低压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MC34119M/TR 编号：C2926367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

低功率音频放大器 MC34119为低功率音频放大集成电路。该电路适用于电话（例如扬声器话机）上的低功率音频放大器。它可以在低电源电压的条件（最低为2V）下以最大的差动输出方式驱动扬声器，不需要耦合电容。

数据手册

5+
￥0.6583
50+
￥0.5143
150+
￥0.4423
500+
￥0.3883
2500+
￥0.3466
5000+
￥0.325

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型号：SP60N13P8 编号：C41354974

封装：SOP-8L

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：60V,电流：9A,RDSON:13mR

5+
￥0.6707
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￥0.5267
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￥0.4547
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￥0.4007
2500+
￥0.3665

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型号：DRV8837DSGT-JSM 编号：C22447133

封装：DFN-8(2x2)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

1.8A 12V低压全桥电机驱动芯片内置欠压保护过流过温保护 H桥电机驱动器

5+
￥0.682556 ￥0.8981
50+
￥0.52934 ￥0.6965
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￥0.463676 ￥0.6101
500+
￥0.381748 ￥0.5023
3000+
￥0.345268 ￥0.4543
6000+
￥0.32338 ￥0.4255

有货

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型号：BL8506-22NRM 编号：C2763865

封装：SOT-23

品牌：BL(上海贝岭)

BL8506 是一系列高精度电压检测器，具有超低电流消耗（在 Vdd = 3.0V 时，典型值为 500nA）。它可以在非常低的电压下工作，非常适合用于系统复位。BL8506 由高精度电压基准、比较器、输出驱动器和电阻阵列组成

数据手册

5+
￥0.7189
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￥0.5749
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￥0.5029
500+
￥0.4489
3000+
￥0.4057

有货

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型号：XJNG2102 编号：C2940736

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥0.8253
50+
￥0.6381
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￥0.5445
500+
￥0.4743
2500+
￥0.4181
4000+
￥0.39

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型号：BL8506-27NRM 编号：C691890

封装：SOT-23

品牌：BL(上海贝岭)

BL8506 是一系列高精度电压检测器，具有超低电流消耗（在 Vdd = 3.0V 时，典型值为 500nA）。它可以在非常低的电压下工作，非常适合用于系统复位。BL8506 由高精度电压基准、比较器、输出驱动器和电阻阵列组成

数据手册

5+
￥0.8563
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￥0.6835
150+
￥0.5971
500+
￥0.5323
3000+
￥0.4722

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型号：SP60P30P8 编号：C41355216

封装：SOP-8

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V,电流：-7.5A,RDSON:30mR

5+
￥0.86868 ￥0.9144
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￥0.68818 ￥0.7244
150+
￥0.597835 ￥0.6293
500+
￥0.5301 ￥0.558
2500+
￥0.47595 ￥0.501
4000+
￥0.448875 ￥0.4725

有货

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型号：SP4011ACTM 编号：C45351220

封装：TO-252-4L

品牌：Siliup(矽普)

N+P MOSFET产品，耐压：40V,电流：N 60A/P -37A,Rdson:N 6.5mR/P 11mR

5+
￥0.9114
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￥0.7905
150+
￥0.7386
500+
￥0.674

有货

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型号：SP30N02TH 编号：C41354851

封装：TO-252-2L

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：30V,电流：130A,RDSON:2mR

5+
￥1.0564
50+
￥0.8266
150+
￥0.7281
500+
￥0.6052

有货

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型号：LMV931SQ3T2G 编号：C231855

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

CMOS低压运算放大器可在单边电源（1.8 V至5.0 V）下工作，具有轨到轨输入和输出摆幅。两款器件均采用小型先进封装，静态电流极低，非常适合电池供电的便携式应用，如笔记本电脑和手持仪器。轨到轨操作可改善信噪比性能，小型封装允许更靠近信号源放置，从而减少噪声拾取。

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5+
￥1.2535
50+
￥0.9742
150+
￥0.8545
500+
￥0.7051
3000+
￥0.6386
6000+
￥0.5987

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型号：74LCX07FT 编号：C2676034

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六缓冲器，输入和输出（开漏）具有 5V 容限。专为 3.3V 系统和 5V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。具有高性能 MOS N 沟道晶体管（开漏输出）。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。

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5+
￥1.2682
50+
￥1.105
150+
￥1.035
500+
￥0.9011

有货

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型号：SP40N02HTH 编号：C41354884

封装：TO-252

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：40V,电流：130A,RDSON:2.5mR

5+
￥1.3157
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￥1.1443
150+
￥1.0709
500+
￥1.0037

有货

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型号：LM393LVDGKR 编号：C3659248

封装：VSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

LM393LV 1.65V 至 5.5V 低压双路商用比较器

数据手册

5+
￥1.5468
50+
￥1.2262
150+
￥1.0888
500+
￥0.9174

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型号：VDR-14D220K 编号：C6793760

封装：DIP

品牌：VDR(嵩隆)

