电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：L6207PD 编号：C74014

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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￥52.35
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型号：L298N (LX) 编号：C45384877

封装：ZIP-15

品牌：LX(灵星芯微)

L298N是一款工作电压高达46V，输出电流高达4A的双全桥驱动器。

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型号：XZ298N 编号：C707119

封装：ZIP-15

品牌：XINLUDA(信路达)

驱动配置：全桥是否隔离：非隔离电源电压：2.5V~46V 特性：过热保护(OPT)

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型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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型号：L6226QTR 编号：C95357

封装：QFN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：LT8418ACBZ-R7 编号：C22450844

封装：WLCSP-12

品牌：ADI(亚德诺)

LT8418是一款100V半桥氮化镓（GaN）驱动器，集成了上下桥驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑，或降压、升压和升降压拓扑。LT8418具备强大的源/灌电流能力，上拉电阻为0.6Ω，下拉电阻为0.2Ω

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型号：SD30M60AC 编号：C254538

封装：DIP-27H

品牌：SILAN(士兰微)

SD30M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD30M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SD30M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的应用场合。

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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型号：DRV8242SQRHLRQ1 编号：C22428026

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，适用于各种汽车应用。该器件是一款具有 PWM 或相位使能控制的双向全桥驱动器。该单片功率封装器件系列采用 BiCMOS 大功率工艺技术节点设计，提供了出色的电源处理能力和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。该系列提供相同的引脚功能和可扩展的 RON（电流能力），可支持不同的负载。这些器件集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器、高侧电流检测和调节、电流比例输出以及保护电路。还提供了一种低功耗睡眠模式，以实现较低静态电流。这些器件提供电压监测和负载诊断以及过流和过热保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。这些器件提供三种型号-硬接线接口：HW (H) 和两种 SPI 接口型号：SPI(P) 和 SPI(S)，其中 SPI(P) 用于外部提供的逻辑电源，SPI(S) 用于内部生成的逻辑电源。SPI 接口型号可实现更加灵活的器件配置和故障监测。

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型号：UCC27201AD 编号：C1549352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

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型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥19.92

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型号：SD15M60AC 编号：C5221002

封装：DIP-27H

品牌：SILAN(士兰微)

SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器，适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作

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型号：UCC27200D 编号：C181386

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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型号：UCC27201ADRMR 编号：C2876552

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：L6227D 编号：C2970439

封装：SOIC-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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型号：DMHC4035LSDQ-13 编号：C3279753

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代互补 MOSFET H 桥在 SO-8 封装中集成了 2N 和 2P 通道。该 H 桥符合 AEC-Q101 标准，非常适合驱动：螺线管、直流电机、音频输出。

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￥5.79
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型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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￥8.51
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￥6.28

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型号：L6207D 编号：C221507

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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￥35.18
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￥34.32
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￥33.75

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型号：L6227PD 编号：C1556897

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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￥50.83
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￥44.03
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型号：L6207D013TR 编号：C221482

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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￥65.78
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￥56.44
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￥49.72

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型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

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￥50.21
10+
￥43.49
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￥39.4

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型号：L6206PD013TR 编号：C65383

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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￥30.52 / 个

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型号：LKS32MC086FSN8Q8B 编号：C45662026

封装：QFN-52-EP(6x6)

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS32MC086FSN8Q8B是32位内核的面向电机控制应用的专用处理器，同时集成了三相全桥自举式栅极驱动模块，可直接驱动6个N型MOSFET。高可靠性、高集成度、最终产品体积小、节约BOM成本；内部集成4路高速运放和两路比较器，可满足单电阻/双电阻/三电阻电流采样拓扑架构的不同需求；内部高速运放集成高压保护电路，可以允许高电压共模信号直接输入芯片，可以用最简单的电路拓扑实现MOSFET电阻直接电流采样模式；应用专利技术使ADC和高速运放达到最佳配合，可处理更宽的电流动态范围，同时兼顾高速小电流和低速大电流的采样精度；整体控制电路简洁高效，抗干扰能力强，稳定可靠；集成三相全桥自举式栅极驱动模块；支持IEC/UL60730功能安全认证。适用于有感BLDC/无感BLDC/有感FOC/无感FOC及步进电机、永磁同步、异步电机等控制系统。

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980+
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型号：L6227Q 编号：C222198

封装：QFN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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单价：
￥34.210124 / 个

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型号：UCC27200ADRMR 编号：C2677000

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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单价：
￥7.547629 / 个

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型号：UCC27200ADR 编号：C2676996

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥7.547629 / 个

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型号：L6226PD 编号：C1556922

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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￥9.77
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