MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC44273DBVR-TP 编号：C51939680

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.6093 ￥2.1175
50+
￥1.272164 ￥1.6739
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￥1.127764 ￥1.4839
500+
￥0.947492 ￥1.2467
3000+
￥0.867236 ￥1.1411
6000+
￥0.819052 ￥1.0777

有货

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型号：IX4310TTR-TP 编号：C51939583

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.810396 ￥2.3821
50+
￥1.431232 ￥1.8832
150+
￥1.268668 ￥1.6693
500+
￥1.0659 ￥1.4025
3000+
￥0.975612 ￥1.2837
6000+
￥0.921424 ￥1.2124

有货

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型号：JSM27519 编号：C19077364

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM27519 器件是一款用于低电压功率 MOSFET 和 IGBT 的同相栅极驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。JSM27519 的逻辑输入电平与低至 3 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

5+
￥1.824 ￥2.28
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￥1.416 ￥1.77
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￥1.248 ￥1.56
500+
￥1.056 ￥1.32
3000+
￥0.96 ￥1.2
6000+
￥0.896 ￥1.12

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型号：HL6288Q 编号：C50331902

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HL(富海微)

耐压最高250V，输出驱动电流1.5A/1.8A，内置 200ns 死区时间，带上下电保护、欠压保护，QFN-24

5+
￥1.949
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￥1.5458
150+
￥1.373
500+
￥1.1574
2500+
￥1.0374
6000+
￥0.9797

有货

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型号：TF0216S-USQ 编号：C22358663

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

低边高速栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥2.09
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￥1.84
30+
￥1.73
100+
￥1.59
500+
￥1.53
1000+
￥1.5

有货

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型号：TC4424AVOA713-JSM 编号：C7498963

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

1+
￥2.184 ￥2.73
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￥1.704 ￥2.13
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￥1.496 ￥1.87
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￥1.232 ￥1.54
500+
￥1.12 ￥1.4
1000+
￥1.048 ￥1.31

有货

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

数据手册

1+
￥2.247 ￥3.21
10+
￥2.205 ￥3.15
30+
￥2.177 ￥3.11
100+
￥2.149 ￥3.07

有货

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型号：UCC27710DR(UMW) 编号：C29780640

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥2.2832
50+
￥1.7928
150+
￥1.5826
500+
￥1.3204
2500+
￥1.2037
5000+
￥1.1336

有货

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型号：SCT51240TWBR 编号：C509058

封装：TSOT-23-5L

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT51240是一款宽电源、单通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET、IGBT以及GaN等宽带隙器件。24V电源轨可增强驱动器在功率器件转换期间的输出振铃耐受性。该器件能在低于5V的电源下进行开关操作，因此非常适合低电压阈值功率器件

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：EG3113 编号：C480666

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3113是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3113高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Ω2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.29
30+
￥2.02
100+
￥1.67
500+
￥1.34
1000+
￥1.25

有货

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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

数据手册

1+
￥3.13
10+
￥2.4
30+
￥2.04
100+
￥1.68
500+
￥1.47
1000+
￥1.35

有货

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥3.23
10+
￥2.51
30+
￥2.2
100+
￥1.81
500+
￥1.64
1000+
￥1.53

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型号：EG2129 编号：C20416234

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2129是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2129高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SSOP24封装。

1+
￥3.37
10+
￥2.97
30+
￥2.76
100+
￥2.56
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

有货

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型号：NSG2153D 编号：C46473165

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥3.42 ￥3.6
10+
￥2.698 ￥2.84
30+
￥2.394 ￥2.52
100+
￥2.014 ￥2.12
500+
￥1.843 ￥1.94
1000+
￥1.7385 ￥1.83

有货

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型号：LM2104DR 编号：C22427346

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.95
30+
￥2.58
100+
￥2.21
500+
￥1.99
1000+
￥1.88

有货

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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

1+
￥4.07
10+
￥3.58
30+
￥3.34
100+
￥3.1
500+
￥2.96
1500+
￥2.88

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型号：IRS2186STRPBF 编号：C481265

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥4.1
10+
￥3.28
30+
￥2.87
100+
￥2.46
500+
￥2.22
1000+
￥2.09

有货

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.73
30+
￥3.52
100+
￥3.32
500+
￥2.47
1000+
￥2.41

有货

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型号：SCT52242STDR 编号：C719316

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52242是一款宽电源、双通道、高速、用于功率MOSFET和IGBT的低端栅极驱动器。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.92
30+
￥3.68
100+
￥3.43
500+
￥3.28
1000+
￥3.2

有货

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型号：UCC27324DGNR 编号：C128607

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27324 双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥4.56
10+
￥3.34
30+
￥2.92
100+
￥2.49
500+
￥2.24
1000+
￥2.11

有货

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型号：EG2125 编号：C2987445

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2125是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2125高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.8/1.3A，采用SSOP24封装。

数据手册

1+
￥5.26
10+
￥4.21
30+
￥3.69
100+
￥3.17
500+
￥2.78
1000+
￥2.61

有货

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型号：TF2184M-TAH 编号：C2917160

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C

数据手册

1+
￥6.26
10+
￥5.69
30+
￥5.37
100+
￥5.02
500+
￥4.13

有货

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型号：MAX4420ESA+T 编号：C3655522

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET，提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间（驱动2500pF至18V时）可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口，因为其逻辑输入电流低于10μA

1+
￥7.5888 ￥8.16
10+
￥6.882 ￥7.4
30+
￥6.4449 ￥6.93
100+
￥5.9985 ￥6.45
500+
￥5.7939 ￥6.23
1000+
￥5.7102 ￥6.14

有货

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥8.1795 ￥8.61
10+
￥6.745 ￥7.1
30+
￥5.9565 ￥6.27
100+
￥5.0635 ￥5.33
500+
￥4.788 ￥5.04
1000+
￥4.6075 ￥4.85

有货

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥8.5
10+
￥6.91
30+
￥6.04
100+
￥5.05
500+
￥4.61
1000+
￥4.42

有货

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥9.3245 ￥10.97
10+
￥7.8965 ￥9.29
30+
￥6.9955 ￥8.23
100+
￥6.0775 ￥7.15
500+
￥5.661 ￥6.66
1000+
￥5.4825 ￥6.45

有货

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

数据手册

1+
￥9.34
10+
￥7.85
30+
￥7.03
100+
￥5.82
500+
￥5.41

有货

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册