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首页 > 热门关键词 > mos驱动芯片
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TC4426/TC4427/TC4428是早期TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进版本。TC4426/TC4427/TC4428器件在对MOSFET的栅极进行充电和放电时,具有匹配的上升和下降时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很强的抗闩锁能力
数据手册
  • 1+

    ¥6.35
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    ¥5.06
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    ¥4.41
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    ¥3.77
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    ¥3.38
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  • EG44273单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小于1uA。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7534
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      ¥1.3615
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      ¥0.8624
  • 有货
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      ¥1.7953
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      ¥1.4072
    • 150+

      ¥1.2409
    • 500+

      ¥1.0334
    • 3000+

      ¥0.941
  • 有货
  • 低成本栅极驱动设备,可有效替代NPN和PNP分立解决方案。具有5A峰值源极和灌电流对称驱动能力。能够处理输入处的负电压(-4V)。快速传播延迟(典型值11ns)
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      ¥1.9634
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      ¥1.5098
    • 150+

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      ¥1.0729
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      ¥0.9649
  • 有货
  • 具有UVLO LSLTTL -40 to 125
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      ¥2.432 ¥2.56
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      ¥2.1755 ¥2.29
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      ¥2.052 ¥2.16
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      ¥1.919 ¥2.02
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      ¥1.7005 ¥1.79
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      ¥1.6625 ¥1.75
  • 有货
  • IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.5
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      ¥1.94
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      ¥1.7
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      ¥1.4
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      ¥1.27
    • 1000+

      ¥1.19
  • 有货
  • NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器,适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载,传播延迟为 25 ns,转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时,UVLO 功能可保证低输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.66
    • 10+

      ¥2.11
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      ¥1.87
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      ¥1.57
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      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.29
  • 有货
  • 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A,有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟(典型值为17ns),可改善系统的死区时间优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。 可在输入端处理-10V的电压,通过平缓的接地反弹提高系统稳健性
    数据手册
    • 1+

      ¥2.87
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      ¥2.24
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      ¥1.98
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      ¥1.49
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      ¥1.41
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  • UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.97
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      ¥2.36
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    • 1000+

      ¥1.45
  • 有货
  • HX33152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥2.988 ¥3.32
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      ¥2.394 ¥2.66
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      ¥2.106 ¥2.34
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      ¥1.809 ¥2.01
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      ¥1.638 ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.548 ¥1.72
  • 有货
  • BD69830FV是一款24V单线圈无刷直流风扇电机驱动器。该器件集成了高效DMOS H桥驱动器、用于霍尔元件的稳压输出,且转速由输入PWM信号控制。
    • 1+

      ¥3
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      ¥2.7
    • 30+

      ¥2.54
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    • 500+

      ¥2.3
    • 1000+

      ¥2.25
  • 有货
  • 是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力,可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力,提高了系统的鲁棒性,尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配,适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成,允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛,支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8,符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。
    • 5+

      ¥3.28
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      ¥2.52
    • 150+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.79
    • 2500+

      ¥1.61
  • 有货
  • EG1168是一款高性价比的多功能半桥及推挽电源专用驱动芯片,内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、两路对称半桥及推挽PWM输出、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,非常适合数字半桥电源、数字推挽电源等场合使用。 EG1168高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V,VCC静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道PWMIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/- 2A/2.5A,采用SOP16封装。
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.39
  • 有货
  • UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流,以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.72
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      ¥2.38
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      ¥2.04
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      ¥1.83
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      ¥1.73
  • 有货
  • 300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A
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      ¥3.5435 ¥3.73
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      ¥2.755 ¥2.9
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      ¥2.6315 ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.5745 ¥2.71
  • 有货
  • 700V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    • 1+

      ¥3.59
    • 10+

      ¥2.91
    • 30+

      ¥2.57
    • 100+

      ¥2.23
    • 500+

      ¥2.03
    • 1000+

      ¥1.92
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.27
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥3
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      ¥2.59
    • 500+

      ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.2
  • 有货
  • NSG4420是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4420逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
    • 1+

