低压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：TPL730F18-CR 编号：C39370514

封装：SOT-353-5

品牌：3PEAK(思瑞浦)

5+
￥1.7016
50+
￥1.3085
150+
￥1.14

有货

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型号：HP3000-AD000-HD08R 编号：C22394787

封装：DFN-8L(2x2)

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

5+
￥1.7031
50+
￥1.3251
150+
￥1.1631

有货

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型号：PCF85163M/TR 编号：C20618053

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

针对低功耗进行优化的CMOS实时时钟（RTC）和日历芯片

1+
￥1.81
10+
￥1.57
30+
￥1.47
100+
￥1.34
500+
￥1.28
1000+
￥1.24

有货

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型号：0679L5000-01 编号：C3202700

封装：FUSE-SMD(6.1x2.54)

品牌：belfuse

单价：
￥1.97 / 个

有货

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型号：D5015F 编号：C49305548

封装：SOP-20

品牌：Silicore(芯谷)

D5015 是一块用于无绳电话的噪声降低电路。包含压缩器和扩展器的压缩扩展器电路。

5+
￥2.0745
50+
￥1.641
140+
￥1.4553

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型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带过流保护功能半桥驱动芯片

数据手册

5+
￥2.1502
50+
￥1.6948
150+
￥1.4997
500+
￥1.1583

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型号：AZV3002S-13 编号：C5123396

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

AZV3001和AZV3002分别为单通道和双通道比较器，是为新一代低功耗比较器系列开发的，适用于需要低电压运行的电池供电设备和系统。每个比较器的典型电源电流消耗为6μA，以延长电池使用寿命。它可保证在1.6V的低电压下工作，并且在高达5.5V的电压下能完全正常运行。这些特性使得AZV3001和AZV3002便于在1.8V、3.0V和5.0V系统中使用，并且其低功耗特性使其非常适合电池供电设备。 AZV3001和AZV3002具有互补推挽输出级，每个比较器由P沟道和N沟道MOSFET组成，能够驱动轨到轨输出摆幅。整个系列采用小型化封装，以减少PCB板所需的空间。AZV3001采用X2 - DFN1410 - 6封装；AZV3002采用U - FLGA1616 - 8和SO - 8封装。 AZV3001/2分别为单通道和双通道低电压、低功耗比较器。这些器件专为轨到轨输入和输出应用而设计。AZV3001器件仅消耗6μA的电源电流，同时在20mV输入过驱动条件下实现典型传播延迟为0.8μs。该系列比较器可保证在1.6V至5.5V的低电源电压范围内工作。 AZV3001 /2系列的典型内部迟滞为9.0mV。这使得其具有更强的抗噪能力和清晰的输出切换。 AZV3001和AZV3002具有推挽输出，其具有互补的P沟道和N沟道输出级。当输出切换时，VCC和VEE之间存在直接通路，导致在转换期间输出灌电流或拉电流增加。转换完成后，输出电流减小，电源电流恢复到6μA，从而保持低功耗。许多比较器在切换期间消耗的电流比稳态运行期间更多。然而，对于该系列比较器，输出转换期间的电源电流变化极小。电源电流与输出转换频率的关系图显示，当输出切换频率接近1KHz时，电源电流的增加极小。在电池供电应用中，这一特性可显著延长电池使用寿命。 AZV3001/2具有内部9mV（典型值）迟滞，以对抗寄生效应和噪声。比较器中的迟滞产生两个跳变点：一个用于上升输入电压（VHYS T+），另一个用于下降输入电压（VHYS T -）。跳变点之间的差值即为迟滞（VHYS T）。当比较器的输入电压相等时，迟滞会有效地使一个比较器输入迅速超过另一个，从而使输入脱离产生振荡的区域。

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5+
￥2.3613
50+
￥1.8867
150+
￥1.6832

有货

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型号：LMV932DR2G 编号：C480694

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LMV931单运放和LMV932双运放是CMOS低压运算放大器，可采用单边电源（1.8 V至5.0 V）供电，具备轨到轨输入和输出摆幅。

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1+
￥2.59
10+
￥2.54
30+
￥2.5

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型号：NCX2200GMAZ 编号：C3041230

封装：XSON-6(1x1.5)

品牌：NXP(恩智浦)

提供单个低电压、低功耗比较器。具有极低的 6μA 电源电流，保证在 1.3V 低电压下工作，最高可在 5.5V 下完全运行，适用于 3.0V 和 5.0V 系统。

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1+
￥2.6
10+
￥2.02
30+
￥1.77
100+
￥1.46

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型号：74LCX257MTCX 编号：C903361

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

LCX257 是一款四路 2 输入多工器，带 3 态输出。可以使用公共数据选择输入选择来自两个源的四位数据。四个输出以真实（未反相）形式呈现所选择的数据。通过在公共输出启用 (OE#) 输入上设置逻辑高电平，可以将输出切换到高阻抗状态，让输出能够直接接口总线导向系统。74LCX257 采用先进的 CMOS 工艺，在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了高速运行。

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1+
￥2.655 ￥5.31
10+
￥1.728 ￥4.32
30+
￥1.149 ￥3.83
100+
￥1.002 ￥3.34
500+
￥0.912 ￥3.04
1000+
￥0.867 ￥2.89

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型号：SLM2106SCA-13GTR 编号：C461471

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

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1+
￥2.7
10+
￥2.17
30+
￥1.95
100+
￥1.67

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型号：NCS2200AMUT1G 编号：C146767

封装：UDFN-6(1x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCS2200系列是亚1伏、低功耗比较器产品系列。这些器件的电源电流仅为10 μA。它们保证能在低至0.85 V的电压下工作，这使其可用于需要低于1.0 V电压的系统；并且能在高达6.0 V的电压下完全正常工作，这使得它们便于在3.0 V和5.0 V系统中使用。其他特性包括：输入过驱动时无输出相位反转、内部迟滞（可实现清晰的输出切换）以及轨到轨输入和输出性能。NCS2200系列提供互补输出和开漏输出，并有多种封装可供选择。

