TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：JSM6288Q 编号：C19077370

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为高欠压VCC≥8V；C52196409为低欠压VCC≥5V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

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型号：FD6187T 编号：C5126666

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。内置欠压(UVLO)保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置防直通和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

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型号：NSG2308 编号：C53436449

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：G2063Q 编号：C49449773

封装：QFN-24(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

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型号：UCC27511DBVR-JSM 编号：C7466358

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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型号：MCP1402T-E/OT 编号：C128573

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

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型号：LMG1020YFFR 编号：C6423790

封装：BGA-6

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.75V~5.25V 峰值灌电流：5A 峰值拉电流：7A 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 6-DSBGA -40 to 125

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型号：IX4340NETR 编号：C3029625

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能提供和吸收5A的峰值电流，最大额定电压为20V。两个输出端可并联以用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间（典型值16ns）和快速的上升和下降时间（7ns）使其非常适合高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容，每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路（UVLO）可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。如果逻辑输入悬空，输出将保持低电平。

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型号：NSG2000 编号：C41414507

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器，可实现100%占空比

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型号：SGM48000XS8G/TR 编号：C700286

封装：SOIC-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM48000/1/2系列是双通道低端驱动器，典型源电流和灌电流能力为2A。反相和同相输入均可用，可选择三种组合以实现灵活的逻辑应用。SGM48000/1/2的上升时间和下降时间分别匹配为12ns和13ns，这使得脉冲宽度能够以最小的时序误差和时钟偏移问题传输到输出端

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型号：IXDI602SIATR 编号：C2677097

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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型号：IXDN609SIATR 编号：C5242049

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：IXDD609SIATR 编号：C2677099

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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型号：TD352IDT 编号：C155594

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

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型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

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型号：FAN3100CSX-TP 编号：C51939553

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

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型号：IRS2103STR(UMW) 编号：C29780641

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：GHD3440QE 编号：C42385771

封装：QFN24

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

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型号：NSG2024 编号：C53436442

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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型号：TPM27524-SO1R 编号：C20416757

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是一系列用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源极和漏极电流能力可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最高25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低的传播延迟和两个通道之间出色的匹配度，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。广泛的封装支持SOP-8、EMSOP-8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源砖中超紧凑型同步整流器的设计。

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

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型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

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型号：G2063Q 编号：C53436485

封装：QFN-24(4x4)

品牌：NCE(无锡新洁能)

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