TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-5

高速MOSFET驱动器，可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平（3V至18V）直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升／下降时间和传输时延特性，使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电，且可轻松地在不到19 ns（典型值）的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下，均可提供足够低的阻抗，以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内，任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V（任何极性）的噪声尖峰时，这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端，而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为3kV（HBM）和400V（MM）的静电放电（ESD）。

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.49
30+
￥3.09
100+
￥2.69
500+
￥2.45
1000+
￥2.33

有货

立即购买

型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.304 ￥2.56
10+
￥2.025 ￥2.25
30+
￥1.89 ￥2.1
100+
￥1.746 ￥1.94
500+
￥1.665 ￥1.85
1000+
￥1.629 ￥1.81

有货

立即购买

型号：COS4428SR 编号：C2685359

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,同反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.36
50+
￥1.82
150+
￥1.58
500+
￥1.29
2500+
￥1.16
4000+
￥1.08

有货

立即购买

型号：DO6288Q 编号：C42386238

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

1+
￥2.58
10+
￥2.02
30+
￥1.78
100+
￥1.47
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

立即购买

型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.33
30+
￥2.07
100+
￥1.75
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

有货

立即购买

型号：LM5109BMAX-JSM 编号：C7432827

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向，高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

1+
￥2.975 ￥3.5
10+
￥2.2865 ￥2.69
30+
￥1.9975 ￥2.35
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.4705 ￥1.73
1000+
￥1.3685 ￥1.61

有货

立即购买

型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

1+
￥3.19
10+
￥2.46
30+
￥2.15
100+
￥1.76
500+
￥1.67
1000+
￥1.57

有货

立即购买

型号：EG2184S 编号：C48580027

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

1+
￥3.25
10+
￥2.57
30+
￥2.28
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

立即购买

型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

1+
￥3.28
10+
￥2.52
30+
￥2.2
100+
￥1.79
500+
￥1.61
1000+
￥1.5

有货

立即购买

型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.41
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.12
500+
￥1.92
1000+
￥1.83

有货

立即购买

型号：FAN3111ESX 编号：C719836

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。

数据手册

1+
￥3.76
10+
￥3.11
30+
￥2.82
100+
￥2.47
500+
￥2.14
1000+
￥2.04

有货

立即购买

型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.73
30+
￥3.52
100+
￥3.32
500+
￥2.47
1000+
￥2.41

有货

立即购买

型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.4
30+
￥2.97
100+
￥2.55
500+
￥2.29
1000+
￥2.16

有货

立即购买

型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥4.81 ￥7.4
10+
￥3.696 ￥6.72
30+
￥2.8575 ￥6.35
100+
￥2.6685 ￥5.93
500+
￥2.583 ￥5.74
1000+
￥2.547 ￥5.66

有货

立即购买

型号：TF2388M-TGH 编号：C2836240

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥5.5
10+
￥4.96
30+
￥4.66
100+
￥4.33
500+
￥4.18

有货

立即购买

型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥5.07
30+
￥4.79
100+
￥4.46
500+
￥3.78
1000+
￥3.71

有货

立即购买

型号：ID7S625SBC-R1-JSM 编号：C7432832

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能,含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.62
10+
￥4.54
30+
￥4
100+
￥3.47
500+
￥3.1
1000+
￥2.93

有货

立即购买

型号：FAN3227TMPX 编号：C890701

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥6.552 ￥7.8
10+
￥5.2466 ￥7.09
30+
￥4.288 ￥6.7
100+
￥4 ￥6.25
500+
￥3.8784 ￥6.06
1000+
￥3.8208 ￥5.97

有货

立即购买

型号：SIC620ACD-T1-GE3 编号：C467917

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术，该技术提供了行业基准性能，显著降低了开关损耗和导通损耗。SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告（THWn）以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器，并支持三态PWM、3.3 V（SiC620A）/ 5 V（SiC620）PWM逻辑。

数据手册

1+
￥6.86
10+
￥5.72
30+
￥5.1

有货

立即购买

型号：SIC641ACD-T1-GE3 编号：C3654920

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥7.12
10+
￥6.38
30+
￥5.98
100+
￥5.4096 ￥5.52
500+
￥5.2136 ￥5.32
1000+
￥5.1156 ￥5.22

有货

立即购买

型号：L6390DTR 编号：C503085

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧/低侧驱动器

数据手册

1+
￥11.11
10+
￥9.39
30+
￥8.32
100+
￥7.22
500+
￥6.72
1000+
￥6.5

有货

立即购买

型号：IRS2453DSTRPBF 编号：C52141

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

集成的600V全桥门驱动器

数据手册

1+
￥12.02
10+
￥10.13
30+
￥8.94
100+
￥7.72
500+
￥7.17

有货

立即购买

型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离4 A单重栅极驱动器

数据手册

1+
￥12.08
10+
￥10.38
30+
￥9.45
100+
￥8.39
500+
￥7.41
1000+
￥7.2

有货

立即购买

型号：LKS523 编号：C6337451

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS523是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥预驱动器。它具有高端和低端输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉导通。

单价：
￥0.523 / 个

有货

立即购买

型号：UCC27517DBVR-S-JSM 编号：C52711846

封装：TSOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道栅极驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥0.8193
50+
￥0.6513
150+
￥0.5673
500+
￥0.5043
3000+
￥0.4278
6000+
￥0.4025

有货

立即购买

型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥1.24
10+
￥1.21
30+
￥1.19
100+
￥1.17

有货

立即购买

型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。