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  • G2301C 是一款为控制 P&N 沟道 MOSFETs 而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3 个半桥,共驱动 3 个 P 沟道功率 MOSFETs 和 3 个 N 沟道功率 MOSFETs,每一路输出 均由单一逻辑输入信号控制, 由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部 集成了5V的 LDO,电流能力达到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下 桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2301B 封装类型为 ESOP16。
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  • G2301B-J 是一款为控制 P&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥,共驱动 3 个 P 沟道功率 MOSFETs和 3 个 N 沟道功率 MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制, 由 MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO,电流能力达到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2301B-J 封装类型为 ESOP16。
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  • G2302B1 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥,共驱动 3 个上臂 N 沟道功率MOSFETs和3个下臂 N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制, 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO,电流能力达 到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下桥臂的功率管同时导通。 G2302B1 封装类型为 TSSOP20
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