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封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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1+
￥5.24
10+
￥4.24
30+
￥3.74
100+
￥3.25
500+
￥2.61
1000+
￥2.46

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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

1+
￥22.2836
50+
￥19.662
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￥18.2693

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型号：DRV8662RGPT 编号：C181554

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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1+
￥25.72
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￥22.16
30+
￥20.04
250+
￥15.8

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型号：L9960T-TR 编号：C2680300

封装：SSOP-36-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双H桥

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￥33.08
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￥31.47
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￥30.48
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￥29.66

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型号：IXDD614YI 编号：C1556549

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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1+
￥33.78
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￥28.95
30+
￥26.08
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￥23.18

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型号：XJNG2102 编号：C2940736

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥0.679
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￥0.5518
150+
￥0.4882
500+
￥0.4405
2500+
￥0.3865
4000+
￥0.3674

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型号：JSM5108G 编号：C19077360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

5+
￥0.772395 ￥0.9087
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￥0.601035 ￥0.7071
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￥0.527595 ￥0.6207
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￥0.435965 ￥0.5129
2500+
￥0.422365 ￥0.4969
4000+
￥0.3978 ￥0.468

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型号：BDR6300 编号：C5349299

封装：SOP-16

品牌：巴丁微

是一款三相直流无刷驱动芯片。可直接驱动三路 NMOS + PMOS 半桥，电路内部集成了稳定的 5V 输出电源。

数据手册

5+
￥0.793
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￥0.6213
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￥0.5354
500+
￥0.471
2500+
￥0.4266
4000+
￥0.4008

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型号：U3116S 编号：C400131

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

数据手册

5+
￥0.9625
50+
￥0.7609
150+
￥0.6745
500+
￥0.5403
2500+
￥0.4923

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型号：UCC27524ADR(UMW) 编号：C20623194

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件，能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。此外，在其额定功率和电压范围内的所有条件下，它都具有高度的抗闩锁能力

5+
￥1.3269
50+
￥1.0595
150+
￥0.9449
500+
￥0.8019
2500+
￥0.7383
5000+
￥0.7

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型号：EG2104M 编号：C480653

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.4999
50+
￥1.2958
150+
￥1.2083
500+
￥1.0991
2500+
￥1.0372

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型号：JSM2124AT 编号：C50202099

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片驱动配置：高低侧负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：8V

5+
￥1.6041
50+
￥1.2513
150+
￥1.1001
500+
￥0.9115
2500+
￥0.8695

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型号：GBI7254MMAR 编号：C5451741

封装：EMSOP-8

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。

5+
￥1.71
50+
￥1.53
150+
￥1.39
500+
￥1.32
2500+
￥1.29

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型号：IRS2101STRPBF-JSM 编号：C5804626

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥1.805 ￥1.9
10+
￥1.5675 ￥1.65
30+
￥1.463 ￥1.54
100+
￥1.3395 ￥1.41
500+
￥1.311 ￥1.38
1000+
￥1.2825 ￥1.35

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型号：NSG2101 编号：C7421061

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

5+
￥1.91083 ￥2.0114
50+
￥1.481145 ￥1.5591
150+
￥1.297035 ￥1.3653
500+
￥1.067325 ￥1.1235
2500+
￥0.96501 ￥1.0158
4000+
￥0.90364 ￥0.9512

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型号：PT5606-S 编号：C17701716

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

1+
￥1.9975 ￥2.35
10+
￥1.5725 ￥1.85
30+
￥1.3855 ￥1.63
100+
￥1.156 ￥1.36
500+
￥1.054 ￥1.24
800+
￥0.9945 ￥1.17

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型号：IRS2103STR(UMW) 编号：C29780641

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

5+
￥2.1288
50+
￥1.6686
150+
￥1.4714
500+
￥1.2254
2500+
￥1.1158
5000+
￥1.05

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型号：EG27322 编号：C48580029

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27322 是一款高性价比高速单路驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、太阳能逆变电源、开关电源、变压器中的驱动电路。

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167

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型号：G2060 编号：C7421051

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A

1+
￥2.3655 ￥2.49
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￥1.8525 ￥1.95
30+
￥1.6435 ￥1.73
100+
￥1.368 ￥1.44
500+
￥1.2445 ￥1.31
1000+
￥1.178 ￥1.24

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型号：IRS44273LTRPBF 编号：C126909

封装：SOT-23-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS44273L是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。采用专有的抗闭锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.03
30+
￥1.78
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￥1.47
500+
￥1.33
1000+
￥1.24

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型号：UCC27511DBVR 编号：C191027

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

数据手册

1+
￥2.97
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￥2.36
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￥2.1
100+
￥1.78
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

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型号：TPM27524-DF6R 编号：C38487412

封装：DFN-8(3x3)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源电流和灌电流能力，可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最大25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低传播延迟和两个通道之间的出色匹配，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。封装范围广泛，支持SOP8、EMSOP8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源模块中超紧凑型同步整流器的设计。