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥4.58
10+
￥4.13
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￥3.88
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￥3.61

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型号：LTC7001EMSE-JSM 编号：C44606291

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥4.58
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￥4.13
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￥3.88
100+
￥3.61

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型号：IRS21281STRPBF-JSM 编号：C41421794

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。