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封装：SOIC-8

TC4423A/TC4424A/TC4425A器件是一系列双输出3A缓冲器/MOSFET驱动器。这些器件是早期TC4423/TC4424/TC4425双输出3A驱动器系列的改进版本。此改进版本具有更高的峰值输出电流驱动能力、更低的直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟时间

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￥5.6
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￥4.47
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￥3.91
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￥3.01
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型号：UCC27424DR 编号：C138519

封装：SOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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￥2.59
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￥2.02
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型号：SDH2106SATR 编号：C7466373

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.168 ￥3.52
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￥2.484 ￥2.76
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￥2.196 ￥2.44
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型号：EG2181D 编号：C2832191

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2181D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2.5A，采用SOP8封装。

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型号：IR2106STRPBF-JSM 编号：C7466360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：SLM7888MD 编号：C785010

封装：TSSOP-20

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

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￥2.73
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型号：TC4428AEOA713 编号：C5804611

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

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￥3.638 ￥4.28
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￥2.8985 ￥3.41
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￥1.989 ￥2.34

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型号：SCT52240STDR 编号：C509057

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52240是一款宽电源、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

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￥4.33
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￥3.09
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型号：FAN7390MX-MNS 编号：C50646515

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流:4A

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￥5.68
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型号：TC4426AEOA713 编号：C148047

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥6.06
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￥3.1

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型号：TF2190M-TAH 编号：C2917161

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.88
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型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

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￥8.512 ￥10.64
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型号：LM5111-1MX/NOPB 编号：C2653790

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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￥9.29
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型号：IR2011STRPBF 编号：C148146

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高功率MOS管半桥式驱动

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￥9.74
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型号：UCC27211ADRMR 编号：C1848363

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：TC1410EOA713 编号：C624881

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥10.38
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型号：IXDN604SIATR 编号：C2676944

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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￥8.89
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￥7.91
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￥6.81
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￥5.93
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￥5.71

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型号：ATA6836C-TIQW 编号：C93220

封装：SOP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATA6836C是一款采用智能功率SOI技术设计的全保护型六路半桥驱动器，用于在汽车和工业应用中通过微控制器控制多达六种不同负载。六个高端驱动器和六个低端驱动器中的每一个都能够驱动高达650mA的电流。这些驱动器在内部连接形成六个半桥，并且可以通过标准串行数据接口进行独立控制

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￥15.08
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￥12.76
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￥11.31
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￥9.82
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￥9.15

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型号：BDR2L00 编号：C5371998

封装：DFN-8

品牌：巴丁微

是一款驱动双NMOS的栅极驱动器，工作电压范围宽，内部集成自适应死区控制电路，具有欠压保护功能。

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￥0.8727
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￥0.6711
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￥0.5847
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￥0.4769
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￥0.44

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型号：ZXGD3009DYTA 编号：C441818

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流，以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

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￥1.3036
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￥0.9409
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￥0.8052
3000+
￥0.6882
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￥0.6519

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型号：MX5114T 编号：C5341119

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET，或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。凭借强大的灌电流能力，MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET 所需的特性

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￥1.3241
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￥1.1456
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￥0.9736
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￥0.9311
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￥0.9056

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型号：JSM2101STR 编号：C19077368

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥1.431 ￥1.59
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￥1.242 ￥1.38
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￥1.161 ￥1.29
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￥1.08 ￥1.2
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￥1.035 ￥1.15
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￥1.008 ￥1.12

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型号：GBI7254SMBR 编号：C5451740

封装：SOIC-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。