全桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：WSON-10-EP(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：DA7281-00FVC 编号：C2155357

封装：QFN-12(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

DA7281是一款线性谐振致动器（LRA）和偏心旋转质量块（ERM）触觉驱动器，可自动进行闭环LRA谐振频率跟踪。该特性确保了LRA在生产公差、工作温度、老化和机械耦合方面的一致性。DA7281支持宽带操作，可充分发挥新型宽带和多向LRA的性能

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型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

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型号：HIP4020IBZ 编号：C1523830

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

在HIP4020的功能框图中，四个开关和一个负载以H形配置排列，以便来自端子OUTA和OUTB的驱动电压可以交叉切换，以改变负载中的电流方向，这通常称为四象限负载控制。端子ENA和ENB是逻辑A和B输入控制的使能输入。ILF输出是过流限制故障标志输出，指示输出A或B或两者的故障情况。VDD和VSS是A和B控制逻辑输入以及ILF输出的电源参考端子。

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型号：NSG1040 编号：C46473172

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG1040是一款全桥高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达100V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，高侧与低侧均包含有欠压保护功能。NSG1040为SOP14封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

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型号：MP9517GJS-Z 编号：C6228276

封装：TSOT-23-6-SL

品牌：MPS(芯源)

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型号：MP6515GL-Z 编号：C5776319

封装：QFN-20(3x4)

品牌：MPS(芯源)

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型号：MIC4606-1YML-TR 编号：C621921

封装：VQFN-16-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：L6206D 编号：C1523833

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：HIP4081AIPZ 编号：C1549342

封装：PDIP-20

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4081A 是一款高频、中压全桥 N 沟道 FET 驱动集成电路，有 20 引脚塑料 SOIC 和 DIP 封装可选。除了会导致直通情况的开关组合外，HIP4081A 能驱动其他任何可能的开关组合。HIP4081A 的开关频率最高可达 1MHz，非常适合驱动音圈电机、高频开关功率放大器和电源

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型号：A4955KLPTR-T 编号：C2688271

封装：HTSSOP-20-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。该器件设有输入端子，用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内置同步整流控制电路，可降低PWM工作期间的功耗

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型号：ISL83202IBZT 编号：C2677313

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL83202是一款中频H桥FET驱动器，其峰值驱动电流可达1A（典型值），旨在驱动中压应用中的高端和低端N沟道MOSFET。该器件针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现基于电桥的简单灵活设计。ISL83202的典型输入至输出传播延迟低至25ns，用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs，非常适合高达200kHz的开关频率

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型号：UCC27211DPRT 编号：C2866951

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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型号：BD6222HFP-TR 编号：C2653486

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

这些 H 桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个 IC 可在 6V 至 15V 的电源电压范围内工作，输出电流高达 2A。输出级的 MOS 晶体管可实现 PWM 速度控制。

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型号：L6207PD013TR 编号：C2680263

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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型号：HIP4080AIBZ 编号：C1549340

封装：SO-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4080A 是一款高频、中压全桥 N 沟道 FET 驱动集成电路，有 20 引脚塑料 SOIC 和 DIP 封装可选。HIP4080A 包含一个输入比较器，用于实现“迟滞”和 PWM 工作模式。其 HEN（高使能）引脚可使电流在底部两个外部功率 MOSFET 中续流，同时保持上部功率 MOSFET 关断

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型号：DRV8244SQDGQRQ1 编号：C6225657

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

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型号：DRV8245PQPWPRQ1 编号：C5355901

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8245-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、32A H 桥驱动器

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型号：L9959S-TR-D 编号：C2680287

封装：PowerSSO-24EP

品牌：ST(意法半导体)

L9959S/L9959U 和 L9959T 是用于电阻性和电感性负载的单通道和双通道集成 H 桥，具备输出电流方向控制和监控功能。PowerSSO24 封装包含一个完整的 H 桥，而 PowerSSO36 封装包含两个可通过独立输入驱动指令并行工作的 H 桥以及一个完整的 H 桥，通过改进 PCB 占位设计以适配不同的目标应用。

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型号：PT5616A 编号：C481909

封装：SOP-28-300mil

品牌：PTC(普诚)

这些器件是全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。六个独立的驱动器在低端采用与CMOS和LSTTL兼容的信号进行控制，逻辑电平低至3.3V。

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型号：A4955GLPTR-T 编号：C2688276

封装：TSSOP-20-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

专为直流电机的脉宽调制 (PWM) 控制而设计，能够在50V下运行，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号控制直流电机的速度和方向。内部同步整流控制电路可降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞的热关断、VBB欠压监测和交叉电流保护。采用低轮廓4×4mm 20引脚QFN封装（后缀ES）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），均带有外露散热焊盘。