电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：AOD609-MS 编号：C3647111

封装：TO-252-4

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：快速开关。提供绿色环保产品。适用于4.5V栅极驱动应用。应用：DC风扇。电机驱动应用

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5+
￥1.89677 ￥1.9966
50+
￥1.499575 ￥1.5785
150+
￥1.329335 ￥1.3993
500+
￥1.116915 ￥1.1757
2500+
￥0.974985 ￥1.0263
5000+
￥0.91827 ￥0.9666

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型号：L6203 编号：C34306

封装：Multiwatt-11-V

品牌：ST(意法半导体)

DMOS全桥驱动器

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1+
￥43.79
10+
￥39.17
30+
￥36.36
100+
￥34

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型号：SCT52A40STER 编号：C41521227

封装：ESOP-8L

品牌：SCT(芯洲科技)

是宽电源、高频栅极驱动器，包括高端和低端驱动器，用于半桥、全桥和降压转换器中驱动分立 N 型 MOSFET。4A 峰值源电流和灌电流能力可提高功率转换器的功率效率。具有宽输入迟滞，与 TTL 低压逻辑兼容，能够处理低至-10V 的负输入，增加输入抗噪能力。在 HS 引脚上能够承受最大-18V 的电压，大大扩展了应用灵活性，以处理开关节点噪声。40ns 最小脉冲宽度使其适用于高频功率转换器应用。

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￥4.55
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￥3.68
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￥3.25
100+
￥2.82
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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1+
￥14.07
10+
￥12.2
30+
￥11.03
100+
￥7.59
500+
￥7.05
1000+
￥6.81

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型号：L6205PD013TR 编号：C36543

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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1+
￥22.8
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￥19.47
30+
￥16.03
100+
￥13.9
600+
￥12.93

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

1+
￥14.83
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￥12.89
30+
￥11.67
100+
￥9.07
500+
￥8.5
1000+
￥8.26

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型号：L293D(XBLW) 编号：C18723575

封装：DIP-16

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动双路全桥驱动，静态电流Iq(Typ)24mA，驱动电流 Iout600mA

1+
￥2.691 ￥2.99
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￥2.07 ￥2.3
25+
￥1.809 ￥2.01
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￥1.476 ￥1.64
500+
￥1.332 ￥1.48
1000+
￥1.242 ￥1.38

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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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1+
￥5.68
10+
￥4.56
30+
￥4
100+
￥3.45
500+
￥3.12
1000+
￥2.95

有货

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型号：L298N(XBLW) 编号：C18723576

封装：ZIP-15

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动双路全桥驱动，静态电流Iq(Typ)10mA，驱动电流 Iout4A

1+
￥6.12 ￥6.8
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￥5.058 ￥5.62
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￥4.482 ￥4.98
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￥3.825 ￥4.25
500+
￥3.528 ￥3.92
1000+
￥3.402 ￥3.78

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型号：DMHC3025LSDQ-13 编号：C3289659

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代互补 MOSFET H 桥在 SOIC 封装中集成了 2N 和 2P 沟道。该 H 桥已通过 AECQ101 认证，非常适合驱动：螺线管、直流电机、音频输出。

1+
￥5.96
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￥4.8
30+
￥4.21
100+
￥3.63
500+
￥3.29
1000+
￥3.11

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型号：L6205D013TR 编号：C962257

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

1+
￥19.01
10+
￥15.96
30+
￥14.04
100+
￥12.09
500+
￥11.2

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型号：L6205N 编号：C962260

封装：PDIP-20

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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1+
￥37.43
10+
￥31.97
30+
￥28.63
100+
￥25.84

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型号：AD116 编号：C7463412

封装：SOT23-6

品牌：IDCHIP(英锐芯)

单通道直流双向马达驱动电路，芯片内置功率MOS全桥驱动。输入A /B为低电平时，待机电流小：0.1μA；内置功率晶体管

10+
￥0.2931
100+
￥0.2355
300+
￥0.2067
3000+
￥0.1647
6000+
￥0.1475
9000+
￥0.1388

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型号：NCV7718BDQR2G 编号：C513035

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器（六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器）组成，这些驱动器配置为六个半桥，可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA，典型浪涌能力为2 A（在VSx = 13.2 V时）。必须严格遵守集成电路管芯温度要求

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1+
￥11.6
10+
￥10.56
30+
￥9.91
100+
￥9.24
500+
￥8.94
1000+
￥8.81

