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首页 > 热门关键词 > 电机全桥驱动
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这些驱动器采用CMOS制造,与双极型驱动器相比,功耗更低,运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入,可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V,而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨,确保更好的驱动电压裕量,特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同,这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件,节省了PCB面积和元件数量,并提高了整个系统的可靠性。
数据手册
  • 1+

    ¥25.76
  • 10+

    ¥22
  • 60+

    ¥19.77
  • 有货
  • 1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器,其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽,为 3 V 至 15 V,采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平,甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.71
    • 10+

      ¥9.77
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      ¥8.3
  • 有货
  • DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥12.32
    • 10+

      ¥10.14
    • 30+

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    • 100+

      ¥7.38
  • 有货
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    • 100+

      ¥11.466 ¥11.7
  • 有货
  • 汽车级全集成H桥电机驱动
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      ¥13.73
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      ¥11.55
    • 30+

      ¥10.19
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      ¥8.16
  • 有货
  • 1ED31xxMU12H(1ED-X3紧凑型)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作,采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.45
    • 10+

      ¥15.47
    • 30+

      ¥13.6
    • 100+

      ¥11.69
  • 有货
  • EMC2301/2/3/5系列是一款符合SMBus标准的风扇控制器,具备多达五个可独立控制的PWM风扇驱动器。每个风扇驱动器由一个可编程频率的PWM驱动器和风扇转速控制算法控制,该算法既可以闭环方式运行,也可作为直接PWM控制设备运行。每个闭环风扇转速控制(FSC)算法都能够检测老化风扇并向系统发出警报
    数据手册
    • 1+

      ¥19.2
    • 10+

      ¥16.49
    • 30+

      ¥14.87
    • 100+

      ¥13.24
  • 有货
  • TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器,能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配,前沿和后沿传播延迟时间也相匹配
    数据手册
    • 1+

      ¥20.62
    • 10+

      ¥17.81
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      ¥16.13
    • 100+

      ¥14.44
  • 有货
  • LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥31.73
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      ¥26.92
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      ¥24.05
    • 100+

      ¥21.16
  • 有货
  • MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信(Micrel)的双极/CMOS/DMOS(BCD)工艺制造,工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联,可在 MOSFET 的米勒区提供大电流,使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流,并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电,同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动
    数据手册
    • 1+

      ¥39.36
    • 10+

      ¥34.09
    • 30+

      ¥30.88
  • 有货
  • DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元
    数据手册
    • 1+

      ¥54.08
    • 10+

      ¥46.13
    • 30+

      ¥41.29
    • 100+

      ¥37.23
  • 有货
  • 高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平,直到施加足够的电源电压(IXD_630版本为12.5V,IXD_630M版本为9V)。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器,IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥58.01
    • 10+

      ¥49.59
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      ¥44.46
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      ¥40.16
  • 有货
  • DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥62.14
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    • 30+

      ¥47.24
    • 100+

      ¥42.52
  • 有货
  • 低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17(连接器引脚长度为3.1mm,适用于2mm厚的PCB;增强了EMI能力;实现了SSD;无铅)/2SC0108T2G0C-17(采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本),将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块,最高可达600A/1200V或450A/1700V。
    数据手册
    • 1+

      ¥163.85
    • 30+

      ¥155.16
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):0.29A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V
    • 50+

      ¥0.0626
    • 500+

      ¥0.0611
    • 3000+

      ¥0.0602
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.0751
    • 200+

      ¥0.0733
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      ¥0.0722
    • 3000+

      ¥0.071
  • 有货
  • SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.1001
    • 200+

      ¥0.0978
    • 600+

      ¥0.0962
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 20+

      ¥0.1243
    • 200+

      ¥0.1214
    • 600+

      ¥0.1195
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-3.8A 功率(Pd):1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):51mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.2V@250uA,-30V,-3.8A,51mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.1573
    • 100+

      ¥0.1538
    • 300+

      ¥0.1515
    • 1000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
    • 10+

      ¥0.1573
    • 100+

      ¥0.1538
    • 300+

      ¥0.1515
    • 1000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):1.39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA N沟道,20V,7.5A,13mΩ@10V
    • 10+

      ¥0.1835
    • 100+

      ¥0.1794
    • 300+

      ¥0.1768
    • 1000+

      ¥0.1741
  • 有货
  • 带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.1335
  • 有货
  • AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 20+

      ¥0.2292
    • 200+

      ¥0.1812
    • 600+

      ¥0.1572
  • 有货
  • N沟道,60V,3A,75mΩ@10V,3A,1.4V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 20+

      ¥0.2359
    • 200+

      ¥0.1879
    • 600+

      ¥0.1639
    • 3000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2378
    • 200+

      ¥0.1865
    • 600+

      ¥0.158
    • 3000+

      ¥0.1409
  • 有货
  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.2595
    • 100+

      ¥0.2067
    • 300+

      ¥0.1803
    • 3000+

      ¥0.1605
  • 有货
  • AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
  • 有货
  • 带ESD保护,类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-4.9A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@-4.5V,-4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@250uA
    • 10+

      ¥0.2947
    • 100+

      ¥0.2323
    • 300+

      ¥0.2011
  • 有货
  • MX6208(MS)是为5V 和12V 供电电压下工作的系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车四个功能。MX6208(MS)集成了温度保护功能,当芯片温度超过内部温度保护电路设置得最高温度点后,内部电路关断内置的功率开关管,切断负载电流,避免温度过高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。
    • 10+

      ¥0.306 ¥0.34
    • 100+

      ¥0.2412 ¥0.268
    • 300+

      ¥0.2088 ¥0.232
    • 1000+

      ¥0.1845 ¥0.205
    • 4000+

      ¥0.16506 ¥0.1834
    • 8000+

      ¥0.15525 ¥0.1725
  • 有货
  • ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
    • 3000+

      ¥0.2087
  • 有货
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