您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 电机全桥驱动
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共84606
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
SDM15G60FC8 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调压缩机、工业伺服器、低功率变频器等。其内置了3 相全桥高压栅极驱动电路和6 个低损耗IGBT 管。SDM15G60FC8 内部集成了欠压、短路等各种保护功能,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SDM15G60FC8 采用了高绝缘和易导热设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的场合。
数据手册
  • 1+

    ¥40.74
  • 10+

    ¥34.93
  • 24+

    ¥30.13
  • 96+

    ¥27.16
  • 有货
  • IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,并且该驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥58.08
    • 10+

      ¥49.66
    • 30+

      ¥44.53
    • 100+

      ¥40.23
  • 有货
  • DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元
    数据手册
    • 1+

      ¥59.52
    • 10+

      ¥50.71
    • 30+

      ¥45.35
    • 100+

      ¥40.85
  • 有货
  • 三相无刷直流电机驱动器,集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能(EN)和PWM输入,而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件,MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压,并采用涓流充电电路,以保持足够的栅极驱动电压,实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定(UVLO)和过流保护(OCP)。采用QFN-26(5mmx5mm)封装。
    • 1+

      ¥60.0148
    • 50+

      ¥52.6661
    • 100+

      ¥48.5815
  • 有货
  • TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC,具备串行通信接口(SPI、UART)和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器,与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应(ICS)的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时,实现绝对无噪音运行。 高度集成、高能效和小尺寸设计,使系统能够实现小型化和可扩展性,从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低,同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管(FET)的阻抗极低,从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N(高端 + 低端)为0.23Ω。 假设使用四层PCB,每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。 每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX,受过流保护(OCP)限制。 由于该电流受散热因素限制,实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性(PCB接地层、散热器、通风等)。 每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A,可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。 非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻,与基于外部检测电阻的主流应用相比,可显著节省空间和功率,同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能,如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定(UVLO)。 在热关断和UVLO事件期间,驱动器将被禁用。 此外,TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。
    • 1+

      ¥61.93
    • 10+

      ¥53.85
    • 30+

      ¥48.93
    • 100+

      ¥44.8
  • 有货
  • 无刷电机驱动,48V以上供电,4A~6A方案,
    • 1+

      ¥62.8727
    • 50+

      ¥55.174
    • 100+

      ¥50.0653
  • 有货
  • DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥66.15
    • 10+

      ¥56.89
    • 30+

      ¥51.25
    • 100+

      ¥46.53
  • 有货
  • 双极步进电机的L6208 DMOS驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥76.17
    • 10+

      ¥65.35
    • 30+

      ¥58.75
    • 100+

      ¥53.22
  • 有货
  • 具有 40V VDD、40ns 下降时间且每个输出均具有两个输入的 1.5A/1.5A 双通道栅极驱动器 16-SOIC 0 to 70
    数据手册
    • 1+

      ¥90.99
    • 10+

      ¥86.59
    • 30+

      ¥78.96
  • 有货
  • LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET
    数据手册
    • 1+

      ¥108.4
    • 10+

      ¥103.64
    • 30+

      ¥95.4
  • 有货
    • 1+

      ¥4843.944 ¥4942.8
    • 10+

      ¥4674.6 ¥4770
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):0.29A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V
    • 50+

      ¥0.1222
    • 500+

      ¥0.0952
    • 3000+

      ¥0.0802
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.1466
    • 200+

      ¥0.1142
    • 600+

      ¥0.0962
    • 3000+

      ¥0.0854
    • 9000+

      ¥0.0761
    • 21000+

      ¥0.071
  • 有货
  • 电机驱动芯片 5V,双向马达驱动芯片,可驱动马达正转、反转、停止
    • 20+

      ¥0.2089
    • 200+

      ¥0.1603
    • 600+

      ¥0.1333
    • 4000+

      ¥0.1171
    • 8000+

      ¥0.103
    • 20000+

      ¥0.0954
  • 有货
  • 带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.1335
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 20+

      ¥0.2292
    • 200+

      ¥0.1812
    • 600+

      ¥0.1572
  • 有货
  • AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.2292
    • 200+

      ¥0.1812
    • 600+

      ¥0.1572
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,38mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2292
    • 200+

      ¥0.1812
    • 600+

      ¥0.1572
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2321
    • 200+

      ¥0.1808
    • 600+

      ¥0.1523
    • 3000+

      ¥0.1352
  • 有货
  • N沟道,60V,3A,75mΩ@10V,3A,1.4V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.2359
    • 200+

      ¥0.1879
    • 600+

      ¥0.1639
    • 3000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.2595
    • 100+

      ¥0.2067
    • 300+

      ¥0.1803
    • 3000+

      ¥0.1605
  • 有货
  • AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1886
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-3.8A 功率(Pd):1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):51mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.2V@250uA,-30V,-3.8A,51mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
    • 3000+

      ¥0.1751
    • 6000+

      ¥0.1578
    • 9000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
    • 3000+

      ¥0.2087
    • 6000+

      ¥0.1871
    • 9000+

      ¥0.1763
  • 有货
  • FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
  • 输出 DC 峰值电流达到 3A,连续电流1.55A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3748
    • 100+

      ¥0.2982
    • 300+

      ¥0.2598
    • 1000+

      ¥0.2311
    • 4000+

      ¥0.2285
  • 有货
  • 立创商城为您提供电机全桥驱动型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买电机全桥驱动提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content