mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2110STRPBF-JSM 编号：C5804621

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.9755 ￥7.03
10+
￥4.794 ￥5.64
30+
￥4.199 ￥4.94
100+
￥3.6125 ￥4.25
500+
￥3.1535 ￥3.71
1000+
￥2.975 ￥3.5

有货

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型号：IRS2304STRPBF-JSM 编号：C17701708

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥3.2725 ￥3.85
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￥2.635 ￥3.1
30+
￥2.3205 ￥2.73
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￥1.9975 ￥2.35
500+
￥1.8105 ￥2.13
1000+
￥1.717 ￥2.02

有货

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型号：SLM21867CA-DG 编号：C496627

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.86
30+
￥2.48
100+
￥2.1
500+
￥2
1000+
￥1.88

有货

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型号：IR2127STRPBF 编号：C371089

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥3.96
30+
￥3.49
100+
￥2.65
500+
￥2.37
1000+
￥2.23

有货

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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥5.176 ￥6.47
10+
￥4.192 ￥5.24
30+
￥3.704 ￥4.63
100+
￥3.112 ￥3.89
500+
￥2.824 ￥3.53
1000+
￥2.672 ￥3.34

有货

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型号：LM5101AMX/NOPB 编号：C575559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.24
10+
￥4.23
30+
￥3.72
100+
￥3.21
500+
￥2.91
1000+
￥2.76

有货

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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥4.6
30+
￥4.01
100+
￥3.43
500+
￥3.11
1000+
￥2.93

有货

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型号：UCC27525DR 编号：C2676989

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

数据手册

1+
￥6.29
10+
￥5.58
30+
￥4.91
100+
￥4.41
500+
￥4.2
1000+
￥4.1

有货

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.13
30+
￥4.49
100+
￥3.86
500+
￥3.48
1000+
￥3.29

有货

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

1+
￥6.46
10+
￥5.29
30+
￥4.65
100+
￥3.92
500+
￥3.6
1000+
￥3.45

有货

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型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

数据手册

1+
￥6.5
10+
￥5.25
30+
￥4.62
100+
￥3.87
500+
￥3.5
1000+
￥3.31

有货

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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥6.706 ￥9.58
10+
￥6.139 ￥8.77
30+
￥5.782 ￥8.26
100+
￥5.411 ￥7.73
500+
￥5.25 ￥7.5
1000+
￥5.173 ￥7.39

有货

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型号：UCC27714DR 编号：C473332

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.59
30+
￥4.93
100+
￥4.18
500+
￥3.84
1000+
￥3.69

有货

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型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥7.06
10+
￥5.83
30+
￥5.15
100+
￥4.39
500+
￥3.95
1000+
￥3.79

有货

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型号：UCC27537DBVR 编号：C130224

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27537 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

数据手册

1+
￥8.35
10+
￥6.95
30+
￥6.18
100+
￥5.31
500+
￥4.68
1000+
￥4.51

有货

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

1+
￥14.03
10+
￥12.03
30+
￥10.78
100+
￥8.68
500+
￥8.1
1000+
￥7.85

有货

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型号：LTC4412IS6#TRPBF 编号：C521306

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器

数据手册

1+
￥17.18
10+
￥14.62
30+
￥13.01
100+
￥10.39
500+
￥9.64

有货

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型号：DRV8353HRTAR 编号：C2150766

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥23.91
10+
￥21.12
30+
￥19.7
100+
￥17.8
500+
￥17.11
1000+
￥16.82

有货

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型号：DRV8350SRTVR 编号：C2861195

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥27.48
10+
￥23.36
30+
￥20.91
100+
￥18.43
500+
￥17.29

有货

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型号：KP85302SGA 编号：C17701717

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥0.67545 ￥0.711
50+
￥0.526015 ￥0.5537
150+
￥0.451345 ￥0.4751
500+
￥0.395295 ￥0.4161
2500+
￥0.39235 ￥0.413
4000+
￥0.370025 ￥0.3895

有货

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型号：GBI7250TJBR 编号：C5451739

封装：TSOT23-5

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。

5+
￥1.49
50+
￥1.33
150+
￥1.21
500+
￥1.15
2500+
￥1.12

有货

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型号：JSM2203STR 编号：C44606289

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

5+
￥1.8093
50+
￥1.4061
150+
￥1.2333
500+
￥1.0177
2500+
￥0.9937
4000+
￥0.936

有货

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型号：RT9624AZS 编号：C167520

封装：SOP-8

品牌：RICHTEK(立锜)

驱动两个N-MOSFET,DC-DC转换

数据手册

5+
￥1.9845
50+
￥1.5461
150+
￥1.3582
500+
￥1.0977
2500+
￥0.9934
5000+
￥0.9307

有货

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型号：UCC27524DR-JSM 编号：C18195049

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道(双反)、四输入 25V 4A/4A SOP-8

5+
￥2.0624
50+
￥1.6088
150+
￥1.4144
500+
￥1.1719
2500+
￥1.0639
4000+
￥0.999

有货

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型号：SD6287T 编号：C44606226

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。有TSSOP20和QFN24封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。