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型号：L6225DTR 编号：C962628

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

1+
￥13.66
10+
￥11.61
30+
￥10.33
100+
￥9.01
500+
￥8.42
1000+
￥8.16

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型号：MS8837 编号：C1509051

封装：TDFN-8L-EP(2x2)

品牌：杭州瑞盟

单通道12V全桥驱动，低至1.8V工作电压，sleep管脚控制

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5+
￥1.7694
50+
￥1.4166
150+
￥1.2654
500+
￥1.0767
3000+
￥0.8858
6000+
￥0.8354

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型号：EG2224 编号：C20416241

封装：SSOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG2224是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2224高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道IN1和IN2内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Δ 0.3/0.6A，采用SSOP24和SSOP16封装。

1+
￥2.24
10+
￥1.96
30+
￥1.84
100+
￥1.69
500+
￥1.62
1000+
￥1.58

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型号：SDM05M50DASTR 编号：C49208630

封装：SOP-23H

品牌：SILAN(士兰微)

SDM05M50DAE/DAS是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。其内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。

1+
￥20.97
10+
￥18.02
30+
￥16.27
100+
￥14.5

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型号：TC1508A 编号：C5142992

封装：SOP-16

品牌：FM(富满)

特性：双通道内置功率MOS全桥驱动。最大连续输出电流可达1.8A/每通道，峰值2.5A。驱动前进、后退、停止及刹车功能。宽电压工作范围。超低的待机电流和工作电流。采用SOP-16封装形式。应用：玩具马达驱动

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5+
￥0.7449
50+
￥0.5913
150+
￥0.5145
500+
￥0.4569
2500+
￥0.3916

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型号：L293WS(XBLW) 编号：C18723574

封装：SOP-20

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动双路全桥驱动，静态电流Iq(Typ)24mA，驱动电流 Iout600mA

1+
￥2.502 ￥2.78
10+
￥1.962 ￥2.18
30+
￥1.728 ￥1.92
100+
￥1.44 ￥1.6
500+
￥1.314 ￥1.46
1000+
￥1.242 ￥1.38

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型号：T1016H 编号：C5142991

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

特性：单通道内置功率MOS全桥驱动，可实现前进、后退、停止及刹车功能。内置迟滞热效应过流保护功能。低导通电阻：0.5Ω。最大连续输出电流可达0.9A，峰值电流2.3A。采用SOT23-6封装形式。应用：低压马达驱动。电子玩具

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10+
￥0.3636
100+
￥0.294
300+
￥0.2592

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型号：TC8301 编号：C2887481

封装：SOP-8

品牌：FM(富满)

特性：单通道内置功率MOS全桥驱动。驱动前进、后退、停止及刹车功能。内置迟滞热效应过流保护功能。低导通电阻（1.6Ω）。应用：玩具马达驱动

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10+
￥0.2692
100+
￥0.2179
300+
￥0.1923

有货

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型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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1+
￥10.4
10+
￥8.42
30+
￥7.18
100+
￥5.52

有货

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型号：SLM2136CF-DG 编号：C496628

封装：SOP-28-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:400/380ns，DT:290ns,MT:40ns，MDT:25ns

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1+
￥4.96
10+
￥3.93
30+
￥3.42
100+
￥2.91

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型号：SD20M60AC 编号：C254536

封装：DIP-27

品牌：SILAN(士兰微)

SD20M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SD20M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的应用场合。

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1+
￥55.7
10+
￥49.34
30+
￥44.89

有货

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型号：L6207PD 编号：C74014

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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1+
￥63.78
10+
￥54.85
30+
￥49.41

有货

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型号：AD6208S 编号：C5359733

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD6208S是一款单通道直流双向马达驱动电路，芯片内置功率MOS全桥驱动，同时内置了钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流。该电路由一个逻辑部分和一个功率输出部分组成，逻辑部分控制马达正转向、反转向、停止以及制动，功率输出部分根据逻辑控制最大能连续提供100mA电流。

数据手册

10+
￥0.2423
100+
￥0.1895
300+
￥0.1631
1000+
￥0.1433
4000+
￥0.1275
8000+
￥0.1196

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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥9.17
10+
￥7.57
30+
￥6.68

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

数据手册

1+
￥10.11
10+
￥8.33
30+
￥7.35

有货

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型号：6EDL04I06PT 编号：C533113

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥10.52
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￥8.77
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￥7.81

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