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TCA9535 具有中断和配置寄存器的 16 位 1.65V 至 5.5V I2C/SMBus I/O 扩展器

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型号：FXLA104UMX 编号：C457682

封装：UMLP-16(1.8x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

FXLA104 是一款可配置的双电压供电转换器，适用于两个逻辑电平之间的单向和双向电压转换。该器件可实现高达 3.6V 与低至 1.1V 之间的电压转换。A 端口跟踪 VCCA 电平，B 端口跟踪 VCCB 电平。可在多种电压等级之间实现双向电压转换：1.2V、1.5V、1.8V、2.5V 和 3.3V。只要任一 VCC = 0V，该器件就保持三态，让任一 VCC 能够首先通电。如果任一 VCC 移除，内部电源关闭控制电路则会将器件置于 3 态。 /OE 输入为高电平时，则会将 A 和 B 端口同时置于 3 态状态，从而禁用它们。/OE 输入由 VCCA 提供。 FXLA104 支持双向转换，且无需方向控制引脚。该器件的两个端口都具有自动方向感应功能。任一端口都可感应输入信号，并将其作为输出信号传输到另一个端口。

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型号：A3901SEJTR-T 编号：C146403

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

斩波稳定二线制霍尔开关

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型号：IR2183STRPBF 编号：C2653806

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：M74LCX16244DTR2G 编号：C233565

封装：TSSOP-48-6.2mm

品牌：onsemi(安森美)

MC74LCX16244 是一款高性能双非反相 16 位缓冲器，运行电压为 2.3 到 3.6V。该器件为半字节控制。每个半字节均具有单独的输出启用输入，可进行联结以实现完全 16 位运行。高阻抗 TTL 兼容输入显著减少了输入驱动器的电流负载，而 TTL 兼容输出则提高了开关噪音性能。5.5V 的 VI 规格使得 MC74LCX16244 输入能够基于 5V 器件进行安全驱动。MC74LCX16244 适用于内存地址驱动和所有 TTL 级总线导向收发器应用。最大 4.5ns 的传播延迟支持高性能应用。电流驱动能力为输出处 24mA。输出启用输入 (OEn)bar 如果为高电平则会将它们置于高电平 Z 状态，从而将两者禁用。MC74LCX16244 包含十六个带 3 态 5V 耐压输出的非反相缓冲器。该器件为半字节控制，每个半字节功能完全相同，但独立运行。控制引脚可以联接在一起以实现完全 16 位运行。3 态输出由每个半字节的输出启用 (OEn)bar 输入控制。当 OEnbar 为低电平时，输出导通。当 OEnbar 为高电平时，输出为高阻抗状态。

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型号：UCC27282DRCT 编号：C2676968

封装：VSON-10-EP(3x3)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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型号：PCAL9555APW,118 编号：C2669740

封装：TSSOP-24

是低电压16位通用输入/输出 (GPIO) 扩展器，带有中断和弱上拉电阻，适用于I²C总线/SMBus应用。提供灵活的GPIO集，1.65V至5.5V的宽VDD范围允许其与下一代微处理器和微控制器接口。包含PCA9555寄存器集，还有增强I/O的附加功能，如可编程输出驱动强度、可锁存输入、可编程上拉/下拉电阻、可屏蔽中断、中断状态寄存器、可编程开漏或推挽输出。是PCA9555的引脚对引脚替换产品，上电时所有I/O中断被屏蔽

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型号：74LCX16244MTDX 编号：C6013

封装：TSSOP-48-6.2mm

品牌：onsemi(安森美)

LCX16244包含16个具有三态输出的同相缓冲器，旨在用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或面向总线的收发器。该器件采用半字节控制

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型号：TSV358AIDT 编号：C672313

封装：SO-8

TSV358、TSV358A、TSV324 和 TSV324A（双运放和四运放）器件是 LM358 和 LM324 通用运算放大器的低电压版本。TSV321 和 TSV321A 为单运放版本。所有器件均可在低至 2.5 V 的电压下工作，且具备输入/输出轨到轨特性

