低压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

1A/15V低压差正电源稳压器

5+
￥0.2732
50+
￥0.2671
150+
￥0.263
500+
￥0.2589

有货

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型号：AiP7330GD893.TR 编号：C52268444

封装：SOT-89-3

300mA/24V低压差线性稳压器

5+
￥0.4017
50+
￥0.3927
150+
￥0.3867
500+
￥0.3807

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型号：AiP1117-5JG252.TR 编号：C52268440

封装：TO-252

1A/15V低压差正电源稳压器

5+
￥0.4017
50+
￥0.3927
150+
￥0.3867

有货

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型号：AiP1117-ADJJG252.TR 编号：C52268441

封装：TO-252

1A/15V低压差正电源稳压器

5+
￥0.4017
50+
￥0.3927
150+
￥0.3867

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型号：VDR-14D220K 编号：C6793760

封装：DIP

品牌：VDR(嵩隆)

5+
￥0.7057
50+
￥0.5617
150+
￥0.4897
500+
￥0.4357
2500+
￥0.3925
5000+
￥0.3709

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型号：LM37102CGD 编号：C29213641

封装：SOP-8

品牌：HTC

5+
￥1.2355
50+
￥1.2087
150+
￥1.1909
500+
￥1.173

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型号：DIO1269LP10 编号：C444359

封装：QFN-10(1.8x1.4)

品牌：DIOO(帝奥微)

DIO1269是一款高性能双单刀双掷（SPDT）模拟开关，具备负摆幅音频能力。DIO1269在3.0V VCC电压下的典型导通电阻（Rₒₙ）超低，约为1Ω。DIO1269的VCC工作电压范围宽，为2.7V至4.5V，采用亚微米CMOS工艺制造，可实现快速开关速度，并且设计为先断后通操作

数据手册

5+
￥1.8069
50+
￥1.4188
150+
￥1.2525
500+
￥1.0449

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型号：KT46-124DM-SS 编号：C52146234

封装：-

单价：
￥2 / 个

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型号：KT90-112LM-S 30A 编号：C52146255

封装：-

单价：
￥3.68 / 个

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型号：KT49-12V-F-Y 编号：C52146237

封装：-

单价：
￥3.92 / 个

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型号：TCA9538PWR 编号：C2652286

封装：TSSOP-16

TCA9538是一款16引脚器件，可为两线双向I²C总线（或SMBus）协议提供8位通用并行输入输出（I/O)扩展。该器件的工作电源电压范围是1.65V到5.5V。

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100+
￥5.568
200+
￥5.472
300+
￥5.28

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型号：TLV342AIDR 编号：C2058282

封装：SOIC-8

TLV342A 双路、5.5V、2.2MHz、1.25mV 失调电压运算放大器

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100+
￥3.2248
200+
￥3.1692
300+
￥3.058

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型号：IR2304PBF 编号：C520669

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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1+
￥7.97
10+
￥7.8
30+
￥7.69

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型号：MAX4053ACSE+ 编号：C1545882

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

低电压、CMOS模拟多路复用器/开关、引脚兼容的工业标准CMOS开关

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1+
￥11.22
10+
￥10.97
50+
￥10.8

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型号：IS62WV1288BLL-55HLI 编号：C29388

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1-Mbit(128K × 8bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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1+
￥19.25
10+
￥16.41
30+
￥14.63

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型号：UCC27212DPRR 编号：C2677326

封装：WSON-10-EP(4x4)

具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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30+
￥15.95
60+
￥15.805
90+
￥15.66

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型号：ISL2111ARTZ-T 编号：C2677034

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥49.56
10+
￥42.93
30+
￥38.89

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型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥55.73
10+
￥48.28
25+
￥43.73

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型号：ISL12020MIRZ-T7A 编号：C2651508

封装：DFN-20(4x5.5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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1+
￥58.03
10+
￥56.05

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型号：SM7291-BCE-S-010-000 编号：C383805

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Silicon Microstructures(SMI)

美国SMI品牌,低压差气压传感器,工作温度-20℃~+85℃,I2C通信,量程1Kpa,1%-FS (Digital),1.5%-FS (Analog),

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1+
￥148.98
10+
￥142.52
45+
￥131.33

