TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG21867 编号：C53436454

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥4.509 ￥5.01
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￥3.708 ￥4.12
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￥3.303 ￥3.67
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￥2.907 ￥3.23
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￥2.664 ￥2.96
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￥2.547 ￥2.83

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型号：NSG20752 编号：C53463332

封装：SOT-23-6

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥4.815 ￥5.35
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￥3.951 ￥4.39
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￥3.528 ￥3.92
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￥2.844 ￥3.16
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￥2.718 ￥3.02

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

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￥5.25
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￥4.18
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￥3.65
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￥3.12
500+
￥2.8
1000+
￥2.63

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型号：NSG21271 编号：C53436468

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.265 ￥5.85
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￥4.329 ￥4.81
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￥3.852 ￥4.28
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￥3.393 ￥3.77
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￥3.114 ￥3.46
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￥2.97 ￥3.3

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

数据手册

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￥5.29
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￥4.38
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￥3.93
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￥3.48
500+
￥3.21
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￥3.07

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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥6.32
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￥5.24
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￥4.7
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￥3.23
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￥2.91
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￥2.75

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

数据手册

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￥6.4
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￥5.12
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￥4.49
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￥3.86
500+
￥3.48
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￥3.28

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

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￥6.77
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￥5.6
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￥4.23
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￥3.91
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￥3.76

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型号：NSG7385 编号：C53436472

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥8.514 ￥9.46
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￥7.173 ￥7.97
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￥6.435 ￥7.15
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￥5.598 ￥6.22
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￥5.229 ￥5.81
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￥5.067 ￥5.63

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型号：MIC4452YM-TR 编号：C435908

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

数据手册

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￥9.9
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￥8.27
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￥7.38
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￥6.37
500+
￥5.92
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￥5.71

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型号：TC1410EOA713 编号：C624881

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

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￥10.81
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￥9.05
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￥8.08
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￥6.98
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￥6.5
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￥6.28

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

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￥13.04
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￥11.06
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￥9.82
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￥7.74
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￥7.16
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￥6.91

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

数据手册

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￥17.17
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￥14.46
30+
￥12.77
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￥11.03
500+
￥10.24
1000+
￥9.9

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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

1+
￥17.28
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￥16.34
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￥15.79
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￥15.22
500+
￥14.96
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￥14.84

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型号：NSG532 编号：C46473175

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。

5+
￥0.9937
50+
￥0.785
150+
￥0.6955
500+
￥0.5839
3000+
￥0.5342
6000+
￥0.5044

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型号：UCC27511DBVR(UMW) 编号：C20623190

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27511DBVR单通道高速低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVR能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极短。

5+
￥1.2283
50+
￥0.9607
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￥0.846
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￥0.703
3000+
￥0.6393
6000+
￥0.601

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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。

5+
￥1.3263
50+
￥1.0324
150+
￥0.9064
500+
￥0.7492
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

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型号：COS1416 编号：C7190314

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

5+
￥1.418
50+
￥1.0904
150+
￥0.95
500+
￥0.7749
3000+
￥0.6969
6000+
￥0.65

有货

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型号：UCC27519DBVR(UMW) 编号：C20623193

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27519器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UCC27519的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

5+
￥1.433
50+
￥1.1209
150+
￥0.9871
500+
￥0.8201
3000+
￥0.7458
6000+
￥0.7012

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型号：EG2106 编号：C480655

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0125
50+
￥1.5226
150+
￥1.3126
500+
￥1.0507
2500+
￥1.033
4000+
￥0.963

有货

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型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥2.0485 ￥2.41
10+
￥1.6235 ￥1.91
30+
￥1.4365 ￥1.69
100+
￥1.207 ￥1.42
500+
￥1.105 ￥1.3
1000+
￥1.0455 ￥1.23

有货

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型号：FAN3100CSX-JSM 编号：C7432824

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

1+
￥2.115 ￥2.35
10+
￥1.872 ￥2.08
30+
￥1.746 ￥1.94
100+
￥1.629 ￥1.81
500+
￥1.557 ￥1.73
1000+
￥1.512 ￥1.68

有货

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型号：IR4426STRPBF-JSM 编号：C7462830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，电机控制等，DQ类开关放大器

5+
￥2.204 ￥2.32
50+
￥1.7195 ￥1.81
150+
￥1.52 ￥1.6
500+
￥1.292 ￥1.36
2500+
￥1.178 ￥1.24
4000+
￥1.102 ￥1.16

有货

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型号：EG2104M 编号：C480653

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.2759
50+
￥1.786
150+
￥1.5761
500+
￥1.3141
2500+
￥1.1841

有货

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型号：NSG2203U 编号：C53436488

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.385 ￥2.65
10+
￥1.917 ￥2.13
30+
￥1.719 ￥1.91
100+
￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.35 ￥1.5
1000+
￥1.287 ￥1.43

有货

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型号：G2061 编号：C53436212

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.439 ￥2.71
10+
￥1.962 ￥2.18
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￥1.755 ￥1.95
100+
￥1.494 ￥1.66
500+
￥1.386 ￥1.54
1000+
￥1.314 ￥1.46

有货

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型号：NSG2065 编号：C53436440

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.547 ￥2.83
10+
￥2.043 ￥2.27
30+
￥1.827 ￥2.03
100+
￥1.557 ￥1.73
500+
￥1.44 ￥1.6
1000+
￥1.368 ￥1.52

有货

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型号：TPM27523-SO1R 编号：C38403282

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

1+
￥2.62
10+
￥2.02
30+
￥1.76
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￥1.44
500+
￥1.29
1000+
￥1.2

有货

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型号：COS4426SR 编号：C2685357

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双反相，双高速低功耗 MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.62
50+
￥2.02
150+
￥1.76
500+
￥1.44
2500+
￥1.29
4000+
￥1.2

有货

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型号：TPM27524-DF6R 编号：C38487412

封装：DFN-8(3x3)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力，可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛，支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。

5+
￥2.62
50+
￥2.02
150+
￥1.76
500+
￥1.44
2500+
￥1.29

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