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封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428是早期TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进版本。TC4426/TC4427/TC4428器件在对MOSFET的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥6.35
10+
￥5.06
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￥4.41
100+
￥3.77
500+
￥3.38
1000+
￥3.18

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型号：IRS21867-MNS 编号：C52941369

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

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￥3.44
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￥2.79
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型号：SGM48000XS8G/TR 编号：C700286

封装：SOIC-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM48000/1/2系列是双通道低端驱动器，典型源电流和灌电流能力为2A。反相和同相输入均可用，可选择三种组合以实现灵活的逻辑应用。SGM48000/1/2的上升时间和下降时间分别匹配为12ns和13ns，这使得脉冲宽度能够以最小的时序误差和时钟偏移问题传输到输出端

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￥6.29
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￥4.83
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￥4.1
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型号：TF2117-TAH 编号：C2683755

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥6.35
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￥5.14
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￥4.53
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￥3.93
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￥3.33
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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥6.52
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￥5.39
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￥4.83
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￥3.3
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￥2.97
1000+
￥2.79

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥6.63
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￥5.36
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￥4.72
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￥3.72
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￥3.34
1000+
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型号：NCP51530BDR2G 编号：C904510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

数据手册

1+
￥6.67
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￥5.55
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￥4.93
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￥4.23
500+
￥3.92
1000+
￥3.78

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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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￥9.85
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￥8.14
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￥7.2
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￥5.85
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￥5.38
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￥5.17

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

数据手册

1+
￥12.07
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￥11.09
30+
￥10.48
100+
￥8.68
500+
￥8.39
1000+
￥8.27

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型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥13.8336 ￥15.72
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￥13.156 ￥14.95
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￥12.7424 ￥14.48
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￥12.3376 ￥14.02
500+
￥12.144 ￥13.8
1000+
￥12.056 ￥13.7

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

数据手册

1+
￥14.07
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￥12.2
30+
￥11.03
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￥7.59
500+
￥7.05
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￥6.81

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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

1+
￥17.84
10+
￥16.9
30+
￥16.35
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￥15.78
500+
￥15.52
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￥15.4

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

1+
￥22.29
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￥21.28
30+
￥20.69
100+
￥18.28
500+
￥18
1000+
￥17.88

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

5+
￥0.7249
50+
￥0.5809
150+
￥0.5089
500+
￥0.4549
2500+
￥0.4117
4000+
￥0.39

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型号：UCC27517DBVR-JSM 编号：C7432821

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥1.037168 ￥1.1786
50+
￥0.807048 ￥0.9171
150+
￥0.708488 ￥0.8051
500+
￥0.585376 ￥0.6652
3000+
￥0.56716 ￥0.6445
6000+
￥0.534248 ￥0.6071

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型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

5+
￥1.2123
50+
￥0.9398
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￥0.8229
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￥0.6772
3000+
￥0.6123
6000+
￥0.5733

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型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

5+
￥1.2273
50+
￥0.9597
150+
￥0.845
500+
￥0.7019
3000+
￥0.6382
6000+
￥0.6

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型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥1.332 ￥1.48
10+
￥1.305 ￥1.45
30+
￥1.287 ￥1.43
100+
￥1.26 ￥1.4

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.364
50+
￥1.0701
150+
￥0.9441
500+
￥0.7869
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

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型号：UCC27519DBVR(UMW) 编号：C20623193

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27519器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UCC27519的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

5+
￥1.4192
50+
￥1.1124
150+
￥0.981
500+
￥0.8169
3000+
￥0.7439
6000+
￥0.7001

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型号：EG2124 编号：C2856308

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

5+
￥1.4241
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￥1.2351
150+
￥1.1541
500+
￥1.08
2500+
￥1.035
4000+
￥1.008

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型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.496 ￥1.87
10+
￥1.296 ￥1.62
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￥1.208 ￥1.51
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￥1.096 ￥1.37
500+
￥1.048 ￥1.31
1000+
￥1.024 ￥1.28

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型号：GBI7250TJBR 编号：C5451739

封装：TSOT23-5

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。