mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2113STRPBF-JSM 编号：C5804618

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.149 ￥5.42
10+
￥4.199 ￥4.42
30+
￥3.724 ￥3.92
100+
￥3.249 ￥3.42
500+
￥2.7075 ￥2.85
1000+
￥2.565 ￥2.7

有货

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型号：SLM2005ECA-DG 编号：C5298378

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

数据手册

5+
￥1.5402
50+
￥1.2126
150+
￥1.0722
500+
￥0.897
2500+
￥0.8905
4000+
￥0.8437

有货

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型号：EG44273 编号：C2987460

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG44273单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.8337
50+
￥1.4418
150+
￥1.2738
500+
￥1.0642
3000+
￥0.9427

有货

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型号：EG2104S 编号：C480652

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104S是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104S高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±1.0 A/1.5A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0215
50+
￥1.5316
150+
￥1.3216
500+
￥1.0597
2500+
￥1.033
4000+
￥0.963

有货

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型号：6288Q-MNS 编号：C49424413

封装：QFN-24(4x4)

品牌：minos(迈诺斯)

负载类型:MOSFET；IGBT 灌电流:1.3A 拉电流:1.0A 工作电压:5V~18V 描述：三相高低侧功率驱动芯片

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167
5000+
￥1.1022

有货

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型号：SL27517A 编号：C46061827

封装：SOT-23-5L

品牌：Slkor(萨科微)

是 4A 对称驱动单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动 MOSFET、IGBT 和新兴的 WBG 功率开关。低传播延迟和紧凑的 SOT-23 封装可实现数百 kHz 的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步 MOSFET 的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 20V，可通过 MOSFET 或 GaN 功率开关进行有效驱动。集成 UVLO 保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V 至 20V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下实现稳定运行。输入阈值与 TTL 输入兼容。

5+
￥2.1705
50+
￥1.6917
150+
￥1.4865
500+
￥1.2304
3000+
￥1.1164
6000+
￥1.048

有货

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型号：MX5014S 编号：C5359091

封装：SOP-8L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

高边驱动，50v高边驱动，高侧驱动，高边开关控制器

数据手册

5+
￥2.2909
50+
￥1.8121
150+
￥1.6069
500+
￥1.3509
3000+
￥1.2369
6000+
￥1.1684

有货

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型号：TC4427AEOA713-JSM 编号：C5804606

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.312 ￥2.89
10+
￥1.832 ￥2.29
30+
￥1.624 ￥2.03
100+
￥1.36 ￥1.7
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

有货

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型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2.06
30+
￥1.83
100+
￥1.55
500+
￥1.3
1000+
￥1.23

有货

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型号：U21276 编号：C41374695

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U21276 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。采用专有 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

1+
￥2.65
10+
￥2.1
30+
￥1.86
100+
￥1.56
500+
￥1.43
1000+
￥1.35

有货

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型号：TF2101M-TR 编号：C5804628

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.824 ￥3.53
10+
￥2.304 ￥2.88
30+
￥2.048 ￥2.56
100+
￥1.792 ￥2.24
500+
￥1.632 ￥2.04
1000+
￥1.552 ￥1.94

有货

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型号：IRS2304STRPBF-JSM 编号：C17701708

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥3.213 ￥3.78
10+
￥2.5755 ￥3.03
30+
￥2.261 ￥2.66
100+
￥1.938 ￥2.28
500+
￥1.751 ￥2.06
1000+
￥1.6575 ￥1.95

有货

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型号：JSM6287T 编号：C49450285

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V三相高低侧功率驱动芯片高侧同相低侧反相步进/伺服电机、电动工具等 FD6287T

1+
￥3.26
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

有货

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型号：UCC27282DR-JSM 编号：C19673777

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V，死区时间：250ns，半桥式驱动器电机驱动

1+
￥3.424 ￥4.28
10+
￥2.728 ￥3.41
30+
￥2.384 ￥2.98
100+
￥2.04 ￥2.55
500+
￥1.968 ￥2.46
1000+
￥1.856 ￥2.32

有货

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型号：IRS21867-MNS 编号：C52941369

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95
1000+
￥1.85

有货

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型号：TC4427AVOA713 编号：C624944

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥4.23
10+
￥3.43
30+
￥3.02
100+
￥2.62
500+
￥2.11
1000+
￥1.98

有货

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

数据手册

1+
￥6.92
10+
￥5.66
30+
￥5.04
100+
￥4
500+
￥3.63
1000+
￥3.44

有货

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型号：TF2190M-TAH 编号：C2917161

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥8.05
10+
￥6.68
30+
￥5.93
100+
￥4.88
500+
￥4.51
1000+
￥4.34

有货

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型号：LM5111-1MX/NOPB 编号：C2653790

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

数据手册

1+
￥9.57
10+
￥7.98
30+
￥7.1
100+
￥6.11
500+
￥5.66
1000+
￥5.47

有货

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型号：IR2110PBF 编号：C2967

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥12.56
10+
￥10.67
25+
￥8.67
100+
￥7.46
500+
￥6.91
1000+
￥6.67

有货

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型号：IFX007TAUMA1 编号：C6968485

封装：TO-263-7-1

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

1+
￥22.37
10+
￥19.03
30+
￥17.05
100+
￥15.04
500+
￥14.12

有货

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型号：LTC7001EMSE#TRPBF 编号：C690092

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

数据手册

1+
￥48.57
10+
￥42.05
30+
￥38.08
100+
￥34.75

有货

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型号：G2021 编号：C53436211

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥0.7218 ￥0.802
50+
￥0.58275 ￥0.6475
150+
￥0.51318 ￥0.5702
500+
￥0.46098 ￥0.5122
2500+
￥0.41931 ￥0.4659
4000+
￥0.39843 ￥0.4427

有货

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型号：UCC27517DBVR-TP 编号：C51939678

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥0.804688 ￥1.0588
50+
￥0.63612 ￥0.837
150+
￥0.56392 ￥0.742
500+
￥0.473784 ￥0.6234
3000+
￥0.433656 ￥0.5706
6000+
￥0.409564 ￥0.5389

有货

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

5+
￥1.6836
50+
￥1.3459
150+
￥1.2012

有货

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型号：GBI7256NMCR 编号：C5451742

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7256是一款双通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。负输入可低至 -5V，以增强输入抗噪声能力

1+
￥1.747
10+
￥1.4089
30+
￥1.264
100+
￥1.0832
500+
￥0.9016
1000+
￥0.8533

有货

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q