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封装：SOP-14

FAN7384是单片半桥栅极驱动IC，设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V（典型值）的偏置电压，在VBS = 15V时。

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型号：DRV8311PRRWR 编号：C3681458

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8311 具有集成 FET、最大绝对电压为 24V 的 3V 至 20V 三相无刷直流电机驱动器

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型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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型号：TMI8420 编号：C5259221

封装：HTSSOP-28

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8420/Q 为打印机、扫描仪和其他自动化设备应用提供集成电机驱动解决方案。该器件集成了两个H桥驱动器和一个微步进分度器，用于驱动双极步进电机。输出驱动模块由N沟道功率MOSFET组成一个H桥驱动电路来驱动电机绕组。

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：BD63800MUF-CE2 编号：C3681308

封装：VFQFN-32-EP

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：L293DDM/TR 编号：C2973803

封装：SOP-20

品牌：HGSEMI(华冠)

L293DDM升级替代料，建议试样该器件是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，设计用于接收标准 DTL 或 TTL 逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）以及开关功率晶体管。为便于作为两个桥路使用，每对通道均配备一个使能输入。逻辑部分设有单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并且内部包含钳位二极管

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型号：TC4422AVOA(LX) 编号：C52097915

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

9A高速MOSFET驱动器

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型号：DRV8876NPWPR 编号：C1849483

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8876N 37V、3.5A 有刷直流电机驱动器

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型号：IXDN604SITR 编号：C2677329

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：MP6538GV-Z 编号：C6306188

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6538是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6538能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6538使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6538有三个霍尔传感器输入。换相逻辑由间隔120°的三个霍尔元件输入确定。PWM、DIR和nBRAKE输入用于控制电机的速度、位置和转矩。MP6538采用带有外露散热焊盘的QFN - 28（4mmx5mm）封装。

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型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：TB5128FTG(CP,EL 编号：C428723

封装：QFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB5128是一款采用斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/5.0 A（电机电源电压μ = 44 V）。

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型号：DRV8889QPWPRQ1 编号：C701813

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8889-Q1 具有集成式电流检测和失速检测功能的汽车类 50V、1.5A 双极步进电机驱动器

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型号：A3979SLPTR-T 编号：C34468

封装：HTSSOP-28

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

微驱动器与译者的DMOS，逻辑电源电压范围：3.0V to 5.5V

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型号：DRV8350SRTVR 编号：C2861195

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：L9950XPTR 编号：C2156152

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

车门致动器驱动器

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型号：A3959SLBTR-T 编号：C459261

封装：SOIC-24-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3959专为直流电机的脉宽调制（PWM）电流控制而设计，能够输出±3 A的电流，工作电压可达50 V。内部固定关断时间的PWM电流控制定时电路可通过控制输入进行调整，以在慢速、快速和混合电流衰减模式下工作。提供PHASE和ENABLE输入端子，用于利用外部施加的PWM控制信号控制直流电机的速度和方向

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型号：L974113TR 编号：C503086

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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型号：IXDD630MYI 编号：C1524121

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：MP6540HGU-Z 编号：C5358239

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以保持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5mmx5mm）封装。