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首页 > 热门关键词 > 全桥驱动芯片
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A5929是一款全桥控制器,适用于n沟道外部功率MOSFET,专为汽车应用而设计。独特的电荷泵稳压器可在电池电压低至7 V时提供全(>10 V)栅极驱动,并允许A5929在电池电压低至5.5 V时以降低的栅极驱动运行。自举电容用于为n沟道MOSFET提供所需的高于电池的电源电压
数据手册
  • 1+

    ¥27.68
  • 10+

    ¥26.99
  • 30+

    ¥26.53
  • 有货
  • 120V高低边驱动,不带互锁,VDD:8-17V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA,MT:30ns
    • 1+

      ¥1.87
    • 10+

      ¥1.82
    • 30+

      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.75
  • 订货
  • 3236(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有3个独立高压通道和3个独立低压通道,高低通道搭配用于3相驱动。采用HVIC工艺可将600V高压器件和低压模块集成在一个芯片中。逻辑信号输入端兼容CMOS或LSTTL输出信号,最低适合3.3V逻辑信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥4.34
    • 30+

      ¥4.09
    • 100+

      ¥3.81
    • 500+

      ¥3.69
  • 有货
  • A4956专为直流电机的脉宽调制(PWM)控制而设计,能够在50 V电压下工作,并为全n沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。该器件设有输入端子,用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路,可降低PWM工作期间的功耗
    数据手册
    • 1+

      ¥9.77
    • 10+

      ¥9.52
    • 30+

      ¥9.35
  • 有货
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      ¥15.54
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      ¥15.14
    • 30+

      ¥14.88
  • 有货
    • 1+

      ¥18.43
    • 10+

      ¥17.96
    • 30+

      ¥17.65
  • 有货
    • 1+

      ¥18.48
    • 10+

      ¥18.01
    • 30+

      ¥17.69
  • 有货
    • 1+

      ¥21.52
    • 10+

      ¥20.98
    • 30+

      ¥20.62
  • 有货
    • 1+

      ¥22.82
    • 10+

      ¥22.25
    • 30+

      ¥21.86
  • 有货
    • 1+

      ¥25.12
    • 10+

      ¥24.49
    • 30+

      ¥24.07
  • 有货
    • 1+

      ¥41.65
    • 10+

      ¥40.6
    • 30+

      ¥39.9
  • 有货
  • 是高频率、中压N沟道FET全桥驱动IC,包含输入比较器,用于简化“滞后”和PWM操作模式。其HEN(高使能)引脚可强制电流在底部两个外部功率MOSFET中续流,保持上部功率MOSFET关闭。由于可在高达1MHz的频率下切换,适用于驱动音圈电机、开关功率放大器和电源。还可驱动中压有刷电机,两个该IC可用于驱动高性能步进电机,短的最小“导通时间”可提供精细微步进能力。短传播延迟约55ns可最大化控制回路交叉频率,死区时间可调整至接近零以最小化失真,从而精确控制驱动负载。
    • 1+

      ¥44.29
    • 10+

      ¥43.27
    • 30+

      ¥42.59
  • 有货
  • U5315 - 6T(Q)是一款高速三相栅极驱动器,适用于功率MOSFET和IGBT器件,具有三个独立的高端和低端参考输出通道。内置死区时间保护和直通保护功能,可防止半桥损坏。欠压锁定(UVLO)电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止出现故障
    数据手册
    • 1+

      ¥2.53
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.74
    • 100+

      ¥1.44
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.17
  • 订货
  • IR2086S(PbF)是一款自振荡全桥控制器及驱动器IC,占空比为50%,非常适合用于36V - 75V全桥直流母线转换器。死区时间可通过合理选择CT来控制,范围为50至200纳秒。内部软启动功能在上电时增加脉冲宽度,并在整个启动周期内保持高低端输出的脉冲宽度相等
    数据手册
    • 1+

      ¥34.42
    • 10+

      ¥29.46
    • 30+

      ¥26.51
    • 100+

      ¥23.53
    • 500+

      ¥22.15
    • 1000+

      ¥21.53
  • 订货
  • MAX22256/MAX22258是用于隔离式电源电路的集成初级侧控制器和H桥驱动器,其特点是具备精密片上振荡器、保护电路和内部MOSFET,可为变压器初级绕组提供高达650mARMS的电流。这些器件内置一个450kHz(典型值)的振荡器,也可由外部时钟驱动,以实现多个器件的同步并控制电磁干扰(EMI)。只要时钟周期恒定,内部触发器级就能保证固定的50%占空比,防止变压器中出现直流电流
    • 单价:

      ¥39.7764 / 个
    NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器,其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此,此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。
    数据手册
    • 4000+

      ¥4.638801
    • 8000+

      ¥4.59701
    • 12000+

      ¥4.513428
    A4956专为直流电机的脉宽调制(PWM)控制而设计,能够在50 V电压下工作,并为全n沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。该器件设有输入端子,用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路,可降低PWM工作期间的功耗
    数据手册
    • 1+

      ¥17.89
    • 10+

      ¥15.18
    • 30+

      ¥13.56
    • 100+

      ¥11.93
    • 500+

      ¥11.18
    • 1500+

      ¥10.84
  • 订货
  • LTC4446是一款高频高压栅极驱动器,可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A,下拉输出阻抗为1.2Ω
    数据手册
    • 1+

      ¥20.49
    • 200+

      ¥7.93
    • 500+

      ¥7.65
    • 1000+

      ¥7.52
  • 订货
  • 全桥驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥31.98
    • 10+

      ¥27.54
    • 30+

      ¥24.9
    • 100+

      ¥22.23
    • 500+

      ¥21
    • 1000+

      ¥20.45
  • 订货
    • 1+

      ¥40.35
    • 10+

      ¥34.76
    • 30+

      ¥31.35
    • 100+

      ¥28.49
  • 订货
  • BD65496MUV提供了一个单H桥电机驱动器,其特点是电机电源电压范围宽,为1.8V至16.0V,并且在高速切换低导通电阻DMOS晶体管时功耗低。
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.25
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥4.05
    • 500+

      ¥3.7
    • 1000+

      ¥3.51
  • 订货
    • 1+

      ¥7.03
    • 10+

      ¥6.85
    • 30+

      ¥6.73
    • 100+

      ¥6.61
  • 订货
    • 1+

      ¥9.01
    • 10+

      ¥8.67
    • 30+

      ¥8.44
    • 100+

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