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型号：PCAL9538ABSHP 编号：C5203527

封装：HVQFN-16-EP(3x3)

是一款低压8位通用输入/输出（GPIO）扩展器，带有中断和复位功能，适用于I²C总线/SMBus应用。在需要额外I/O时，可提供简单解决方案，同时尽量减少互连。其VDD范围为1.65V至5.5V，可与下一代微处理器和微控制器接口。包含PCA9538A的四个8位配置、输入、输出和极性反转寄存器集，还具有Agile I/O功能

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型号：TSV324IPT 编号：C669895

封装：TSSOP-14

TSV358、TSV358A、TSV324 和 TSV324A（双运放和四运放）器件是 LM358 和 LM324 通用运算放大器的低电压版本。TSV321 和 TSV321A 为单运放版本。所有器件均可在低至 2.5 V 的电压下工作，且具备输入/输出轨到轨特性

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型号：TSV358IPT 编号：C2057873

封装：TSSOP-8

是LM358和LM324通用运算放大器的低电压版本。单通道版本为TSV321和TSV321A，所有器件最低工作电压为2.5V，具备I/O轨到轨特性。在25℃时，共模输入电压比电源电压高200mV，负载电阻为600Ω时，输出电压摆幅在每个轨的100mV以内。在VCC = 3V时，这些器件提供1.3MHz的增益带宽积，并提供典型值为80mA的高输出电流能力。这些特性使TSV3xx和TSV3xxA系列非常适合有源滤波器、通用低电压应用和通用便携式设备。

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型号：MAX31331EWC+T 编号：C7451423

封装：WLP-12(1.2x1.6)

是一款计时设备，消耗标称65nA的计时电流，可延长电池寿命。支持各种32.768kHz晶体，可使用任何电容负载（CL）规格的晶体，拓宽了该设备可用晶体的范围。通过I²C串行接口访问。该设备还具有备用电源引脚（VBAT），当主电源（VCC）降至编程阈值电压和备用电源（VBAT）电压以下时，会自动切换到备用电源

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型号：PCA9535APW,118 编号：C2669651

封装：TSSOP-24

是一款用于PC总线/SMBus应用的低压16位通用输入/输出（GPIO）扩展器，具有中断和复位功能。在需要额外I/O时提供简单解决方案，同时使互连最少。宽VDD范围为1.65V至5.5V，可与下一代微处理器和微控制器接口。包含四对8位配置、输入、输出和极性反转寄存器

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型号：STP16DP05MTR 编号：C2678717

封装：SOP-24-300mil

具有输出错误检测功能的低压16位恒定电流LED灌驱动器

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型号：L6571BD 编号：C1549378

封装：SOIC-8

带振荡器的高压半桥驱动器

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型号：ISL2111ABZ-T 编号：C695277

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：TSV358AIST 编号：C2057811

封装：MiniSO-8

是LM358和LM324通用运算放大器的低电压版本。单通道版本为TSV321和TSV321A，所有器件最低工作电压为2.5V，具备I/O轨到轨特性。在25℃时，共模输入电压比电源电压高200mV，负载电阻为600Ω时，输出电压摆幅在每个轨的100mV以内。在VCC = 3V时，这些器件提供1.3MHz的增益带宽积，并提供典型值为80mA的高输出电流能力。这些特性使TSV3xx和TSV3xxA系列非常适合有源滤波器、通用低电压应用和通用便携式设备。

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型号：PCA9575PW1,118 编号：C2669789

封装：TSSOP-24

PCA9575是一款CMOS器件，适用于低压处理器和手持电池供电的移动应用，可提供16位通用并行输入/输出（GPIO）扩展功能。该器件的改进之处包括：更低的电源电流、1.1 V至3.6 V的更低工作电压、可实现1.1 V至3.6 V之间任意电压电平转换的独立电源轨、400 kHz的时钟频率，以及更小的封装。当需要额外的I/O接口，同时又要尽量减少互连时，I/O扩展器提供了一种简单的解决方案；例如，在电池供电的移动应用和翻盖设备中，用于连接传感器、按钮、键盘等

