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低电压 CMOS 八进制缓冲器

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型号：74LVX541MTCX 编号：C903402

封装：TSSOP-20

LVX541是一款八进制同相缓冲器和线路驱动器，旨在用作存储器地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的发送器或接收器，可提高印刷电路板的集成度。其输入可承受高达7V的电压，允许5V系统与3V系统进行接口连接。

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型号：TPS22933ARSER 编号：C2653620

封装：UQFN-8(1.5x1.5)

TPS22933 具有 LDO 的 3 输入、2.5V 至 12V、2.4Ω、0.05A 电源多路复用器

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型号：LMV982MUTAG 编号：C480793

封装：UQFN-10(1.4x1.8)

LMV981单运放和LMV982双运放是低压运算放大器，可在单电源（1.8 V至5.0 V）下工作，具备轨到轨输入和输出摆幅。两款器件均采用先进的小型封装，且静态电流极低，非常适合笔记本电脑和手持仪器等电池供电的便携式应用。轨到轨操作可实现最佳的信噪比，小型封装允许更靠近信号源放置，进一步提升整个信号链的性能。LMV981单运放和LMV982双运放均设有关断引脚，可用于禁用器件并进一步降低功耗。通过将SHDN引脚拉低来实现关断。

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：74LCX125YTTR 编号：C2675611

封装：TSSOP-14

低压CMOS四路总线缓冲器（3态），5 V容限输入和输出

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型号：TPS65053RGER 编号：C11153

封装：QFN-24-EP(4x4)

TPS65053是一款集成的电源管理IC,包含两个高效的同步降压转换器和三个低压差线性稳压器。该器件适用于需要多路电源轨的应用,如手机、智能手机、WLAN设备、便携式媒体播放器和数字相机。TPS65053采用4mm x 4mm 24引脚QFN封装。

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型号：ADG779BKSZ-REEL 编号：C657645

封装：SC-70-6

品牌：ADI(亚德诺)

CMOS、低压、2.5Ω、单刀双掷开关/2:1多路复用器

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型号：ISL43210IHZ-T 编号：C357817

封装：SOT-23-6

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款精密、双向、单刀双掷（SPDT）模拟开关，设计用于在单 +2.7V 至 +12V 电源下工作。目标应用包括受益于该器件低功耗（5μW）、低泄漏电流（最大 3nA）和快速开关速度（tON = 28ns，tOFF = 20ns）的电池供电设备。可用于“复用”额外功能，同时降低 ASIC 设计风险。其小封装可缓解电路板空间限制，是理想的解决方案。也是一款单刀双掷开关，非常适合用于 2 选 1 多路复用器应用。

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型号：X1B0003710002 编号：C7472986

封装：SMD3225-10P

品牌：EPSON(爱普生)

RX8804CE XB，3.20 x 2.50 x 1.00 mm

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型号：AB0805-T3 编号：C148315

封装：QFN-16(3x3)

品牌：ABRACON

提供了超低功耗与高度复杂功能集的开创性组合。功耗远低于其他行业实时时钟（低至14 nA），是基于创新的SPOT™（亚阈值功率优化技术）CMOS平台的首批半导体。包括片上振荡器以实现最低功耗，具备完整的实时时钟功能，包括电池备份、可编程计数器和用于定时器与看门狗功能的警报，以及用于与主机控制器通信的I²C或SPI串行接口。

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型号：TSV358IDT 编号：C222390

封装：SO-8

是LM358和LM324通用运算放大器的低电压版本。单通道版本为TSV321和TSV321A，所有器件最低工作电压为2.5V，具备I/O轨到轨特性。在25℃时，共模输入电压比电源电压高200mV，负载电阻为600Ω时，输出电压摆幅在每个轨的100mV以内。在VCC = 3V时，这些器件提供1.3MHz的增益带宽积，并提供典型值为80mA的高输出电流能力。这些特性使TSV3xx和TSV3xxA系列非常适合有源滤波器、通用低电压应用和通用便携式设备。

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型号：TSV321RAIYLT 编号：C5268501

封装：SOT-23-5

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型号：LMV339MT/NOPB 编号：C701131

封装：TSSOP-14

LMV339-N 四路通用、低电压、Tiny Pack 比较器

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型号：TC74LCX541F(EL,K,F 编号：C5349738

封装：SOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74LCX541是一款高性能CMOS八进制总线缓冲器。它专为3.3V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。

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型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

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型号：TSV358IYPT 编号：C2059514

封装：TSSOP-8

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型号：DS90LT012AQMFE/NOPB 编号：C2867200

封装：SOT-23-5

DS90LT012AQ-Q1 汽车类 LVDS 差动线路接收器

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型号：SN74CB3T3384PWR 编号：C139357

封装：TSSOP-24

高速TTL兼容FET总线开关，具有低导通电阻，支持混合模式信号操作。

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型号：NCP1392BDR2G 编号：C457690

封装：SOIC-8

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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型号：74LCX14FT 编号：C3272887

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

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型号：ADUM7223ACCZ 编号：C662207

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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型号：TSV324IYPT 编号：C2057807

封装：TSSOP-14

是LM358和LM324通用运算放大器的低电压版本。单通道版本为TSV321和TSV321A，所有器件最低工作电压为2.5V，具备I/O轨到轨特性。在25℃时，共模输入电压比电源电压高200mV，负载电阻为600Ω时，输出电压摆幅在每个轨的100mV以内。在VCC = 3V时，这些器件提供1.3MHz的增益带宽积，并提供典型值为80mA的高输出电流能力。这些特性使TSV3xx和TSV3xxA系列非常适合有源滤波器、通用低电压应用和通用便携式设备。

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型号：NCV7518MWATXG 编号：C895778

封装：QFN-32-EP(5x5)

NCV7518 / NCV7518A 可编程六沟道低压侧 MOSFET 预驱动器属于 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 MOSFET。该产品可通过串行 SPI 和并行输入组合控制。该器件提供 3.3 V/5 V 兼容输入，并且串行输出驱动器可以采用 3.3 V 或 5 V 供电。内部通电重置提供受控通电。重置输入允许外部重新初始化，而启用输入允许同时禁用所有输出和诊断。每个沟道独立监控其外部 MOSFET 的漏压，看是否存在故障情况。短路负载故障检测阈值可使用外部编程参考电压和分立内部比值组合进行完全编程。这些比值可通过 SPI 选择，允许对于每个沟道设置不同的检测阈值。每个沟道的故障恢复操作可编程设定，并可选择用来进行锁存关断或自动重试。每个沟道的状态信息为故障类型编码的 3 位，通过 SPI 通信提供。FLEXMOS 系列产品通过选择外部 MOSFET 提供了应用可伸缩性。

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型号：TS331IQT 编号：C2922486

封装：DFN-6(1.2x1.3)

微功耗低压轨到轨比较器

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型号：TSV358AIYPT 编号：C2059892

封装：TSSOP-8

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型号：TSV324AIYPT 编号：C672310

封装：TSSOP-14

是低电压版本的LM358和LM324通用运算放大器，单版本也存在。所有器件可在低至2.5V的电压下工作，具有I/O轨到轨特性。在25℃时，共模输入电压比电源电压高200mV，在接600Ω负载电阻时，输出电压摆幅在每个轨的100mV以内。在VCC = 3V时，这些器件的增益带宽积为1.3MHz，典型输出电流能力为80mA。这些特性使TSV3xx和TSV3x4A系列非常适合有源滤波器、通用低电压应用和通用便携式设备。

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型号：IR2109PBF 编号：C537552

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥16.43

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型号：TSV358IYDT 编号：C2057588

封装：SO-8