TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2153PBF 编号：C2983

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动集成电路，可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。

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￥6.35
10+
￥5.06
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￥4.41
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￥3.77
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￥3.19

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

数据手册

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￥6.52
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￥5.26
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￥4.63
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￥4
500+
￥3.63
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型号：FAN7392MX-JSM 编号：C7498958

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥8.19
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￥5.4 ￥6.75
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￥4.768 ￥5.96
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￥4.048 ￥5.06
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￥3.728 ￥4.66
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￥3.584 ￥4.48

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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥6.706 ￥9.58
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￥6.139 ￥8.77
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￥5.782 ￥8.26
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￥5.173 ￥7.39

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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￥6.77
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￥4.23
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型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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￥7.32
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￥6.02
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型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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￥8.14
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￥6.73
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￥5.95
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￥5.08
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￥4.69
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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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￥8.23
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￥7.07
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￥6.44
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￥5.72
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￥3.56
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￥3.42

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型号：L6491DTR 编号：C2970144

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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￥11.41
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￥9.78
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￥8.84
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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

数据手册

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￥17.73
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￥14.87
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￥13.07
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￥11.24
500+
￥10.41

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型号：1ED3323MC12NXUMA1 编号：C17695244

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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￥25.25
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￥21.5
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￥19.27
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￥17.01
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￥15.97

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

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￥0.7642
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￥0.6202
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￥0.5482
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￥0.4942
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￥0.451
4000+
￥0.4293

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型号：JSM2103SSTR 编号：C44606222

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.63
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￥1.42
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￥1.2

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型号：U2103S 编号：C17701705

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 U2103S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.764 ￥1.96
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￥1.539 ￥1.71
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￥1.44 ￥1.6
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￥1.314 ￥1.46
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￥1.296 ￥1.44
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￥1.26 ￥1.4

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型号：GBI7254SMBR 编号：C5451740

封装：SOIC-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。

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￥1.7857
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￥1.4022
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￥1.2378
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￥1.0327
2500+
￥0.9414
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￥0.8866

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型号：IR2104STRPBF-JSM 编号：C5804631

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

5+
￥1.821055 ￥1.9169
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￥1.40733 ￥1.4814
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￥1.23006 ￥1.2948
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￥1.046805 ￥1.1019
2500+
￥0.948385 ￥0.9983
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￥0.8892 ￥0.936

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型号：DRV8300DPWR-JSM 编号：C41421800

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。

1+
￥2.1
10+
￥1.83
30+
￥1.71
100+
￥1.56
500+
￥1.54
1000+
￥1.5

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型号：NSG2101 编号：C7421061

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

5+
￥2.1085
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￥1.6564
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￥1.4626
500+
￥1.2209
2500+
￥1.1132
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￥1.0486

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型号：LF2304NTR-JSM 编号：C17701713

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.115 ￥2.35
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￥1.872 ￥2.08
30+
￥1.746 ￥1.94
100+
￥1.629 ￥1.81
500+
￥1.557 ￥1.73
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￥1.512 ￥1.68

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型号：RT9624AZS 编号：C167520

封装：SOP-8

品牌：RICHTEK(立锜)

驱动两个N-MOSFET,DC-DC转换

数据手册

5+
￥2.1845
50+
￥1.7461
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￥1.5583
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￥1.2978
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￥1.1934
5000+
￥1.1308

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型号：UCC27517DBVT-JSM 编号：C7432822

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

1+
￥2.312 ￥2.89
10+
￥1.832 ￥2.29
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￥1.624 ￥2.03
100+
￥1.36 ￥1.7
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

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型号：FD2606S 编号：C2909830

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2606S逻辑输入兼容TTL和CMOS（低至3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。

数据手册

5+
￥2.34
50+
￥1.86
150+
￥1.65
500+
￥1.39
3000+
￥1.27

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型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥2.538 ￥2.82
10+
￥1.998 ￥2.22
30+
￥1.764 ￥1.96
100+
￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.341 ￥1.49
1000+
￥1.26 ￥1.4

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型号：NSG2304 编号：C53463327

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.7 ￥3
10+
￥2.169 ￥2.41
30+
￥1.944 ￥2.16
100+
￥1.656 ￥1.84
500+
￥1.53 ￥1.7
1000+
￥1.458 ￥1.62

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型号：EG2181D 编号：C2832191

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2181D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.48
30+
￥2.19
100+
￥1.82
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￥1.54
1000+
￥1.45

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型号：U3216C 编号：C20626023

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

1+
￥3.16
10+
￥2.46
30+
￥2.16
100+
￥1.79
500+
￥1.68
1000+
￥1.58

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

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