mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM5106SDX/NOPB 编号：C544463

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥4.45
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￥3.99
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￥3.74
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￥3.46
500+
￥3.33
1000+
￥3.27

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型号：SL27511A 编号：C46061828

封装：SOT-23-6L

品牌：Slkor(萨科微)

是一款4A峰值源电流和8A峰值灌电流驱动的单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET、IGBT和新兴的WBG功率开关。低传播延迟和紧凑的SOT23封装可实现数百kHz的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽VDD工作范围为4.5V至20V，可有效驱动MOSFET或GaN功率开关。集成的欠压锁定（UVLO）保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V至24V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下稳定运行。输入阈值与TTL输入兼容。

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￥2.4124
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￥1.9336
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￥1.7284
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￥1.4724
3000+
￥1.3584
6000+
￥1.2899

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型号：TF0216-USQ 编号：C2683769

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥2.4484
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￥1.9446
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￥1.7287
500+
￥1.4592

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型号：TF2101M-TAH 编号：C2683752

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥3.31
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￥2.58
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￥2.27
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￥1.88
500+
￥1.79
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型号：ZXGD3005E6TA 编号：C177098

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器，能够在最高25V的电源电压下，向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns，相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关，以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真

数据手册

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￥3.59
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￥2.92
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￥2.63
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￥1.69
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￥1.59

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型号：SCT51240TWBR 编号：C509058

封装：TSOT-23-5L

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT51240是一款宽电源、单通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET、IGBT以及GaN等宽带隙器件。24V电源轨可增强驱动器在功率器件转换期间的输出振铃耐受性。该器件能在低于5V的电源下进行开关操作，因此非常适合低电压阈值功率器件

数据手册

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￥3.62
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￥2.87
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￥2.55
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￥2.15
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￥1.77
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￥1.66

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型号：SLM27211CB-DG 编号：C5374696

封装：SOP-8-EP

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

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￥3.75
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￥3.01
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￥2.63
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￥2.26
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￥2.09
1000+
￥1.97

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型号：IX4427NTR 编号：C171845

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动

数据手册

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￥4.19
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￥3.44
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￥3.07
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￥2.7
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￥2.35
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￥2.24

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型号：SCT52A40STER 编号：C41521227

封装：ESOP-8L

品牌：SCT(芯洲科技)

是宽电源、高频栅极驱动器，包括高端和低端驱动器，用于半桥、全桥和降压转换器中驱动分立 N 型 MOSFET。4A 峰值源电流和灌电流能力可提高功率转换器的功率效率。具有宽输入迟滞，与 TTL 低压逻辑兼容，能够处理低至-10V 的负输入，增加输入抗噪能力。在 HS 引脚上能够承受最大-18V 的电压，大大扩展了应用灵活性，以处理开关节点噪声。40ns 最小脉冲宽度使其适用于高频功率转换器应用。

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￥4.55
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￥3.68
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￥2.82
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￥2.43

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型号：IRS2104STRPBF 编号：C151525

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥5.04
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￥4.19
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￥3.76
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￥3.34
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￥2.46
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￥2.33

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型号：NSG2127 编号：C53436467

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.139 ￥5.71
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￥4.221 ￥4.69
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￥3.762 ￥4.18
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￥3.312 ￥3.68
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￥3.042 ￥3.38
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￥2.898 ￥3.22

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型号：NSG2000 编号：C53436459

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.206 ￥5.48
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￥4.2275 ￥4.45
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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.249 ￥3.42
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￥2.8025 ￥2.95

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

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￥5.29
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￥4.38
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￥3.93
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￥3.48
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￥3.21
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￥3.07

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型号：FAN7390MX-MNS 编号：C50646515

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流:4A

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￥5.68
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￥4.6
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￥4.06
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￥3.52
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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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1+
￥5.7
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￥4.68
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￥4.16
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￥3.65
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￥3.3
1000+
￥3.14

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型号：UCC27424DGNR 编号：C783609

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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1+
￥5.83
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￥4.77
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￥4.24
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￥3.72
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￥2.98
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￥2.82

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型号：NSG21851 编号：C53436471

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥6.318 ￥7.02
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￥5.193 ￥5.77
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￥3.564 ￥3.96

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型号：FAN7392MX-JSM 编号：C7498958

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥8.19
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￥4.048 ￥5.06
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￥3.584 ￥4.48

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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥6.706 ￥9.58
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￥5.411 ￥7.73
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￥5.173 ￥7.39

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型号：IR2153PBF 编号：C2983

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动集成电路，可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。

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1+
￥6.72
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￥5.16
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￥4.64
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￥4.33
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￥4.18

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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￥6.77
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￥5.6
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￥4.23
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￥3.91
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￥3.76

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型号：UCC27525DR 编号：C2676989

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

数据手册

1+
￥7.02
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￥6.31
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￥4.94
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￥4.84

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型号：DRV8300DRGER 编号：C3655801

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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单价：
￥2.155295 / 个

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型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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1+
￥8.14
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￥6.73
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￥5.95
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￥5.08
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￥4.69
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￥4.51

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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

1+
￥8.23
10+
￥7.07
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￥6.44
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￥5.72
500+
￥3.56
1000+
￥3.42

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型号：UCC27537DBVR 编号：C130224

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27537 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

数据手册

1+
￥8.84
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￥7.45
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￥6.68
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￥5.81
500+
￥5.18
1000+
￥5.01

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型号：L6491DTR 编号：C2970144

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

数据手册

1+
￥11.41
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￥10.41
30+
￥9.78
100+
￥9.14
500+
￥8.84
1000+
￥8.72

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型号：DRV8303DCAR 编号：C91880

封装：HTSSOP-48-EP-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥16.62
10+
￥14.17
30+
￥12.64
100+
￥11.07
500+
￥10.36
1000+
￥10.05

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型号：1ED3323MC12NXUMA1 编号：C17695244

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

1+
￥25.25
10+
￥21.5
30+
￥19.27
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￥17.01
500+
￥15.97

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型号：JSM2103SSTR 编号：C44606222

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥1.63
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￥1.42
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￥1.33
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