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封装：SOIC-8

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

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型号：FAN3111CSX 编号：C719780

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 栅极驱动器设计用于驱动低端开关应用中的 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选择：FAN3111C 包含双通道 CMOS 输入，其阙值以 V

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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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型号：LM5106MM/NOPB 编号：C544493

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：AGD8136A-JSM 编号：C7498993

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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型号：1EDI60N12AF 编号：C454268

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式MOSFET驱动器。输入到输出隔离电压高达1200 V。适用于高压功率MOSFET。轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。独立的源极和漏极输出。电流隔离核心

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型号：BM60016FV-CE2 编号：C308607

封装：SSOP-10-3.5mm

品牌：ROHM(罗姆)

是一款隔离电压为2500Vrms的栅极驱动器，I/O延迟时间为75ns，最小输入脉冲宽度为60ns。它集成了欠压锁定（UVLO）功能和米勒钳位功能。

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型号：TC4422AVOA(LX) 编号：C52097915

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

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型号：IXDD609SIATR 编号：C2677099

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：L6491DTR 编号：C2970144

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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型号：IXDN604SITR 编号：C2677329

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：MGD3160AM515EKR2 编号：C5191560

封装：SOT-1762-1

品牌：NXP(恩智浦)

是一款用于IGBT和SiC功率器件的单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间将IGBT/SiC的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定（UVLO）可提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压裕量。能够自主管理严重故障，并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测试、控制和保护功能，适用于高可靠性系统（ASIC C/D）的设计。符合汽车应用的严格要求，并完全符合AEC-Q100 1级标准。

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

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型号：U3115S 编号：C400130

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115S/U3116S可在高达+300V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，支持低至3.3V的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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型号：XJNG2103 编号：C2887735

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：UCC27517ADBVR(UMW) 编号：C20623192

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27517ADBVR 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。UMW UCC27517ADBVR 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

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型号：MX27524S 编号：C19723497

封装：SOP-8

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端中的每一个都能够提供和吸收 5A 峰值电流，最大额定电压为 20V。每个通道都有两个独立的使能引脚，如果未连接则默认开启。快速的传播延迟时间和快速的上升和下降时间使其非常适合高频应用。此外，该驱动器在 A 和 B 通道之间具有匹配的内部传播延迟，适用于需要严格时序的双栅极驱动器应用，如同步整流器。