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封装：SOIC-8

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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￥9.37
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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

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型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：NSG4429 编号：C46473159

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG4429是一款低电压功率MOSFET和IGBT反相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4429逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥5.32 ￥5.6
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型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

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￥5.453 ￥5.74
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型号：TC4428AEOA713 编号：C55181

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥5.72
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型号：IR4427PBF-JSM 编号：C20616629

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 IR4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。IR4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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￥5.8425 ￥6.15
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型号：DRV8213DSGR 编号：C22407186

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

是一款集成电机驱动器，具有N通道H桥、电荷泵、电流感应输出、电流调节和保护电路。三倍电荷泵允许器件低至1.65 V电压下工作，以适应1.8 V电源轨和低电池条件。电荷泵集成了所有电容器，允许100%占空比运行。内部电流镜实现电流感应和调节，无需大型功率分流电阻，节省电路板面积并降低系统成本

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￥5.89
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型号：TF21904M-TUH 编号：C2977708

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.99
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型号：MIC4427YM-TR 编号：C461590

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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￥6.14
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型号：TF2184M-TR 编号：C7466370

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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型号：ADP3654ARDZ-R7 编号：C143882

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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型号：LM5106SD/NOPB 编号：C2876328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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￥6.1938 ￥8.37
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￥3.9366 ￥7.29
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型号：LTC7001IMSE-JSM 编号：C44606290

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥6.2
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型号：LTC7001EMSE-JSM 编号：C44606291

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。