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UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器

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￥8.76
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￥6.61
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￥5.2

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型号：UCC27524DR-JSM 编号：C18195049

封装：SOP-8

双通道(双反)、四输入 25V 4A/4A SOP-8

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￥0.999

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型号：EG3112 编号：C111908

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

600V，IO+1A/-1.5A，大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC

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￥2.6
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￥1.96
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￥1.65

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型号：TPS51604DSGR 编号：C337501

封装：WSON-8-EP(2x2)

TPS51604 适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器

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型号：EG2181D 编号：C2832191

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2181D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2.5A，采用SOP8封装。

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￥3.16
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型号：U3215C 编号：C20626026

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

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￥3.2
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型号：IR2106STRPBF-JSM 编号：C7466360

封装：SOP-8

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.29 ￥3.5
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￥1.6544 ￥1.76

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型号：ZXGD3005E6TA 编号：C177098

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器，能够在最高25V的电源电压下，向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns，相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关，以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真

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￥3.59
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￥2.63
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￥1.69
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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.016 ￥2.24

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

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￥3.996 ￥4.44
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￥2.088 ￥2.32

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型号：TC4427AVOA713 编号：C624944

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥4.23
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￥1.98

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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￥4.369 ￥5.14
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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.136 ￥6.42
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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥2.648 ￥3.31

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型号：IR2106STRPBF 编号：C386354

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥5.52
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￥2.97

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型号：IRS2101STRPBF 编号：C67283

封装：SOIC-8

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥5.68
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￥2.57

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型号：UCC27424DGNR 编号：C783609

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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￥2.82

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型号：MIC4416YM4-TR 编号：C515508

封装：SOT-143

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4416和MIC4417超小型低端MOSFET驱动器专为在低端开关应用中通过与TTL兼容的控制信号来切换N沟道增强型MOSFET而设计。MIC4416为同相驱动器，MIC4417为反相驱动器。这些驱动器具有短延迟和高峰值电流的特点，可产生精确的边沿以及快速的上升和下降时间

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型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：UCC27322DR 编号：C2861813

封装：SOIC-8

具有分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105

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型号：IR2011STRPBF 编号：C148146

封装：SOIC-8

高功率MOS管半桥式驱动

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型号：1EDL8011XUMA1 编号：C34117288

封装：DSO-8

1EDL8011栅极驱动IC凭借其强大的栅极电流能力，可实现高端N沟道MOSFET的快速导通和关断。它包含一个集成式电荷泵和一个外部电容器，以提供强劲的启动能力。当工作输入电压较低时，内部电荷泵可为MOSFET提供栅极电压

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￥8.5
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型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

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型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

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￥12.97
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￥9.94
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￥8.48
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￥8.28

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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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￥17.73
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￥14.87
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￥13.07
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￥11.24
500+
￥10.41

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型号：1ED3321MC12NXUMA1 编号：C17453854

封装：SOIC-16