5+
￥1.5538
50+
￥1.2463
150+
￥1.1146
500+
￥0.9502

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型号：74LCX541FT(AJ) 编号：C516171

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74LCX541FT 是一款高性能 CMOS 八进制总线缓冲器。它专为 3.3 V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行

数据手册

5+
￥1.6089
50+
￥1.2861
150+
￥1.1477
500+
￥0.975

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型号：RT9058-33GVL 编号：C6792533

封装：SOT-23-3L

品牌：RICHTEK(立锜)

5+
￥1.7713
50+
￥1.4021
150+
￥1.2439
500+
￥1.0465
3000+
￥0.9586
6000+
￥0.9058

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型号：74LCX04BQX 编号：C258148

封装：DQFN-14(2.5x3)

品牌：onsemi(安森美)

LCX04包含六个反相器。输入容许电压达7V，允许5V系统到3V系统的连接。74LCX04采用先进的CMOS技术制造，以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。

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1+
￥1.9
10+
￥1.65
30+
￥1.54
100+
￥1.41
500+
￥1.32
1000+
￥1.29

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型号：GS8706-TR 编号：C5179671

封装：SOT-23-6

品牌：Gainsil(聚洵)

GS8706是一款具有内部迟滞功能的超低功耗比较器，针对由3V或5V电源供电的系统进行了优化。该器件具有高速响应、低功耗、低失调电压以及轨到轨输入和输出范围的特点。它集成了一个1.2V的电压基准，便于灵活应用

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5+
￥1.9942
50+
￥1.5565
150+
￥1.3689
500+
￥1.0827

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型号：GEO 3F-24V3 编号：C53463493

封装：-

品牌：STEIPU(斯泰普)

单价：
￥2.25 / 个

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型号：MC33202DMR2G 编号：C231818

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4 系列运算放大器在输入和输出端均提供轨到轨操作。输入信号可驱动至超出电源轨 200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨 50 mV 以内。这种轨到轨操作使使用者能够充分利用可用的电源电压范围

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1+
￥2.57
10+
￥1.99
30+
￥1.75
100+
￥1.44
500+
￥1.3
1000+
￥1.22

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型号：MDDG10R04P 编号：C45350858

封装：TO-220C-3L

品牌：MDD(辰达半导体)

100V 130A 3.2mΩ中低压功率N-MOS管

1+
￥3.3408 ￥3.48
10+
￥2.6688 ￥2.78
50+
￥2.3424 ￥2.44
100+
￥2.0064 ￥2.09
500+
￥1.8048 ￥1.88
1000+
￥1.7088 ￥1.78

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型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

1+
￥3.47
10+
￥2.74
30+
￥2.43
100+
￥2.04
500+
￥1.87
1000+
￥1.77

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型号：YSN8010SJ 32.768KHZ 编号：C42930215

封装：SOP-8

品牌：YXC(扬兴晶振)

I2C接口、内置32.768kHz晶体低功耗、内置补偿电路YSN8010SJ 工作温度：-40~85℃ 应用：RTC时钟等

5+
￥3.8475 ￥4.05
50+
￥3.0875 ￥3.25
150+
￥2.7075 ￥2.85
500+
￥2.3275 ￥2.45
3000+
￥2.0995 ￥2.21
6000+
￥1.9855 ￥2.09

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型号：LCC30-M 编号：C7437303

封装：-

品牌：AMASS(艾迈斯)

3mm针3芯锂电大电流连接器公头 20~50A

1+
￥4
10+
￥3.67
50+
￥3.45
200+
￥3.33

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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

1+
￥4.06
10+
￥3.57
30+
￥3.33
100+
￥3.09
500+
￥2.94
1500+
￥2.87

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型号：HT8563ARZ 编号：C2834465

封装：SOIC-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

I2C接口实时时钟

数据手册

1+
￥4.1325 ￥4.35
10+
￥3.42 ￥3.6
30+
￥3.059 ￥3.22
100+
￥2.7075 ￥2.85
500+
￥2.0425 ￥2.15
1000+
￥1.9285 ￥2.03

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型号：OPA323IDCKR 编号：C33683914

封装：SC-70-5

品牌：TI(德州仪器)

OPAx323系列运算放大器包括单通道（OPA323）、双通道（OPA2323）和四通道（OPA4323）的低压（1.7V至5.5V）、高带宽（20MHz）运算放大器，具有零交叉输入级和轨至轨输出级。对于具有ADC驱动器应用中典型轨至轨摆幅的输入信号，OPAx323零交叉输入级可实现高线性和低失真。在0.5MSPS至5MSPS之间的ADC采样速度下，20MHz增益带宽可提供快速稳定响应，具体取决于所需的稳定性能。

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