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型号：26PCCFA2G 编号：C22408949

封装：-

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

小型低压传感器是小型、经济高效的设备，适用于干湿介质。这些传感器采用经过验证的传感技术，使用专门的压阻式微机械传感元件，以提供高性能、可靠性和准确性。每个传感器包含四个有源压阻，形成一个惠斯通电桥。当施加压力时，电阻发生变化，传感器提供与输入压力成比例的毫伏输出信号。低功率传感器设计用于适应1 psi至250 psi的压力，工作温度范围为 -40℃至85℃ [-40°F至185°F]。这些传感器可以适应各种与聚邻苯二甲酰胺 (PPA) 塑料和命名法及订购指南中指定的介质密封兼容的干湿介质。传感器符合RoHS标准，按照ISO 9001标准设计和制造。

1+
￥149.64
10+
￥144.45

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型号：ASDXACX015PAAA5 编号：C5307332

封装：DIP-8

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

提供了一种比例式模拟输出，用于在指定的满量程压力范围和温度范围内读取压力。使用片上专用集成电路 (ASIC) 对传感器偏移、灵敏度、温度影响和非线性进行了完全校准和温度补偿。压力校准输出值约 1kHz 更新一次。标准产品在 0°C 至 85°C [32°F 至 185°F] 的温度范围内进行校准。传感器采用 3.3Vdc 或 5.0Vdc 单电源供电。

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1+
￥149.86
5+
￥142.78
30+
￥135.7

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型号：AZV3002RL-7 编号：C212320

封装：UFLGA-8

品牌：DIODES(美台)

AZV3001和AZV3002分别为单通道和双通道比较器，是为新一代低功耗比较器系列开发的，适用于需要低电压运行的电池供电设备和系统。每个比较器的典型电源电流消耗为6μA，以延长电池使用寿命。它可保证在1.6V的低电压下工作，并且在高达5.5V的电压下能完全正常运行。这些特性使得AZV3001和AZV3002便于在1.8V、3.0V和5.0V系统中使用，并且其低功耗特性使其非常适合电池供电设备。 AZV3001和AZV3002具有互补推挽输出级，每个比较器由P沟道和N沟道MOSFET组成，能够驱动轨到轨输出摆幅。整个系列采用小型化封装，以减少PCB板所需的空间。AZV3001采用X2 - DFN1410 - 6封装；AZV3002采用U - FLGA1616 - 8和SO - 8封装。 AZV3001/2分别为单通道和双通道低电压、低功耗比较器。这些器件专为轨到轨输入和输出应用而设计。AZV3001器件仅消耗6μA的电源电流，同时在20mV输入过驱动条件下实现典型传播延迟为0.8μs。该系列比较器可保证在1.6V至5.5V的低电源电压范围内工作。 AZV3001 /2系列的典型内部迟滞为9.0mV。这使得其具有更强的抗噪能力和清晰的输出切换。 AZV3001和AZV3002具有推挽输出，其具有互补的P沟道和N沟道输出级。当输出切换时，VCC和VEE之间存在直接通路，导致在转换期间输出灌电流或拉电流增加。转换完成后，输出电流减小，电源电流恢复到6μA，从而保持低功耗。许多比较器在切换期间消耗的电流比稳态运行期间更多。然而，对于该系列比较器，输出转换期间的电源电流变化极小。电源电流与输出转换频率的关系图显示，当输出切换频率接近1KHz时，电源电流的增加极小。在电池供电应用中，这一特性可显著延长电池使用寿命。 AZV3001/2具有内部9mV（典型值）迟滞，以对抗寄生效应和噪声。比较器中的迟滞产生两个跳变点：一个用于上升输入电压（VHYS T+），另一个用于下降输入电压（VHYS T -）。跳变点之间的差值即为迟滞（VHYS T）。当比较器的输入电压相等时，迟滞会有效地使一个比较器输入迅速超过另一个，从而使输入脱离产生振荡的区域。

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6000+
￥1.120656
12000+
￥1.11056
18000+
￥1.090368

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型号：SRM10L300SFCT 编号：C20606592

封装：TO-220F

品牌：YFW(佑风微)

特性：低正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功耗，高效率。过压保护。应用：高频、微型开关电源，如适配器、照明和板载 DC/DC 转换器

1+
￥2.72
10+
￥2.15
50+
￥1.83
100+
￥1.53
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

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型号：SP80P12NK 编号：C49257228

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：80V，电流：-65A，RDSON：12mR

1+
￥4.27
10+
￥3.43
30+
￥3
100+
￥2.59
500+
￥2.34
1000+
￥2.21

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型号：KT140-SH-124LM1 编号：C52146221

封装：-

单价：
￥4.41 / 个

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型号：UCC27284DRCT 编号：C5218838

封装：VSON-10(3x3)