      ¥4.864 ¥5.12
    • 10+

      ¥3.8665 ¥4.07
    • 30+

      ¥3.3725 ¥3.55
    • 100+

      ¥2.8785 ¥3.03
    • 500+

      ¥2.584 ¥2.72
    • 1000+

      ¥2.432 ¥2.56
  • 有货
  • 9A,4.5V-25V,单反相,高速低功耗MOSFET低边驱动器,带UVLO及过温保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥5.42
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥4.25
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.82
  • 有货
  • 带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.9631 ¥15.29
    • 10+

      ¥5.6784 ¥14.56
    • 30+

      ¥5.5107 ¥14.13
    • 100+

      ¥5.343 ¥13.7
    • 500+

      ¥5.2611 ¥13.49
    • 1000+

      ¥5.226 ¥13.4
  • 有货
  • MIC4416和MIC4417超小型低端MOSFET驱动器专为在低端开关应用中通过与TTL兼容的控制信号来切换N沟道增强型MOSFET而设计。MIC4416为同相驱动器,MIC4417为反相驱动器。这些驱动器具有短延迟和高峰值电流的特点,可产生精确的边沿以及快速的上升和下降时间
    数据手册
    • 1+

      ¥6.17
    • 10+

      ¥4.95
    • 30+

      ¥4.34
    • 100+

      ¥3.74
    • 500+

      ¥3.38
  • 有货
  • MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器,专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.23
    • 10+

      ¥5.03
    • 30+

      ¥4.44
    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.49
    • 1000+

      ¥3.31
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥7.48 ¥8.5
    • 10+

      ¥6.2744 ¥7.13
    • 30+

      ¥5.6144 ¥6.38
    • 100+

      ¥4.3032 ¥4.89
    • 500+

      ¥3.9688 ¥4.51
    • 1000+

      ¥3.8192 ¥4.34
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~25V 峰值灌电流:350mA 峰值拉电流:210mA
    • 1+

      ¥7.488 ¥9.36
    • 10+

      ¥6.192 ¥7.74
    • 30+

      ¥5.48 ¥6.85
    • 100+

      ¥4.68 ¥5.85
    • 500+

      ¥4.32 ¥5.4
    • 1000+

      ¥4.16 ¥5.2
  • 有货
  • FAN7384是单片半桥栅极驱动IC,设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT,工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V(典型值)的偏置电压,在VBS = 15V时。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.91
    • 10+

      ¥7.12
    • 30+

      ¥6.63
    • 100+

      ¥6.13
    • 500+

      ¥5.9
    • 1000+

      ¥5.8
  • 有货
  • 内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时可立即关断六通道输出
    • 1+

      ¥7.956 ¥9.36
    • 10+

      ¥6.579 ¥7.74
    • 30+

      ¥5.8225 ¥6.85
    • 100+

      ¥4.9725 ¥5.85
    • 500+

      ¥4.59 ¥5.4
    • 1000+

      ¥4.42 ¥5.2
  • 有货
  • UCD7100 具有电流感应的数字控制兼容单输出低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.28
    • 10+

      ¥6.84
    • 30+

      ¥6.05
    • 100+

      ¥5.16
    • 500+

      ¥4.76
    • 1000+

      ¥4.58
  • 有货
  • IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥9.0904 ¥10.33
    • 10+

      ¥7.5504 ¥8.58
    • 30+

      ¥6.7056 ¥7.62
    • 100+

      ¥5.7464 ¥6.53
    • 500+

      ¥4.6816 ¥5.32
    • 1000+

      ¥4.488 ¥5.1
  • 有货
  • NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件,提供了一个成本高效的方案。 器件保护特性有有源米勒箝位(对于 NCD5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出(所有版本)和单独的高电平和低电平(VOH 和 VOL)驱动器输出(仅对于 NCD5701C),方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围(对于 NCD5701B 则为双极偏置电源)。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.68
    • 10+

      ¥8.14
    • 30+

      ¥7.17
    • 100+

      ¥6.18
    • 500+

      ¥5.73
    • 1000+

      ¥5.54
  • 有货
  • 500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.84
    • 10+

      ¥9.22
    • 25+

      ¥7.5
    • 100+

      ¥6.46
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