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1+
￥2.7
10+
￥2.1
30+
￥1.84

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型号：XJNG2302 编号：C48542889

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。

1+
￥2.96
10+
￥2.38
30+
￥2.14
100+
￥1.83

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型号：SN74CBTLV3245ADBQR 编号：C2878923

封装：SSOP-20-150mil

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBTLV3245A 3.3V、1:1 (SPST)、8 通道通用 FET 总线开关

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1+
￥3.19
10+
￥2.47
30+
￥2.17
100+
￥1.78

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型号：LM4808MMX/NOPB 编号：C2864950

封装：VSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

LM4808 105mW 立体声模拟输入耳机放大器

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1+
￥3.34
10+
￥3.27
30+
￥3.22

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型号：LCYZB-4-V1 编号：C5157161

封装：-

品牌：LC(立创)

PCB空板

单价：
￥3.35 / 个

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型号：TPV708S-SO1R 编号：C22453601

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

1+
￥3.4
10+
￥2.69
30+
￥2.33

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型号：LTC8581XT5/R6 编号：C19173007

封装：SOT23-5L

品牌：Linearin(先积集成)

LTC858x系列放大器具备极低的输入失调电压（最大±40 μV）和低漂移（最大±0.5 μV/°C）特性，其设计结合了2 MHz的增益带宽积和1.3 V/μs的高压摆率，而电源电流仅为150 μA。这些器件具有单位增益稳定性，并且拥有良好的电源抑制比（PSRR）和共模抑制比（CMRR）。LTC858x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用，这类应用不能容忍误差源，甚至在需要高带宽和快速转换的情况下也适用

1+
￥3.6
10+
￥2.9
30+
￥2.55
100+
￥2.2

有货

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型号：74LCX125MTC 编号：C141450

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

LCX125 包含四个独立的具有 3 状态输出的非反相缓冲器。输入耐受电压高达 7V，因此允许 5V 系统连接 3V 系统。74LCX125 采用先进的 CMOS 工艺，在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了高速运行。

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1+
￥3.6
10+
￥2.9
30+
￥2.6

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型号：SLM2184SCA-13GTR 编号：C883213

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS

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1+
￥3.75
10+
￥3.02
30+
￥2.66
100+
￥2.29

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型号：SN74CB3Q3125DGVR 编号：C2859981

封装：TVSOP-14

品牌：TI(德州仪器)

SN74CB3Q3125 3.3V、1:1 (SPST)、4 通道 FET 总线开关

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1+
￥3.87
10+
￥3.78
30+
￥3.73

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型号：XF9J 编号：C4255116

封装：-

品牌：CHINT(正泰)

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单价：
￥3.9976 / 个￥10.52 / 个

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型号：EG2334 编号：C2987448

封装：SOP-20-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2334高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用SOP20封装。

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1+
￥4.08
10+
￥3.3
35+
￥2.83

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型号：74LCX126FT 编号：C2676039

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压四总线缓冲器，具有5V容限输入和输出。设计用于3.3V系统，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压（3.3V）VCC应用，但可用于输入连接到5V电源环境。该器件需要将三态控制输入（OE）设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

数据手册

1+
￥4.6201 ￥9.83
10+
￥3.0377 ￥8.21
30+
￥1.9764 ￥7.32
100+
￥1.7037 ￥6.31
500+
￥1.5822 ￥5.86
1000+
￥1.5282 ￥5.66

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型号：TLV341AIDCKR 编号：C2057566

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

TLV341A 具有关断功能的单路、5.5V、2.2MHz、1.25mV 失调电压运算放大器

数据手册

1+
￥4.83
10+
￥4.72
30+
￥4.65

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型号：74LVX138MTCX 编号：C903396

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

LVX138 是一款高速 1/8 解码器/信号分离器。此器件非常适用于高速双极内存芯片选择地址解码。多输入启用仅使用三个 LVX138 器件即可实现到 1/24 解码器的并行扩展，使用四个 LVX138 器件和一个逆变器即可实现 1/32 解码器的并行扩展。

数据手册

1+
￥4.848 ￥8.08
10+
￥3.375 ￥6.75
30+
￥2.408 ￥6.02
100+
￥2.076 ￥5.19
500+
￥1.928 ￥4.82
1000+
￥1.864 ￥4.66

有货

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型号：LMV358MUTAG 编号：C891366

封装：UDFN-8(1.2x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

LMV321、LMV321I、NCV321、LMV358/LMV358I 和 LMV324 是具有轨到轨输出摆幅的 CMOS 单通道、双通道和四通道低压运算放大器。对于功耗低和节省空间封装至关重要的应用，这些放大器是一种经济高效的解决方案。轨到轨操作可改善信噪比性能

数据手册

1+
￥4.93
10+
￥3.93
30+
￥3.42
100+
￥2.92
500+
￥2.63

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型号：INS5830B 编号：C7503001

封装：SMD3225

品牌：DAPU(大普通信)

INS5830B是一款低功耗、带数字补偿功能的RTC实时时钟芯片。它内部集成了32.768KHz晶振，支持备用电池自动切换。它可以提供日历（年、月、日、时、分、秒），可配置时钟输出、定时器唤醒等功能。INS5830B采用SMD3225封装，高度仅1.00mm非常适合便携式、小尺寸需求的应用领域。内置：32.768KHz 低功耗：0.85uA（typ.）稳定度：＜5±23ppm@+25℃ 支持闰年自动调整功能支持闹钟定时功能支持数字补偿功能