mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2101STRPBF-JSM 编号：C5804627

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥1.928 ￥2.41
10+
￥1.488 ￥1.86
30+
￥1.296 ￥1.62
100+
￥1.056 ￥1.32
500+
￥1.016 ￥1.27
1000+
￥0.952 ￥1.19

有货

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型号：EG2104 编号：C186697

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

高性价比, 600V，半桥式Nmos预驱动器

数据手册

1+
￥2.47
10+
￥1.88
30+
￥1.63
100+
￥1.32
500+
￥1.28
1000+
￥1.19

有货

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型号：IRS21864STR(UMW) 编号：C20623186

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21864STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥2.49
10+
￥2.21
30+
￥2.07
100+
￥1.93
500+
￥1.85
1000+
￥1.8

有货

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型号：PM8834TR 编号：C221495

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

4 A双低侧MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.24
30+
￥1.96
100+
￥1.61
500+
￥1.45
1000+
￥1.36

有货

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型号：UCC27714DR(UMW) 编号：C20623188

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.04
10+
￥2.39
30+
￥2.1
100+
￥1.75
500+
￥1.6
1000+
￥1.5

有货

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型号：IR4428STRPBF-JSM 编号：C5804613

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥3.2895 ￥3.87
10+
￥2.6265 ￥3.09
30+
￥2.295 ￥2.7
100+
￥1.972 ￥2.32
500+
￥1.7765 ￥2.09
1000+
￥1.6745 ￥1.97

有货

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

数据手册

1+
￥3.31
10+
￥2.57
30+
￥2.26
100+
￥1.86
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

有货

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型号：SLM2110CG 编号：C496629

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:130/120ns, DT:NA, MT:10nS

数据手册

1+
￥3.92
10+
￥3.13
30+
￥2.73
100+
￥2.34
500+
￥2.12
1500+
￥1.99

有货

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型号：DRV8908QPWPRQ1 编号：C3655456

封装：HTSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器

数据手册

1+
￥8.63
10+
￥7.87
30+
￥7.4
100+
￥6.92
500+
￥6.7
1000+
￥6.61

有货

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

1+
￥35.52
10+
￥30.77
30+
￥27.87
100+
￥25.44

有货

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型号：SLM27517AD-7G 编号：C5333453

封装：SOT-23-5

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM27517系列单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用从本质上最大限度减少直通电流的设计，SLM27517系列产品能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为18ns。在12V VDD电源下，SLM27517可提供4A的源极、5A的漏极峰值驱动电流能力

5+
￥1.366
50+
￥1.0431
150+
￥0.9047
500+
￥0.732
3000+
￥0.7107
6000+
￥0.6645

有货

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型号：GBI7256NMCR 编号：C5451742

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7256是一款双通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。负输入可低至 -5V，以增强输入抗噪声能力

1+
￥1.65965 ￥1.747
10+
￥1.338455 ￥1.4089
30+
￥1.2008 ￥1.264
100+
￥1.02904 ￥1.0832
500+
￥0.85652 ￥0.9016
1000+
￥0.810635 ￥0.8533

有货

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型号：TC4427AEOA713-JSM 编号：C5804606

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.312 ￥2.89
10+
￥1.832 ￥2.29
30+
￥1.624 ￥2.03
100+
￥1.36 ￥1.7
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

有货

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型号：COS4427SR 编号：C2685358

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双同相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.36
50+
￥1.82
150+
￥1.58
500+
￥1.29
2500+
￥1.16
4000+
￥1.08

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型号：SL27524 编号：C2690325

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

1+
￥2.869 ￥3.02
10+
￥2.2515 ￥2.37
30+
￥1.976 ￥2.08
100+
￥1.6435 ￥1.73
500+
￥1.444 ￥1.52
1000+
￥1.349 ￥1.42

有货

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型号：IR21271STR(UMW) 编号：C20623185

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IR21271STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥2.88
10+
￥2.25
30+
￥1.98
100+
￥1.65
500+
￥1.5
1000+
￥1.41

有货

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型号：UCC27282DR-JSM 编号：C19673777

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V，死区时间：250ns，半桥式驱动器电机驱动

1+
￥3.44 ￥4.3
10+
￥2.744 ￥3.43
30+
￥2.4 ￥3
100+
￥2.056 ￥2.57
500+
￥1.984 ￥2.48
1000+
￥1.872 ￥2.34

有货

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型号：TF0211C-USQ 编号：C2683767

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.86
1000+
￥1.76

有货

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型号：TF2106M-TR 编号：C7466361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.728 ￥4.66
10+
￥3 ￥3.75
30+
￥2.64 ￥3.3
100+
￥2.28 ￥2.85
500+
￥2.064 ￥2.58
1000+
￥1.952 ￥2.44

有货

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型号：LMG1020YFFR 编号：C6423790

封装：BGA-6

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.75V~5.25V 峰值灌电流：5A 峰值拉电流：7A 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器 6-DSBGA -40 to 125

1+
￥4.51
10+
￥3.63
30+
￥3.2
100+
￥2.66
500+
￥2.4
1000+
￥2.27

有货

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

1+
￥4.59 ￥5.4
10+
￥3.706 ￥4.36
30+
￥3.264 ￥3.84
100+
￥2.8305 ￥3.33
500+
￥2.363 ￥2.78
1000+
￥2.227 ￥2.62

有货

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型号：IRS2184STRPBF-JSM 编号：C7466368

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

1+
￥5.4055 ￥5.69
10+
￥5.2915 ￥5.57
30+
￥5.225 ￥5.5
100+
￥5.149 ￥5.42

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型号：TC4420VOA713 编号：C624916

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

数据手册

1+
￥5.75
10+
￥4.63
30+
￥4.07
100+
￥3.51
500+
￥3.18
1000+
￥3.01

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型号：IR21531STRPBF 编号：C2985

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本，它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比，IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同，从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V，抗噪性能得到了显著改善。最后，特别关注了最大化器件的抗闩锁能力，并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。