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型号：TPS75105DSKT 编号：C132074

封装：DFN-10-EP(2.5x2.5)

TPS7510x 线性低压差 (LDO) 匹配 LED 电流源针对低功耗键盘和导航板 LED 背光应用进行了优化。该器件为最多四个不匹配的 LED 提供恒定电流，这些 LED 以两个共阴极拓扑结构排列成两组，每组两个 LED。无需外部电阻，电流源默认为工厂预设的电流水平，精度为±0.5%（典型值）。可以使用可选的外部电阻将初始亮度设置为用户可编程值，以获得更高的精度。通过在每个使能引脚（ENx，其中 x 表示 LED 组 A 或 B）上输入脉冲宽度调制 (PWM) 信号，可以将亮度从关闭调整到全亮。每组具有独立的使能和亮度控制，但电流匹配同时应用于所有四个通道。输入电源范围非常适合单节锂离子电池供电，TPS7510x 可以为每个 LED 提供高达 25 mA 的电流。内部没有使用开关信号，消除了麻烦的电磁干扰 (EMI)。TPS7510x 提供了超小型 9 球、0.4 mm 球间距晶圆级芯片尺寸封装 (WCSP) 和 2.50 mm x 2.50 mm、10 引脚 WSON 封装，实现了非常紧凑的整体解决方案尺寸，非常适合移动手机和便携式背光应用。该器件在 -40°C 至 +85°C 温度范围内完全指定。

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型号：PCAL9535AHF,128 编号：C2669691

封装：HWQFN-24-EP(4x4)

是一款用于I²C总线/SMBus应用的低压16位通用输入/输出（GPIO）扩展器，具有中断和复位功能。当需要额外的I/O且保持互连最少时，可提供简单解决方案，如在ACPI电源开关、传感器、按钮、LED、风扇控制等方面。其宽VDD范围为1.65V至5.5V，允许与下一代微处理器和微控制器接口以节省电源。包含PCA9535寄存器组，还有Agile I/O增强I/O功能，如可编程输出驱动强度、可锁存输入、可编程上拉/下拉电阻、可屏蔽中断、中断状态寄存器、可编程开漏或推挽输出

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型号：STM32F038G6U6 编号：C2971258

封装：UFQFN-28

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。32 Kbytes闪存。4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。电源管理:数字和I/O电源：VDD = 1.8V ± 8%。模拟电源：VDA从VDD到3.6V

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型号：HIP2103FRTAAZ 编号：C1549569

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高频率MOSFET驱动器，优化用于在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET，有HI/LI输入或单PWM输入。由单个低压电源（5V）偏置，可减少在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗，能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器采用内部低正向压降二极管实现自举，降低实施成本和复杂性，允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护，防止两个MOSFET同时导通

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型号：DS1391U-33+ 编号：C722436

封装：USOP-10

低电压SPI/3线接口RTC，带有涓流充电器

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型号：LMV358QDDUR 编号：C571194

封装：VSSOP-8-0.5mm

LMV358 双通道、5.5V、1MHz、RRO 运算放大器

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型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：MAX6381XR39D2+T 编号：C489647

封装：SC-70-3

MAX6381–MAX6390微处理器（μP）监控电路可监控+1.8V至+5.0V的电源电压，在+1.8V时仅消耗3μA的电源电流。每当Vcc降至出厂预设的复位阈值以下时，复位输出将置位，并在VCC升至复位阈值以上后，至少保持置位一个复位超时周期。复位阈值范围为+1.58V至+4.63V，以约100mV的增量递增

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型号：MAX3391EEUD+ 编号：C1549701

封装：TSSOP-14

±15kVESD保护、1μA、16Mbps、双/四路、低电压电平转换器，UCSP封装

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型号：PCA6408AHKX 编号：C2669749

封装：X-QFN-16(1.8x2.6)