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首页 > 热门关键词 > mos驱动芯片
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单通道栅极驱动器 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A 采用 SOT-23-5 封装 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
  • 5+

    ¥1.54464 ¥1.9308
  • 50+

    ¥1.20192 ¥1.5024
  • 150+

    ¥1.05504 ¥1.3188
  • 500+

    ¥0.87184 ¥1.0898
  • 3000+

    ¥0.84464 ¥1.0558
  • 6000+

    ¥0.7956 ¥0.9945
  • 有货
  • 4A, 单相, 双低侧驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥4.22
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.55
    • 100+

      ¥3.33
    • 500+

      ¥3
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.42
    • 10+

      ¥3.96
    • 30+

      ¥3.71
    • 100+

      ¥3.43
    • 500+

      ¥3.3
    • 1000+

      ¥3.24
  • 有货
  • 250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器,可实现100%占空比
    • 1+

      ¥4.921 ¥5.18
    • 10+

      ¥3.933 ¥4.14
    • 30+

      ¥3.4485 ¥3.63
    • 100+

      ¥2.9545 ¥3.11
    • 500+

      ¥2.6695 ¥2.81
    • 1000+

      ¥2.5175 ¥2.65
  • 有货
  • NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.09
    • 10+

      ¥4.06
    • 30+

      ¥3.54
    • 100+

      ¥3.04
    • 500+

      ¥2.68
    • 1000+

      ¥2.53
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.176 ¥6.47
    • 10+

      ¥4.672 ¥5.84
    • 30+

      ¥4.4 ¥5.5
    • 100+

      ¥4.088 ¥5.11
    • 500+

      ¥3.944 ¥4.93
    • 1000+

      ¥3.88 ¥4.85
  • 有货
  • UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.33
    • 10+

      ¥4.29
    • 30+

      ¥3.78
    • 100+

      ¥3.23
    • 500+

      ¥2.93
    • 1000+

      ¥2.77
  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.47
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.08
    • 500+

      ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.62
  • 有货
  • GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流,以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns,电源轨为20V,使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V,HS引脚能够承受显著的负电压,增强了系统的抗噪能力
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.29
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥3.92
    • 500+

      ¥3.6
    • 1000+

      ¥3.45
  • 有货
  • 单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥6.656 ¥8.32
    • 10+

      ¥5.504 ¥6.88
    • 30+

      ¥4.872 ¥6.09
    • 100+

      ¥4.16 ¥5.2
    • 500+

      ¥3.84 ¥4.8
    • 1000+

      ¥3.696 ¥4.62
  • 有货
  • 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.6
    • 30+

      ¥4.96
    • 100+

      ¥4.23
    • 500+

      ¥3.91
    • 1000+

      ¥3.76
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.23
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.28
    • 100+

      ¥4.24
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.73
  • 有货
  • 80V/1.25A H全桥MOS管驱动器芯片
    数据手册
    • 1+

      ¥7.65
    • 10+

      ¥6.27
    • 30+

      ¥5.51
    • 100+

      ¥4.64
    • 500+

      ¥4.26
    • 1000+

      ¥4.09
  • 有货
  • NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路,提供两种输出,用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V,NCP5106 = 600V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.25
    • 10+

      ¥7.09
    • 30+

      ¥6.45
    • 100+

      ¥5.73
    • 500+

      ¥3.57
    • 1000+

      ¥3.43
  • 有货
  • 采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥19.03
    • 10+

      ¥16.15
    • 30+

      ¥14.34
    • 100+

      ¥12.49
    • 500+

      ¥11.66
  • 有货
  • DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器(0 级和 1 级)
    数据手册
    • 1+

      ¥21.73
    • 10+

      ¥18.42
    • 30+

      ¥16.57
    • 100+

      ¥14.57
    • 500+

      ¥13.65
  • 有货
  • LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥22.52
    • 10+

      ¥19.08
    • 30+

      ¥17.04
    • 100+

      ¥14.98
  • 有货
  • 1ED332xMC12N(1ED - F3)是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品,采用 DSO - 16 宽体封装,具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容,可直接连接到微控制器
    • 1+

      ¥23.93
    • 10+

      ¥20.31
    • 30+

      ¥18.16
    • 100+

      ¥15.98
    • 500+

      ¥14.98
  • 有货
  • DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V(最大值)三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥36.69
    • 10+

      ¥31.33
    • 30+

      ¥28.3
    • 100+

      ¥25.56
  • 有货
  • LKS523是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥预驱动器。它具有高端和低端输入,以及两个带有内部死区时间的输出通道,以避免交叉导通。
    • 单价:

      ¥0.523 / 个
  • 有货
  • 单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 5+

      ¥1.02222 ¥1.1358
    • 50+

      ¥0.79542 ¥0.8838
    • 150+

      ¥0.69822 ¥0.7758
    • 500+

      ¥0.57699 ¥0.6411
    • 2500+

      ¥0.55899 ¥0.6211
    • 4000+

      ¥0.52659 ¥0.5851
  • 有货
  • FAN3111 2A 栅极驱动器专为在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET 而设计。FAN3111 具有双 CMOS 输入,其阈值参考 VDD,可与和驱动器使用相同电源电压的 PWM 控制器及其他输入信号源配合使用。
    • 5+

      ¥1.2216
    • 50+

      ¥0.9564
    • 150+

      ¥0.8428
    • 500+

      ¥0.7011
    • 3000+

      ¥0.6379
    • 6000+

      ¥0.6
  • 有货
  • 双通道,超高速功率开关驱动器,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.7622 ¥1.958
    • 50+

      ¥1.38753 ¥1.5417
    • 150+

      ¥1.22697 ¥1.3633
    • 500+

      ¥0.98721 ¥1.0969
    • 2500+

      ¥0.89802 ¥0.9978
    • 4000+

      ¥0.84447 ¥0.9383
  • 有货
  • 应用于交换式电源,开关变换器,电机控制等,DQ类开关放大器
    • 5+

      ¥2.204 ¥2.32
    • 50+

      ¥1.729 ¥1.82
    • 150+

      ¥1.52 ¥1.6
    • 500+

      ¥1.292 ¥1.36
    • 2500+

      ¥1.178 ¥1.24
    • 4000+

      ¥1.1115 ¥1.17
  • 有货
  • 三相高低侧功率驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥2.25 ¥2.5
    • 10+

      ¥1.755 ¥1.95
    • 30+

      ¥1.539 ¥1.71
    • 100+

      ¥1.278 ¥1.42
    • 500+

      ¥1.152 ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.08 ¥1.2
  • 有货
  • EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.66
    • 10+

      ¥2.03
    • 30+

      ¥1.75
    • 100+

      ¥1.41
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动MOSFET设计。内置欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。内置防直通和死区时间,防止被驱动的高低侧MOSFET直通,有效保护功率器件。内置输入信号滤波,防止输入噪声干扰。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.92
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • EG3114是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3114高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽10V~20V,静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10+1-4/4A,采用SOP8封装。
    • 1+

      ¥3
    • 10+

      ¥2.32
    • 30+

      ¥2.03
    • 100+

      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.53
  • 有货
  • 1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥3.67
    • 10+

      ¥3.01
    • 30+

      ¥2.68
    • 100+

      ¥2.36
    • 500+

      ¥2.05
    • 1000+

      ¥1.95
  • 有货
  • 100%占空比,适合高频开关应用或者要求快速接通或关断时间的静态开关应用,高边开关控制器、静态开关驱动器、开关电源、光伏关断器等
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥3.3
    • 30+

      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.85
    • 500+

      ¥2.72
    • 1000+

      ¥2.65
  • 有货
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