全桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：A4985SLPTR-T 编号：C192873

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4985是一款完整的微步进电机驱动器，内置翻译器，操作简便。它旨在以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机。步进模式可通过MSx逻辑输入进行选择

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型号：IR2110PBF 编号：C2967

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

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型号：EMC2301-1-ACZL-TR 编号：C148036

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

EMC2301是一款符合SMBus标准的风扇控制器，带有PWM风扇驱动器。该风扇驱动器由可编程频率PWM驱动器和风扇速度控制算法控制，可在闭环模式下运行，也可作为直接PWM控制设备运行。每个闭环风扇速度控制算法（FSC）都能够检测老化风扇并向系统发出警报

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型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：A4984SLPTR-T 编号：C38917

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4984是一款完整的微步进电机驱动器，内置易于操作的转换器。它旨在以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机。步进模式可通过MSx逻辑输入进行选择。其输出驱动能力高达35 V和±2 A。A4984包含一个固定关断时间的电流调节器，能够在慢速或混合衰减模式下工作。 ET封装通过在关键输出、检测和电源引脚之间添加不连接引脚，满足了客户对无烟无火（NSNF）设计的要求。因此，在引脚与相邻引脚短路的情况下，该器件不会引发冒烟或起火。此外，当任何引脚接地短路或悬空时，该器件也不会引发冒烟或起火。转换器是A4984易于实施的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机进行一次微步进。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口编程。A4984接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。在步进操作期间，A4984中的斩波控制会自动选择电流衰减模式，即慢速或混合模式。在混合衰减模式下，器件在固定关断时间的一部分初始设置为快速衰减，然后在关断时间的其余部分设置为慢速衰减。混合衰减电流控制可降低电机可听噪声、提高步进精度并降低功耗。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括：带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4984提供三种表面贴装封装：两种QFN封装，即4 mm×4 mm、标称总高度为0.75 mm的ES封装，以及5 mm×5 mm×0.90 mm的ET封装。LP封装是24引脚TSSOP封装。所有三种封装均有外露焊盘以增强散热性能，并且无铅（后缀 -T），引脚框架采用100%雾锡电镀。

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型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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型号：DRV8834PWPR 编号：C456273

封装：HTSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

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型号：LTC4412IS6#TRPBF 编号：C521306

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器

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型号：BD6232HFP-TR 编号：C2981752

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：MCF8315A1VRGFR 编号：C6589896

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

MCF8315A 40V 最大电压、4A 峰值电流、无传感器 FOC 控制、三相 BLDC 电机驱动器

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型号：TC642BEOA 编号：C145620

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC642B/TC647B器件是现有TC642/TC647风扇速度控制器的新版本。这些器件为开关模式风扇速度控制器，集成了新的风扇自动重启功能。温度比例速度控制通过脉冲宽度调制实现

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型号：MP6543HGL-Z 编号：C3681371

封装：QFN-24(3x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6543H 系列产品（MP6543H、MP6543H - A 和 MP6543H - B）是三相无刷直流电机驱动器。它们集成了三个半桥，由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成，以及预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6543H 每个半桥都有使能（EN）和 PWM 输入。MP6543H - A 有独立的高端（HS）和低端（LS）输入，而 MP6543H - B 有霍尔效应传感器输入。除此之外，这三款器件相似。MP6543H 可提供高达 2A 的连续电流（取决于散热和 PCB 条件），并具有可调的过流保护（OCP）阈值。它使用内部电荷泵为高端 MOSFET 生成栅极驱动电源电压，并使用涓流充电电路来维持足够的栅极驱动电压，以实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。MP6543H 采用带有外露散热焊盘的 QFN - 24（3mmx4mm）封装。

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￥20.0049
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型号：MP6536DU-LF-Z 编号：C3655732

封装：QFN-40(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，25V~48V供电，4A~6A方案，

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￥22.2836
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型号：TB5128FTG(CP,EL 编号：C428723

封装：QFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB5128是一款采用斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/5.0 A（电机电源电压μ = 44 V）。

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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

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￥24.4
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型号：DRV8873HPWPR 编号：C2150604

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

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型号：DRV8316CRRGFR 编号：C5447274

封装：VQFN40

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C 具有集成电流检测功能、FET、增强型 CSA 规格、40V 最大电压、8A 峰值电流的三相电机驱动器

单价：
￥16.495991 / 个

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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￥33.47
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￥28.64
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￥25.77
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￥22.88
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￥21.54

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型号：MP6540HGU-Z 编号：C5358239

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以保持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5mmx5mm）封装。

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￥60.0148
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￥52.6661
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￥48.5815

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型号：IXDN630MYI 编号：C1549561

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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￥65.08
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￥55.97
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￥50.42
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￥45.76

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型号：MC33887PFK 编号：C3681348

封装：PWRQFN-36(9x9)

品牌：NXP(恩智浦)

是一款具有负载电流反馈功能的单片 H 桥功率 IC，非常适合闭环直流电机控制。该 IC 集成了内部控制逻辑、电荷泵、栅极驱动和低 RDS(on) MOSFET 输出电路。能够控制连续直流负载电流高达 5.0A 的感性负载，峰值电流主动限制在 5.2A 至 7.8A 之间。输出负载可以在高达 10kHz 的频率下进行脉冲宽度调制

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￥68.18
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￥64.78
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￥58.89
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￥53.2125 ￥53.75

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型号：U3115S 编号：C400130

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115S/U3116S可在高达+300V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，支持低至3.3V的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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5+
￥0.5791
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￥0.4986
150+
￥0.4584
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￥0.4177
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￥0.3935

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型号：JSM2103STR 编号：C44606221

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

5+
￥0.706
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￥0.5524
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￥0.4756
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￥0.418

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型号：L9110S 编号：C5157607

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动，步进电机驱动和开关功率管等电路上

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￥0.88137 ￥0.9793
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￥0.69084 ￥0.7676
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￥0.60921 ￥0.6769
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￥0.50733 ￥0.5637
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￥0.46953 ￥0.5217
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￥0.44235 ￥0.4915

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型号：MX27524S 编号：C19723497

封装：SOP-8

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端中的每一个都能够提供和吸收 5A 峰值电流，最大额定电压为 20V。每个通道都有两个独立的使能引脚，如果未连接则默认开启。快速的传播延迟时间和快速的上升和下降时间使其非常适合高频应用。此外，该驱动器在 A 和 B 通道之间具有匹配的内部传播延迟，适用于需要严格时序的双栅极驱动器应用，如同步整流器。