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UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装(DGN)可大幅降低热阻,提高长期可靠性
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  • 1+

    ¥3.05
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    ¥2.45
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    ¥2.2
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      ¥0.975612 ¥1.2837
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      ¥0.921424 ¥1.2124
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  • U2181C可在高达+600V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的直通导通
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    • 1000+

      ¥1.29
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  • 双通道4A的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点,使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动,同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.02
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      ¥1.75
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      ¥1.63
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      ¥1.65672 ¥1.8408
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      ¥1.26477 ¥1.4053
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      ¥1.16793 ¥1.2977
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      ¥1.10979 ¥1.2331
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  • 低边驱动 单通道, 低边驱动,大电流,SOT23-6
    • 1+

      ¥2.16
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      ¥1.89
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      ¥1.77
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      ¥1.62
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      ¥1.52
  • 有货
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      ¥2.385 ¥2.65
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      ¥1.917 ¥2.13
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      ¥1.719 ¥1.91
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      ¥1.467 ¥1.63
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      ¥1.35 ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.287 ¥1.43
  • 有货
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      ¥2.808 ¥3.12
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      ¥2.259 ¥2.51
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      ¥2.016 ¥2.24
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      ¥1.719 ¥1.91
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      ¥1.512 ¥1.68
  • 有货
  • EG3113是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3113高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/-Ω2/2.5A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.93
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      ¥2.29
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      ¥2.02
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      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.34
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      ¥1.25
  • 有货
  • EG3118是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
    • 1+

      ¥3.25
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      ¥1.92
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      ¥1.66
  • 有货
  • 三相 250V 栅极驱动器
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      ¥3.41
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      ¥2.76
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      ¥1.92
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  • 有货
  • 三相 250V 栅极驱动器
    • 1+

      ¥3.44
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      ¥2.14
    • 500+

      ¥1.95
    • 1000+

      ¥1.85
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
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      ¥3.504 ¥4.38
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      ¥1.832 ¥2.29
  • 有货
  • IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.84
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  • 有货
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      ¥4.48
    • 10+

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    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
  • 高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.96
    • 30+

      ¥4.66
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    • 500+

      ¥4.18
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  • FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器,FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6
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      ¥5.07
    • 30+

      ¥4.79
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      ¥4.46
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      ¥3.78
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      ¥3.71
  • 有货
  • TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.64
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      ¥3.96
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      ¥2.91
  • 有货
  • TC4426/TC4427/TC4428是早期TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进版本。TC4426/TC4427/TC4428器件在对MOSFET的栅极进行充电和放电时,具有匹配的上升和下降时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很强的抗闩锁能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.17
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      ¥4.91
    • 30+

      ¥4.28
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      ¥3.66
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      ¥3.29
    • 1000+

      ¥3.09
  • 有货
  • 负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C
    数据手册
    • 1+

      ¥6.26
    • 10+

      ¥5.69
    • 30+

      ¥5.37
    • 100+

      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.13
  • 有货
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      ¥6.58
    • 10+

      ¥5.34
    • 30+

      ¥4.72
    • 100+

      ¥4.11
    • 500+

      ¥3.74
    • 1000+

      ¥3.55
  • 有货
  • TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.66
    • 10+

      ¥5.34
    • 30+

      ¥4.69
    • 100+

      ¥4.03
    • 500+

      ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.44
  • 有货
  • 高压600V, 三相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥7.03
    • 10+

      ¥6.43
    • 30+

      ¥6.1
    • 100+

      ¥5.05
    • 500+

      ¥4.89
  • 有货
  • 内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时可立即关断六通道输出
    • 1+

      ¥7.8285 ¥9.21
    • 10+

      ¥6.4515 ¥7.59
    • 30+

      ¥5.695 ¥6.7
    • 100+

      ¥4.8365 ¥5.69
    • 500+

      ¥4.4625 ¥5.25
    • 1000+

      ¥4.284 ¥5.04
  • 有货
  • 内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时可立即关断六通道输出
    • 1+

      ¥8.424 ¥9.36
    • 10+

      ¥6.966 ¥7.74
    • 30+

      ¥6.165 ¥6.85
    • 100+

      ¥5.265 ¥5.85
    • 500+

      ¥4.86 ¥5.4
    • 1000+

      ¥4.68 ¥5.2
  • 有货
  • 高低侧同相 带使能和故障报告, 三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱 电机驱动,逆变器驱动
    • 1+

      ¥9.18 ¥10.8
    • 10+

      ¥7.7435 ¥9.11
    • 30+

      ¥6.851 ¥8.06
    • 100+

      ¥5.933 ¥6.98
    • 500+

      ¥5.5165 ¥6.49
    • 1000+

      ¥5.338 ¥6.28
  • 有货
  • IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流,同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.76
    • 10+

      ¥8.13
    • 30+

      ¥7.24
    • 100+

      ¥6.23
    • 500+

      ¥5.43
    • 1000+

      ¥5.22
  • 有货
  • 特性:单通道隔离式IGBT驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200V。 适用于高压功率IGBT。 典型值高达10A
    数据手册
    • 1+

      ¥10.15
    • 10+

      ¥8.44
    • 30+

      ¥7.5
    • 100+

      ¥6.15
    • 500+

      ¥5.68
  • 有货
  • DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.63
    • 10+

      ¥10.35
    • 30+

      ¥9.45
    • 100+

      ¥8.63
    • 500+

      ¥8.25
  • 有货
  • NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器, 提供两个输出,用于驱动 2 个组织为半桥(或任何其他高压侧 + 低压侧)配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。 该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构(包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.54
    • 10+

      ¥11.6
    • 30+

      ¥10.38
    • 100+

      ¥7.78
    • 500+

      ¥7.21
    • 1000+

      ¥6.97
  • 有货
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